（1）等效電路

 

 

（2）說(shuō)明

功率 MOSFET 正向?qū)〞r(shí)可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓升高，該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系曲線可從制造商的手冊(cè)中獲得。

 

功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）

 

（1）等效電路（門(mén)極不加控制）

 

 

（2）說(shuō)明

 

即內(nèi)部二極管的等效電路，可用一電壓降等效，此二極管為MOSFET 的體二極管，多數(shù)情況下，因其特性很差，要避免使用。

 

功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）

 

（1）等效電路（門(mén)極加控制）

 

 

（2）說(shuō)明

 

功率 MOSFET 在門(mén)級(jí)控制下的反向?qū)?，也可用一電阻等效，該電阻與溫度有關(guān)，溫度升高，該電阻變大；它還與門(mén)極驅(qū)動(dòng)電壓的大小有關(guān)，驅(qū)動(dòng)電壓升高，該電阻變小。詳細(xì)的關(guān)系曲線可從制造商的手冊(cè)中獲得。此工作狀態(tài)稱為MOSFET 的同步整流工作，是低壓大電流輸出開(kāi)關(guān)電源中非常重要的一種工作狀態(tài)。

 

功率MOSFET的正向截止等效電路

 

（1）等效電路

 

 

（2）說(shuō)明

 

功率 MOSFET 正向截止時(shí)可用一電容等效，其容量與所加的正向電壓、環(huán)境溫度等有關(guān)，大小可從制造商的手冊(cè)中獲得。

 

功率MOSFET的穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)

 

（1）功率MOSFET 穩(wěn)態(tài)時(shí)的電流/電壓曲線

 

 

（2）說(shuō)明

 

功率 MOSFET 正向飽和導(dǎo)通時(shí)的穩(wěn)態(tài)工作點(diǎn)：

 

 

當(dāng)門(mén)極不加控制時(shí)，其反向?qū)ǖ姆€(wěn)態(tài)工作點(diǎn)同二極管。

 

（3）穩(wěn)態(tài)特性總結(jié)

 

-- 門(mén)極與源極間的電壓Vgs 控制器件的導(dǎo)通狀態(tài)；當(dāng)Vgs<Vth時(shí)，器件處于斷開(kāi)狀態(tài)，Vth一般為 3V；當(dāng)Vgs>Vth時(shí)，器件處于導(dǎo)通狀態(tài)；器件的通態(tài)電阻與Vgs有關(guān)，Vgs大，通態(tài)電阻?。欢鄶?shù)器件的Vgs為 12V-15V ，額定值為+-30V；

 

-- 器件的漏極電流額定是用它的有效值或平均值來(lái)標(biāo)稱的；只要實(shí)際的漏極電流有效值沒(méi)有超過(guò)其額定值，保證散熱沒(méi)問(wèn)題，則器件就是安全的；

 

-- 器件的通態(tài)電阻呈正溫度系數(shù)，故原理上很容易并聯(lián)擴(kuò)容，但實(shí)際并聯(lián)時(shí)，還要考慮驅(qū)動(dòng)的對(duì)稱性和動(dòng)態(tài)均流問(wèn)題；

 

-- 目前的 Logic-Level的功率 MOSFET，其Vgs只要 5V，便可保證漏源通態(tài)電阻很??；

 

-- 器件的同步整流工作狀態(tài)已變得愈來(lái)愈廣泛，原因是它的通態(tài)電阻非常?。壳白钚〉臑?-4 毫歐），在低壓大電流輸出的DC/DC 中已是最關(guān)鍵的器件；

 

包含寄生參數(shù)的功率MOSFET等效電路

 

（1）等效電路

 

 

（2）說(shuō)明

 

實(shí)際的功率MOSFET 可用三個(gè)結(jié)電容，三個(gè)溝道電阻，和一個(gè)內(nèi)部二極管及一個(gè)理想MOSFET 來(lái)等效。三個(gè)結(jié)電容均與結(jié)電壓的大小有關(guān)，而門(mén)極的溝道電阻一般很小，漏極和源極的兩個(gè)溝道電阻之和即為MOSFET 飽和時(shí)的通態(tài)電阻。