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安森美智能電源產(chǎn)品斬獲中國“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎”多項殊榮
領先于智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布其創(chuàng)新的智能電源產(chǎn)品在“2022年Top 10電源產(chǎn)品獎”評選中榮獲多項獎項。其中，APM32系列汽車碳化硅功率模塊獲“2022 Top 10電源產(chǎn)品獎”，汽車主驅碳化硅功率模塊VE-Trac? Direct SiC獲“最佳應用獎”，高功率圖騰柱PFC控...
2022-12-13
安森美 智能電源
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如何利用表面貼裝功率器件提高大功率電動汽車電池的充電能力
終端用戶希望新的電動汽車設計能夠最大限度地減少車輛的空閑時間，尤其是在長途駕駛中。電動汽車設計人員需要提高充電器的功率輸出、功率密度和效率，以實現(xiàn)終端用戶期望的快速充電。目前，單個單元充電器的設計范圍是從7千瓦到30千瓦。將單個單元元件組合到模塊化設計中可以增加功率輸出，幫助充電...
2022-12-13
面貼裝功率器件 電動汽車電池
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800V高壓BMS：如何做到系統(tǒng)架構升級，組件成本下降？
各種電池結構都有其固有的優(yōu)缺點。汽車OEM廠商需要分析并確定哪種架構更適合自己的生產(chǎn)模式，同時保持系統(tǒng)價格競爭力。使用兩個獨立的400V電池是解決這一挑戰(zhàn)的創(chuàng)新性解決方案。
2022-12-13
BMS 系統(tǒng)架構 組件成本
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不同功率器件在充電樁三相LLC拓撲中的應用探討
近年來新能源汽車發(fā)展迅速，對充電樁也提出了高功率密度、大功率、高效率等要求?；谌郘LC變換器技術的30千瓦功率模塊單元性能更優(yōu)，可以滿足現(xiàn)有的市場需求?；?0千瓦三相LLC變換器常見的母線電壓等級800V，對于650V和1200V器件存在兩種不同的拓撲方案。文章針對這兩類拓撲進行參數(shù)設計，選取...
2022-12-13
功率器件 充電樁 LLC拓撲
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SiC MOSFET和Si MOSFET寄生電容在高頻電源中的損耗對比
富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術服務，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設計周期。在第三代半導體的實際應用領域，富昌電子結合自身的技術積累和項目經(jīng)驗，落筆于SiC相關設計的系列文章。希望以此給到大家一定的設計參考，并期待與您進一步的交流。
2022-12-13
SiC MOSFET 寄生電容 高頻電源
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英飛凌優(yōu)化DC-DC設計，滿足新一代數(shù)據(jù)中心的性能與能耗需求
可提供優(yōu)質體驗、創(chuàng)造全新商業(yè)模式的AI、5G、物聯(lián)網(wǎng)等新技術，近幾年的落地速度不斷加快。上述新技術背后都需要有性能強大的數(shù)據(jù)中心提供支持，不過伴隨著強大算力與傳輸功能而來的便是高能耗。英飛凌指出，龐大的能源消耗帶來的不只是電費的增加，還有與日俱增的ESG壓力，因此企業(yè)必須在使用高性能...
2022-12-12
英飛凌 DC-DC設計 數(shù)據(jù)中心
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RS瑞森低壓MOS在電動車控制器中的應用
電動車最初是用來替代自行車和摩托車，由于其具有便捷、經(jīng)濟環(huán)保等特點，很快便占據(jù)了龐大市場，并逐漸發(fā)展了電動三輪車、小型電動工程車、電動觀光車等各種類型的電動車。
2022-12-12
RS瑞森 低壓MOS 電動車控制器
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橋式結構中的柵極-源極間電壓的行為：關斷時
具有驅動器源極引腳的SiC MOSFET，與不具有驅動器源極引腳的SiC MOSFET產(chǎn)品相比，在橋式結構情況下的柵-源電壓的行為不同。在上一篇文章中，我們介紹了LS（低邊）SiC MOSFET導通時的行為。本文將介紹低邊SiC MOSFET關斷時的行為。
2022-12-12
柵極-源極 關斷時
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固態(tài)硅芯片數(shù)字化交流電源轉換
消費類應用的電源適配器和充電器通常由變壓器和其他無源元件組成，它們連接到電路板上的有源元件，以將輸入的交流信號轉換為穩(wěn)定的輸出電壓。AmberSemi 是一家位于加利福尼亞州都柏林的無晶圓廠半導體公司，正在研究通過基于固態(tài)硅的解決方案將輸入交流電源的感應、控制和功率轉換數(shù)字化的技術。
2022-12-09
固態(tài)硅芯片 交流電源 數(shù)字化
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