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3G牌照發(fā)放將拉動(dòng)2萬億社會(huì)投資
1月7日，我國三大電信運(yùn)營商分獲三種制式3G牌照。3G啟動(dòng)將拉動(dòng)國內(nèi)需求、促進(jìn)經(jīng)濟(jì)平穩(wěn)較快發(fā)展，并將整個(gè)中國通信產(chǎn)業(yè)帶入一個(gè)新時(shí)代
2009-01-14
3G TD-SCDMA CDMA2000 WCDMA 無線通訊 內(nèi)需
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08年國內(nèi)高純多晶硅產(chǎn)量同比爆增263.7%
國內(nèi)20多個(gè)省市把光伏產(chǎn)業(yè)作重點(diǎn)，規(guī)劃或計(jì)劃建設(shè)多晶硅項(xiàng)目，國內(nèi)對千噸級多晶硅的規(guī)?；a(chǎn)技術(shù)尚未完全掌握，但光伏太陽能下游產(chǎn)能增長快，為國內(nèi)多晶硅企業(yè)提升工藝技術(shù)留下緩沖時(shí)間。
2009-01-14
洛陽中硅 新光硅業(yè) 江蘇中能 東汽峨嵋 多晶硅 光伏產(chǎn)業(yè) 太陽能
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機(jī)電產(chǎn)品出口退稅率上調(diào) 中小企業(yè)受益
2008年12月29日，財(cái)政部、國家稅務(wù)總局宣布從2009年1月1日起，提高部分技術(shù)含量和附加值高的機(jī)電產(chǎn)品出口退稅率。2008年我國已先后3次調(diào)高紡織、服裝、輕工和部分機(jī)電產(chǎn)品的出口退稅率，綜合退稅率上調(diào)1.6個(gè)百分點(diǎn)。此次出口退稅率的上調(diào)無疑給遭遇國際需求疲軟的家電企業(yè)更多支持和信心。但是，專...
2009-01-14
機(jī)電產(chǎn)品 退稅率 金融危機(jī)
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SiA850DJ ：Vishay集成190V功率二極管的MOSFET
日前，Vishay宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的 190V 功率二極管的190V n 通道功率 MOSFET --- SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm 的較小占位面積以及 0.75mm 的超薄厚度。采用 PowerPAK SC-70 封裝的 SiA850DJ 還是在 1.8V VGS 時(shí)具有導(dǎo)通電阻額定值的業(yè)界首款此類器件。
2009-01-09
SiA850DJ MOSFET 二極管 轉(zhuǎn)化器 便攜式設(shè)備
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2009年醫(yī)療保健和無線領(lǐng)域仍將繁榮
ABI Research預(yù)測，明年有兩個(gè)電子市場將繼續(xù)“爆炸性增長”：視頻監(jiān)控與網(wǎng)真(telepresence)。這兩個(gè)領(lǐng)域均在迅速擴(kuò)張，尤其是在互聯(lián)網(wǎng)協(xié)議(IP)領(lǐng)域。網(wǎng)絡(luò)攝像頭與遠(yuǎn)程醫(yī)療診斷設(shè)備市場2009年將繼續(xù)增長。
2009-01-09
醫(yī)療保健 無線領(lǐng)域 Wi-Fi
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政策引導(dǎo)和技術(shù)進(jìn)步推動(dòng)09年中國太陽能電池產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整
賽迪顧問研究認(rèn)為，隨著全球?qū)稍偕?、清潔和安全能源需求的日益提升，薄膜技術(shù)等新技術(shù)的創(chuàng)新和成本的逐步降低，09年中國太陽能電池產(chǎn)業(yè)將會(huì)在產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)上出現(xiàn)局部調(diào)整，新的應(yīng)用也將涌現(xiàn)市場。
2009-01-09
太陽能 產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu) 薄膜技術(shù) 移動(dòng)電源
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Vicor推出分比式功率結(jié)構(gòu)的新式電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu)
懷格公司（Vicor）在一系列獨(dú)有的功率轉(zhuǎn)換技術(shù)的基礎(chǔ)上在推出一種新的電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu),稱作分比式功率結(jié)構(gòu)（Factorized Power Architecture）,簡稱FPA。
2009-01-08
Vicor 電源系統(tǒng)結(jié)構(gòu) V·I 晶片 FPA VIC
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IHLP-2020BZ-11：Vishay超薄大電流電感器
近日，Vishay宣布推出新型IHLP 超薄大電流電感器 --- IHLP-2020BZ-11 。這款小型器件具有 2.0mm 超薄厚度、廣泛的電感范圍和較低的 DCR 。
2009-01-08
IHLP-2020BZ-11 電感 電源 便攜應(yīng)用
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雙向可控硅的設(shè)計(jì)及應(yīng)用分析
本文分析了雙向可控硅的設(shè)計(jì)及參數(shù)選取方法，同時(shí)介紹了雙向可控硅的安裝方法.
2009-01-08
可控硅 電流上升率 導(dǎo)熱硅脂 觸發(fā) 參數(shù) VDRM VRRM 額定電流 VTM 維持電流 電壓上升率 電流上升率 門極觸發(fā)電流
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