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一文讀懂SiC Combo JFET技術(shù)
安森美具有卓越 RDS（on）*A 性能的 SiC JFET，特別適用于需要大電流處理能力和較低開關(guān)速度的應(yīng)用，如固態(tài)斷路器和大電流開關(guān)系統(tǒng)。得益于碳化硅（SiC）優(yōu)異的材料特性和 JFET 的高效結(jié)構(gòu)，可實現(xiàn)更低的導(dǎo)通電阻和更佳的熱性能，非常適合需要多個器件并聯(lián)以高效管理大電流負(fù)載的應(yīng)用場景。
2025-06-26
安森美 SiC JFET并聯(lián)技術(shù) 固態(tài)斷路器解決方案 大電流SiC JFET Combo JFET結(jié)構(gòu)
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控制回路仿真入門：LTspice波特圖分析詳解
在電源設(shè)計中，控制回路的穩(wěn)定性是確保電源可靠運行的關(guān)鍵。一個設(shè)計不當(dāng)?shù)目刂苹芈房赡軐?dǎo)致電源振蕩、輸出紋波過大，甚至降低電磁兼容性（EMC）性能。此外，控制回路的響應(yīng)速度直接影響到電源對負(fù)載變化和輸入電壓波動的適應(yīng)能力。為了確保電源的穩(wěn)定性和高效性，控制回路的仿真分析至關(guān)重要。
2025-06-25
LTspice 波特圖分析 控制回路仿真 開關(guān)穩(wěn)壓器 電源穩(wěn)定性優(yōu)化 相位裕度 增益帶寬
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馴服電源幽靈：為敏感器件打造超低噪聲供電方案
在射頻通信、精密測量、高分辨率數(shù)據(jù)采集等尖端領(lǐng)域，毫伏級的電源噪聲都可能成為性能的致命殺手。鎖相環(huán)（PLL）的相位噪聲惡化、壓控振蕩器（VCO）的輸出頻率漂移、高分辨率模數(shù)轉(zhuǎn)換器（ADC）的有效位數(shù)（ENOB）下降——這些敏感電路的卓越性能，無一不建立在超低噪聲、超高純凈度的電源基礎(chǔ)之上。本...
2025-06-24
超低噪聲電源設(shè)計 射頻電源解決方案 μV級電源噪聲 低噪聲LDO 低噪聲電源模塊
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如何設(shè)計高性能CCM反激式轉(zhuǎn)換器？中等功率隔離應(yīng)用解析
在當(dāng)今追求高效節(jié)能的電子設(shè)備領(lǐng)域，隔離式DC-DC電源轉(zhuǎn)換器扮演著關(guān)鍵角色。面對50W至250W的中等功率應(yīng)用需求——從工業(yè)控制模塊、網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備到醫(yī)療儀器輔助電源——工程師們亟需兼顧效率、體積與成本的解決方案。連續(xù)導(dǎo)通模式（CCM）反激式轉(zhuǎn)換器憑借其獨特優(yōu)勢，正成為這一功率段隔離電源設(shè)計的首選...
2025-06-23
CCM反激轉(zhuǎn)換器設(shè)計 連續(xù)導(dǎo)通模式反激電源 反激電源設(shè)計指南 隔離電源方案
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如何選擇正確的工業(yè)自動化應(yīng)用的儀表放大器？
在自動化程度日益提升的工廠環(huán)境中，儀表放大器作為微弱信號采集的“感知末梢”，其性能穩(wěn)定性直接關(guān)乎設(shè)備運行狀態(tài)與生產(chǎn)效率。如何正確選擇一款堅固耐用、高精可靠的工業(yè)級儀表放大器？本文將揭秘工業(yè)級儀表放大器的五維選型矩陣與三大致命場景破解方案，助您筑起工業(yè)信號鏈的銅墻鐵壁。
2025-06-19
工業(yè)自動化應(yīng)用 儀表放大器選型 工業(yè)傳感器接口 抗干擾信號調(diào)理
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0.01%精度風(fēng)暴！儀表放大器如何煉成工業(yè)自動化的“神經(jīng)末梢”
在500kW伺服電機的轟鳴聲中，±0.01%的轉(zhuǎn)矩控制精度要求電流檢測誤差小于2μV——這正是儀表放大器的戰(zhàn)場。面對工業(yè)現(xiàn)場＞100V的共模干擾和10g的機械振動，這類具備≥140dB共模抑制比（CMRR） 的器件，正以nV/√Hz級噪聲性能，將應(yīng)變片、熱電偶等傳感器的微弱信號轉(zhuǎn)化為可靠控制指令，成為智能工廠不可或...
2025-06-18
儀表放大器 電機控制信號調(diào)理 工業(yè)傳感器接口 伺服電機電流檢測 工業(yè)自動化信號鏈
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普通鐵磁材料對3D打印磁環(huán)EMI抑制性能的影響與優(yōu)化路徑
隨著3D打印技術(shù)在微型磁環(huán)制造領(lǐng)域的快速滲透，材料選型成為平衡成本與性能的核心議題。在追求降本增效的驅(qū)動下，普通鐵磁材料（如FeSi硅鋼、羰基鐵粉）因價格優(yōu)勢獲得廣泛應(yīng)用。然而，這類材料在高頻工況下磁性能衰減的特性，導(dǎo)致其電磁干擾（EMI）抑制能力顯著弱于高端納米晶合金或鐵氧體復(fù)合材料...
2025-06-17
普通鐵磁材料 3D打印微型磁環(huán) EMI抑制性能
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3D打印微型磁環(huán)成本優(yōu)化：多維度降本策略解析
3D打印技術(shù)在微型磁環(huán)制造領(lǐng)域的應(yīng)用，為傳統(tǒng)制造工藝帶來了革命性的變化。然而，盡管3D打印在復(fù)雜結(jié)構(gòu)和定制化生產(chǎn)方面具有顯著優(yōu)勢，其高成本問題仍然是制約其廣泛應(yīng)用的主要瓶頸之一。微型磁環(huán)因其尺寸小、結(jié)構(gòu)復(fù)雜，對材料和制造工藝的要求較高，因此成本控制顯得尤為重要。本文將從材料選擇、...
2025-06-17
3D打印 微型磁環(huán) 工藝優(yōu)化 規(guī)?；a(chǎn) 成本控制
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如何通過3D打印微型磁環(huán)來集成EMI抑制？
在物聯(lián)網(wǎng)終端、可穿戴設(shè)備和微型傳感器中，電磁干擾（EMI）如同隱形的“信號殺手”，威脅著系統(tǒng)可靠性。傳統(tǒng)EMI抑制方案依賴外置濾波器或金屬屏蔽罩，但這些方法因體積大、兼容性差而難以適配現(xiàn)代微型化需求。3D打印微型磁環(huán)技術(shù)應(yīng)運而生，通過高精度打印與磁性材料的完美結(jié)合，將EMI抑制功能直接集成...
2025-06-16
3D打印 3D打印磁環(huán) EMI抑制技術(shù) 微型化封裝 共形屏蔽集成 電磁兼容優(yōu)化
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
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