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松下電器試制出降低導(dǎo)通電阻的GaN二極管
松下電器試制出使用GaN半導(dǎo)體、耐壓為9.4kV,導(dǎo)通電阻降低至52mΩcm2的二極管。而此前產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻為1000mΩcm2。設(shè)想用于工作電壓從數(shù)百伏消費(fèi)類電器和數(shù)kV產(chǎn)業(yè)電氣設(shè)備等廣泛領(lǐng)域。
2008-12-22
半導(dǎo)體 二極管 消費(fèi)電子 電氣設(shè)備 分立器件 導(dǎo)通電阻
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VLMW84:Vishay超薄SMD LED系列
日前,Vishay推出業(yè)界首個(gè)采用 CLCC-2 扁平陶瓷封裝且基于藍(lán)寶石 InGaN/TAG 技術(shù)的高強(qiáng)度白光功率 SMD LED 系列 --- VLMW84…。該系列器件可降低高容量應(yīng)用的成本,它們具有 25K/W 的低熱阻以及 5600mcd~14000mcd 的高光功率。
2008-12-22
VLMW84 InGaN/TAG SMD LED CCFL 照明 光器件 CLCC-2 LED
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電子元器件S參數(shù)的含義和用途
在進(jìn)行射頻、微波等高頻電路設(shè)計(jì)時(shí),節(jié)點(diǎn)電路理論已不再適用,需要采用分布參數(shù)電路的分析方法,這時(shí)可以采用復(fù)雜的場分析法,但更多地時(shí)候則采用微波網(wǎng)絡(luò)法來分析電路,對(duì)于微波網(wǎng)絡(luò)而言,最重要的參數(shù)就是S參數(shù)。在個(gè)人計(jì)算機(jī)平臺(tái)邁入 GHz階段之后,從計(jì)算機(jī)的中央處理器、顯示界面、存儲(chǔ)器總線到...
2008-12-19
S參數(shù) 射頻 微波 分散參數(shù) 集總電路
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松下敲定收購三洋
據(jù)日本媒體報(bào)道,松下與三洋大股東高盛等三家金融企業(yè)已就收購三洋股權(quán)達(dá)成協(xié)議。
2008-12-19
電器 消費(fèi)電子 可充電電池 電池
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壓電晶體:完成量的積累期待質(zhì)的突破
在中國電子元件行業(yè)協(xié)會(huì)壓電晶體分會(huì)和中國電子材料行業(yè)協(xié)會(huì)壓電晶體材料分會(huì)成立20周年之際,我們回顧與思考?jí)弘娋w行業(yè)20年所走過的路,總結(jié)過去,籌劃未來。
2008-12-19
電子元器件 壓電晶體 家信息產(chǎn)業(yè) 國防軍工 民用 石英晶體
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Philips Lumileds戶外照明LED,18年不用更換
美國Philips Lumileds Lighting開發(fā)出配備自主開發(fā)的LED“LUXEON Rebel LED”的戶外照明燈“SUNDOWNER LED”。與原來的戶外照明燈相比,耗電量減少80%,壽命延長7倍。18年不用更換
2008-12-19
LUXEON Rebel LED LED 戶外照明
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LF1B型:愛德克增加AC100V LED照明單元產(chǎn)品
日本愛德克(IDEC)將于2008年12月22日上市新款LED照明單元“LF1B型高亮度LED”,包括可直接連接100V交流(AC)電源的產(chǎn)品,以及可滿足白色以外應(yīng)用需求的燈泡色、黃色和紅色產(chǎn)品。
2008-12-19
LF1B LED 照明單元 熒光燈
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LF1B型:愛德克增加AC100V LED照明單元產(chǎn)品
日本愛德克(IDEC)將于2008年12月22日上市新款LED照明單元“LF1B型高亮度LED”,包括可直接連接100V交流(AC)電源的產(chǎn)品,以及可滿足白色以外應(yīng)用需求的燈泡色、黃色和紅色產(chǎn)品。
2008-12-19
LF1B LED 照明單元 熒光燈
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IRFBxxxxPBF:IR全新基準(zhǔn)高電流MOSFET
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出具有高封裝電流額定值的全新溝道型HEXFET功率MOSFET系列,適用于工業(yè)用電池、電源、高功率DC馬達(dá)及電動(dòng)工具。
2008-12-19
HEXFET MOSFET 導(dǎo)通電阻 TO-220 D2PAK TO-262 電子元器件 分立器件 潘大偉
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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