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如何提高示波器的測(cè)量分辨率
在我們?nèi)粘Ｊ褂檬静ㄆ鞯臅r(shí)候，有時(shí)候會(huì)需要進(jìn)行高分辨率測(cè)量，這個(gè)時(shí)候就可以把數(shù)字示波器看作一個(gè)整體系統(tǒng)，充分利用這套系統(tǒng)來(lái)改善測(cè)量結(jié)果，而不僅僅只是將數(shù)字示波器當(dāng)成簡(jiǎn)單的模數(shù)轉(zhuǎn)換器。
2021-08-25
示波器 穩(wěn)壓器
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基于壓電主動(dòng)傳感技術(shù)中功率放大器的應(yīng)用
本實(shí)驗(yàn)將利用壓電陶瓷傳感器，通過(guò)模型試驗(yàn)，對(duì)基于時(shí)間反演技術(shù)的螺栓球節(jié)點(diǎn)連接區(qū)健康狀態(tài)監(jiān)測(cè)方法進(jìn)行驗(yàn)，時(shí)間反演聚焦信號(hào)的峰值只與該信號(hào)在結(jié)構(gòu)上傳遞時(shí)所經(jīng)過(guò)的傳播路徑的傳遞函數(shù)有關(guān)，當(dāng)螺栓球節(jié)點(diǎn)內(nèi)部螺栓發(fā)生損壞或未安裝到位（受損狀態(tài)）時(shí)，相當(dāng)于傳遞函數(shù)發(fā)生改變，聚焦信號(hào)的峰值也...
2021-08-24
功率放大器 壓電主動(dòng)傳感技術(shù)
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如何解決高頻信號(hào)傳輸領(lǐng)域存在的阻抗失配現(xiàn)象
在高頻領(lǐng)域，信號(hào)或電磁波必須沿著具有均勻特征阻抗的傳輸路徑傳播。一旦阻抗失配或不連續(xù)現(xiàn)象，一部分信號(hào)被反射回發(fā)送端，剩余部分電磁波將繼續(xù)被傳輸?shù)浇邮斩恕?/p>
2021-08-24
高頻信號(hào)傳輸 阻抗失配
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微結(jié)構(gòu)不均勻性（負(fù)載效應(yīng)）及其對(duì)器件性能的影響：對(duì)先進(jìn)DRAM工藝中有源區(qū)形狀扭曲的研究
在DRAM結(jié)構(gòu)中，電容存儲(chǔ)單元的充放電過(guò)程直接受晶體管所控制。隨著晶體管尺寸縮小接近物理極限，制造變量和微負(fù)載效應(yīng)正逐漸成為限制DRAM性能（和良率）的主要因素。而對(duì)于先進(jìn)的DRAM，晶體管的有源區(qū) (AA) 尺寸和形狀則是影響良率和性能的重要因素。
2021-08-23
負(fù)載效應(yīng) DRAM
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數(shù)字IC的高級(jí)封裝盤(pán)點(diǎn)與梳理
數(shù)字 IC 的封裝選項(xiàng)（以及相關(guān)的流行詞和首字母縮略詞）繼續(xù)成倍增加。微處理器、現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列 (FPGA) 和專用定制 IC (ASIC) 等高級(jí)數(shù)字 IC 以多種封裝形式提供。
2021-08-23
數(shù)字IC 高級(jí)封裝
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英特爾面向 CPU、GPU 和 IPU發(fā)布了重大技術(shù)架構(gòu)的改變和創(chuàng)新
在 2021 年英特爾架構(gòu)日上，英特爾公司高級(jí)副總裁兼加速計(jì)算系統(tǒng)和圖形事業(yè)部總經(jīng)理 Raja Koduri 攜手多位英特爾架構(gòu)師，全面介紹了兩種全新 x86 內(nèi)核架構(gòu)的詳情；英特爾首個(gè)性能混合架構(gòu)，代號(hào)“Alder Lake”，以及智能的英特爾? 硬件線程調(diào)度器；專為數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)的下一代英特爾? 至強(qiáng)? 可擴(kuò)展處理...
2021-08-22
英特爾 CPU GPU IPU
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開(kāi)關(guān)電源的LLC 拓?fù)?/span>
近來(lái)，LLC拓?fù)湟云涓咝?，高功率密度受到廣大電源設(shè)計(jì)工程師的青睞，但是這種軟開(kāi)關(guān)拓?fù)鋵?duì)MOSFET的要求卻超過(guò)了以往任何一種硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?。特別是在電源啟機(jī)，動(dòng)態(tài)負(fù)載，過(guò)載，短路等情況下。CoolMOS 以其快恢復(fù)體二極管，低Qg 和Coss能夠完全滿足這些需求并大大提升電源系統(tǒng)的可靠性。
2021-08-22
開(kāi)關(guān)電源 LLC 拓?fù)?/p>
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如何理解FIT和MTBF
在我們的日常工作中，經(jīng)常會(huì)碰到器件失效或系統(tǒng)故障，這時(shí)為了清楚界定失效事件的嚴(yán)重性，就需要定量的來(lái)描述具體的失效率，這就需要用專業(yè)的術(shù)語(yǔ)來(lái)溝通，而有的工程師喜歡談FIT，有的工程師喜歡談MTBF，其實(shí)這兩個(gè)概念所描述的主體是不一樣的，因此有必要在此簡(jiǎn)析一下。
2021-08-20
FIT MTBF
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利用SiC FET降低電磁干擾和開(kāi)關(guān)損耗
器件緩沖似乎是處理開(kāi)關(guān)過(guò)沖、振鈴和損耗的一種“野蠻”解決方案，而這對(duì)于諸如IGBT之類較老的技術(shù)來(lái)說(shuō)確實(shí)如此。但是，寬禁帶器件，尤其是SiC FET，可以將該技術(shù)用為柵極電阻調(diào)諧的優(yōu)良替代方案，以提供較低的總損耗。
2021-08-20
SiC FET 電磁干擾 開(kāi)關(guān)損耗
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