目前，在使用和設計IGBT的過程中，基本上都是采用粗放式的設計模式——所需余量較大，系統(tǒng)龐大，但仍無法抵抗來自外界的干擾和自身系統(tǒng)引起的各種失效問題。
2013-01-12
IGBT 設計 保護
本文將探討一些在選擇正確的二極管時應仔細考慮的典型參數(shù)，以及如何應用這些參數(shù)來快速確定選型的正確與否。
二極管 轉換器 肖特基管
變容二極管在反向偏置電壓下運行，會在PN結附近形成耗盡區(qū)，變反向偏置的水平，就能改變耗盡區(qū)的厚度，從而影響二極管的有效電容。
數(shù)模轉換器 變容二極管 偏置電壓
壓敏電阻屬于關鍵器件，如何正確的選擇壓敏電阻，要從哪些方面去考慮？對信號傳輸線路，進行ESD防護。
2013-01-11
選型 壓敏電阻 ESD
用工頻市電直接供電的無電源變壓器離線式穩(wěn)壓電源與工頻市電非隔離式穩(wěn)壓電源，盡管在電路上可能帶有危險的電壓，但由于體積小、線路簡單。成本低，故在很多領域已得到較廣泛的應用。
2013-01-10
工頻市電 無電源變壓器 離線式穩(wěn)壓電源
目前交流調壓多采用雙向可控硅，它具有過載和抗干擾能力差，且在控制大電感負載時會干擾電網和自干擾等缺點，下面我們來談談可控硅在其使用中如何避免上述問題。
可控硅 過載
對于大型的控制電路，比如LED燈塔的電源控制線路，其保護以及維修都是一個比較復雜的工程。使用TBU方案，是否可以使過壓過流電路保護解決方案設計更輕松呢？本文從傳統(tǒng)的保護元器件入手，對比傳統(tǒng)過流過壓保護元器件和TBU方案的工作方式，深度解析TBU與傳統(tǒng)過壓過流電路保護元件的區(qū)別及其應用限制...
TBU 保護元件 TPS
ESD保護元件的對比分析及大電流性能鑒定。為了給電子系統(tǒng)提供ESD保護，可以從不同的角度來著手。一種方法是在半導體芯片內建ESD保護架構。不過，日趨縮小的CMOS芯片已經越來越不足以承受進行內部2 kV等級的ESD保護所需要的面積。
ESD 保護 TLP
測試開關電源或在實驗中有聽到類似產品打高壓不良的漏電聲響或高壓拉弧的聲音或大或小，或時有時無，其韻律或深沉或刺耳，或變化無常者皆有。
開關電源 嘯叫 大電流
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