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SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前，Vishay 宣布推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V，同時(shí)該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當(dāng)中最低的。
2009-07-31
SiR494DP Vishay MOSFET 分立器件
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SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前，Vishay 宣布推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V，同時(shí)該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當(dāng)中最低的。
2009-07-31
SiR494DP Vishay MOSFET 分立器件
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SiR494DP：Vishay新款第三代12V功率MOSFET
日前，Vishay 宣布推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP，將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V，同時(shí)該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當(dāng)中最低的。
2009-07-31
SiR494DP Vishay MOSFET 分立器件
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德豪潤(rùn)達(dá)擬拓展LED顯示屏領(lǐng)域
7月27日，德豪潤(rùn)達(dá)(002005)召開的第三屆董事會(huì)第十四次會(huì)議審議通過(guò)了《關(guān)于對(duì)控股子公司提供財(cái)務(wù)資助的議案》，公司擬為持股51%的控股子公司廣東健隆光電科技有限公司提供2,100萬(wàn)人民幣的財(cái)務(wù)資助
2009-07-31
LED 顯示屏
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德豪潤(rùn)達(dá)擬拓展LED顯示屏領(lǐng)域
7月27日，德豪潤(rùn)達(dá)(002005)召開的第三屆董事會(huì)第十四次會(huì)議審議通過(guò)了《關(guān)于對(duì)控股子公司提供財(cái)務(wù)資助的議案》，公司擬為持股51%的控股子公司廣東健隆光電科技有限公司提供2,100萬(wàn)人民幣的財(cái)務(wù)資助
2009-07-31
LED 顯示屏
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德豪潤(rùn)達(dá)擬拓展LED顯示屏領(lǐng)域
7月27日，德豪潤(rùn)達(dá)(002005)召開的第三屆董事會(huì)第十四次會(huì)議審議通過(guò)了《關(guān)于對(duì)控股子公司提供財(cái)務(wù)資助的議案》，公司擬為持股51%的控股子公司廣東健隆光電科技有限公司提供2,100萬(wàn)人民幣的財(cái)務(wù)資助
2009-07-31
LED 顯示屏
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NEC電子與瑞薩科技推遲簽署合并協(xié)議
北京時(shí)間7月28日晚間消息，據(jù)國(guó)外媒體周二報(bào)道，NEC電子與瑞薩科技宣布，將雙方簽署合并協(xié)議的時(shí)間推遲至8月底，稱需要更多時(shí)間評(píng)估資產(chǎn)。
2009-07-31
NEC電子 電子
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NEC電子與瑞薩科技推遲簽署合并協(xié)議
北京時(shí)間7月28日晚間消息，據(jù)國(guó)外媒體周二報(bào)道，NEC電子與瑞薩科技宣布，將雙方簽署合并協(xié)議的時(shí)間推遲至8月底，稱需要更多時(shí)間評(píng)估資產(chǎn)。
2009-07-31
NEC電子 電子
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NEC電子與瑞薩科技推遲簽署合并協(xié)議
北京時(shí)間7月28日晚間消息，據(jù)國(guó)外媒體周二報(bào)道，NEC電子與瑞薩科技宣布，將雙方簽署合并協(xié)議的時(shí)間推遲至8月底，稱需要更多時(shí)間評(píng)估資產(chǎn)。
2009-07-31
NEC電子 電子
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