【導讀】隨著工業(yè)充電技術向高效化、緊湊化發(fā)展,基于寬禁帶半導體(如SiC)的隔離型DC-DC變換方案嶄露頭角。相比傳統(tǒng)硅基器件,SiC憑借超低導通損耗與納秒級開關特性,顯著提升了系統(tǒng)功率密度,同時為高動態(tài)響應拓撲設計提供了新思路。本文將解析關鍵功率架構的選型邏輯與技術邊界。
隔離式DC-DC功率級的選擇
對于隔離式DC-DC轉(zhuǎn)換,可以根據(jù)應用的功率等級來選擇多種不同的拓撲結構。
? 半橋 LLC 拓撲
采用次級端全橋同步整流的半橋LLC拓撲結構非常適合600W至3.0kW的充電器應用。iGaN功率開關適用于600W至1.0kW的充電器,而SiC MOSFET則適用于1.2kW至3.0kW的應用。
對于4.0kW至6.6kW的應用,可選用全橋LLC拓撲或交錯式LLC拓撲;雙有源橋則適用于6.0kW至30.0kW的應用。通過并聯(lián)多個6.0kW充電器,可實現(xiàn)12.0kW至30kW的功率輸出。
NTH4L045N065SC1 或 NTBL032N065M3S 650 V EliteSiC MOSFET 適用于初級端半橋電路,80 ? 150 V 的 Si MOSFET 則適用于次級端同步整流應用。NTBLS0D8N08X 和 NTBLS4D0N15MC 是適用于 48 V 及 80 V ? 120 V 電池充電器應用的Si MOSFET。
? 全橋 LLC 拓撲
全橋LLC拓撲由兩個半橋(S1?S2 和 S3?S4)組成,包含變壓器初級繞組Lm和諧振LC網(wǎng)絡。
全橋電路中對角線布局的SiC MOSFET由相同的柵極驅(qū)動信號驅(qū)動。次級端全橋LLC拓撲由兩個半橋(S5?S6 和 S7?S8)組成,使用的是同步整流Si MOSFET。雙向Si MOSFET開關S9?S10提供了電壓倍增功能,可實現(xiàn)40 V至120 V的寬電壓輸出。對于40 V ? 120 V的寬電壓范圍電池充電器應用,初級端采用全橋LLC拓撲、次級端采用帶雙向開關電壓倍增器同步全橋電路拓撲是合適的方案(如圖 2所示)。
圖2
圖 3 所示,帶有 2個變壓器及2個次級全橋同步整流電路的全橋 LLC 拓撲,適用于 4.0 kW 至 6.6 kW 的應用。
圖3
? 交錯式三相 LLC 拓撲
對于 6.6 kW - 12.0 kW 的大功率應用,建議采用交錯式 LLC 拓撲,將功率損耗分散到多個開關和變壓器中。
三相交錯式 LLC 由 3 個半橋(S1-S2、S3-S4 和 S5-S6)、3 個諧振 LC 電路、3 個帶勵磁電感的變壓器組成,次級端采用3 個帶諧振 LC 網(wǎng)絡的半橋(S7-S8、S9-S10 和 S11-S12)組成,以實現(xiàn)雙向操作。初級端3組半橋電路以諧振開關頻率工作,彼此保持120度相位差。此三相交錯式LLC拓撲可產(chǎn)生三倍開關頻率的輸出紋波,并顯著減小濾波電容尺寸。
圖 4 所示的交錯式三相 LLC 拓撲適用于 6.6 kW - 12 kW的充電器應用。
圖4
? 雙有源橋
如圖 5 所示的雙有源橋適用于大功率充電器應用,例如為騎乘式割草機、叉車和電動摩托車供電。雙有源橋適用于6.6 kW至11.0 kW的工業(yè)充電器應用。
圖5
單級拓撲結構適用于輸入電壓為 120 - 347 V 單相AC輸入的工業(yè)充電器應用。 圖 6 所示,初級端帶有雙向AC開關的雙有源橋適用于 4.0 kW至11.0 kW的工業(yè)充電器應用。
圖6
650 - 750 V SiC MOSFET 和 GaN HEMT 適用于雙向開關應用。 NTBL032N065M3S 和 NTBL023N065M3S 650 V M3S EliteSiC MOSFET 推薦用于初級端雙向開關。通過將2個裸芯集成到 TOLL 或 TOLT 封裝中,以實現(xiàn)雙向開關。 GaN 技術同樣適用于雙向開關應用。
如圖 7 所示,另一種值得關注的單級拓撲結構是帶有集成式全橋隔離 LLC DC-DC轉(zhuǎn)換器的交錯式圖騰柱 PFC。
圖7
結語
工業(yè)充電器的拓撲結構選型直接影響系統(tǒng)效率、功率密度及成本,而SiC等寬禁帶半導體技術的引入,為高功率應用提供了更優(yōu)的解決方案。從半橋/全橋LLC到交錯式三相LLC,再到雙有源橋,不同拓撲結構覆蓋了600W至30kW的廣泛功率需求,兼顧了高效能與靈活性。未來,隨著SiC和GaN器件的進一步成熟,工業(yè)充電設計將朝著更高效率、更緊湊化及智能化的方向發(fā)展。安森美的EliteSiC MOSFET等先進器件,為工程師提供了可靠的硬件支持,助力實現(xiàn)下一代高性能充電系統(tǒng)。
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