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2011年觸控面板市場出貨預(yù)測
根據(jù)市場研究機(jī)構(gòu)DisplaySearch的《2011觸控面板市場出貨及預(yù)測報(bào)告》(2011 Touch Panel Market Analysis Report)，隨著2008年后智能手機(jī)的導(dǎo)入與快速普及，帶動(dòng)全球觸控市場顯著成長，以及投射式電容的比重迅速增加。DisplaySearch估計(jì)2010年全球觸控模塊出貨量達(dá)到7億7千萬片，其中手機(jī)出貨量將近...
2011-10-26
觸控面板 觸摸屏 觸控 投射電容 電阻 手機(jī) 平板電腦
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西鐵城電子開發(fā)出遠(yuǎn)超1萬lm的白色LED，亮度約為原chp的4倍
西鐵城電子開發(fā)出了亮度最大為1萬7675lm的白色LED“CLL-050系列”。每個(gè)白色LED的亮度遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過1萬lm，“系全球首次”（該公司）。亮度最大時(shí)的輸入功率為183.9W，發(fā)光效率高達(dá)96lm/W（外殼溫度為25℃連續(xù)點(diǎn)亮?xí)r）。
2011-10-26
白色LED 發(fā)光面 藍(lán)色LED 亮度
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打造技術(shù)T臺(tái) 電子展成為知名廠商創(chuàng)新秀場
即將在2011年11月9日-11日開展的第78屆中國電子展，匯聚了電子元器件行業(yè)眾多領(lǐng)先的技術(shù)供應(yīng)商，他們都將本次展覽視為展示創(chuàng)新的產(chǎn)品與技術(shù)，塑造自身專業(yè)品牌形象的“秀場”。
2011-10-25
電子展 電子元件 電子元器件
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淺析音頻合成中最常見的基本波形
本文介紹音頻合成中最常見的幾個(gè)基本波形。這些基本波形在模擬聲音合成中，是電壓控制振蕩器(VCO)與低頻振蕩器(LFO)的發(fā)聲依據(jù)。當(dāng)然在數(shù)字音頻合成中，也是最基本的和需要了解的波形。
2011-10-25
音頻 正弦波 三角波 鋸齒波 方波 波形
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臺(tái)灣背光模組借LED與面板廠進(jìn)行垂直整合
據(jù)臺(tái)灣工研院IEKITIS計(jì)劃產(chǎn)業(yè)分析師表示，近來背光模組借由LED與面板廠進(jìn)行垂直整合等議題，成為市場關(guān)注的焦點(diǎn)。
2011-10-25
LED背光 LED 面板 背光模組
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全球半導(dǎo)體景氣繼續(xù)下降
2011年，全球經(jīng)濟(jì)受到歐債危機(jī)的影響，電子產(chǎn)品需求持續(xù)低迷，電子行業(yè)景氣度持續(xù)走低。在疲弱需求下，中低端產(chǎn)品將成為圣誕節(jié)消費(fèi)的主體，給中國終端企業(yè)，以及零組件企業(yè)帶來很好的提升市場份額和開發(fā)優(yōu)質(zhì)客戶的機(jī)會(huì)。2012年一季度或可成為行業(yè)景氣度變化的時(shí)間窗口。
2011-10-25
電子 半導(dǎo)體 電子產(chǎn)品 零組件
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第四季國產(chǎn)智能手機(jī)份額或達(dá)到24%
移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)時(shí)代，智能終端市場商機(jī)無限，全球各大知名廠商間的競爭已經(jīng)趨于白熱化，紛紛以強(qiáng)勢的姿態(tài)搶攻市場。近來，國內(nèi)智能手機(jī)的發(fā)展勢頭也頗為強(qiáng)勁，市場份額得到了較大提升。據(jù)艾媒咨詢?nèi)涨鞍l(fā)布的數(shù)據(jù)顯示，中國智能手機(jī)呈現(xiàn)猛烈增長趨勢，由2010年12.0%的用戶市場占比，增長到2011年第三季度...
2011-10-25
智能手機(jī) 智能終端 手機(jī)
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計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)中雷電的防護(hù)
雷電災(zāi)害是自然界存在的災(zāi)害之一，其在瞬間釋放的強(qiáng)大脈沖電流會(huì)產(chǎn)生巨大的能量，并會(huì)誘發(fā)脈沖過電壓或過電流，從而導(dǎo)致嚴(yán)重后果。因此電力電子系統(tǒng)需要加強(qiáng)對雷電的防護(hù)措施。文中討論了雷電電擊對計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)產(chǎn)生危害的原因，分析了雷電波侵入控制系統(tǒng)的主要途徑，并提出相關(guān)的計(jì)算機(jī)控制系統(tǒng)...
2011-10-24
計(jì)算機(jī) 控制系統(tǒng) 防雷 雷電防護(hù)
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MOSFET柵漏電流噪聲分析
柵漏電流大的MOS器件噪聲特性的研究仍是現(xiàn)今研究中活躍的課題。尤其當(dāng)MOS-FET縮減至直接隧穿尺度(<3 nm)時(shí)，柵漏電流噪聲模型顯得尤為重要，并可為MOSFET可靠性表征和器件設(shè)計(jì)提供依據(jù)。文中基于MOSFET柵氧擊穿效應(yīng)和隧穿效應(yīng)，總結(jié)了柵漏電流噪聲特性，歸納了4種柵漏電流噪聲模型，并對各種模型的...
2011-10-24
MOSFET 柵漏電流 噪聲
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