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電源管理

SMM4F：意法半導(dǎo)體超小Transil瞬變電壓抑制二極管系列

意法半導(dǎo)體推出SMM4F系列單向Transil瞬變電壓抑制二極管，新系列產(chǎn)品在三個(gè)主要方面提高性能：在小空間內(nèi)提供先進(jìn)的保護(hù)功能、降低泄漏電流實(shí)現(xiàn)低損耗、結(jié)溫最大化以提升可靠性。

2008-05-15

SMM4F 二極管 diode 消費(fèi)電子

STGxL6NC60D：意法半導(dǎo)體新款I(lǐng)GBT系列

意法半導(dǎo)體推出一系列新的IGBT，新系列產(chǎn)品采用高效的壽命控制工藝，有效降低了關(guān)斷期間的能耗。如果設(shè)計(jì)工程師采用ST的全新IGBT,用于工作頻率超過(guò)20kHz的照明鎮(zhèn)流器等節(jié)能型電路內(nèi)，應(yīng)用的整體功率可望提高到一個(gè)新的水平，遠(yuǎn)勝標(biāo)準(zhǔn)技術(shù)的MOSFET。

2008-05-13

STGxL6NC60D 絕緣柵雙極晶體管 IGBT 開(kāi)關(guān)電源

DG系列：Vishay八款高精度儀表應(yīng)用模擬多路復(fù)用器與開(kāi)關(guān)

日前，Vishay推出八款面向高精度儀表應(yīng)用的新型高頻、低電荷注入模擬多路復(fù)用器與開(kāi)關(guān)。這些產(chǎn)品還是同類器件中首批除標(biāo)準(zhǔn) TSSOP 與 SOIC 封裝外還提供采用 1.8mm×2.6mm 無(wú)引線微型 QFN 封裝的器件。

2008-05-12

DG604 DG4052A DG4051A DG4053A DG611A DG612A DG613 DG636 多路復(fù)用器與開(kāi)關(guān)

NBXxxxx：安森美高性能單頻和雙頻晶體振蕩器模塊

安森美半導(dǎo)體擴(kuò)充了高性能時(shí)鐘和數(shù)據(jù)管理產(chǎn)品系列，推出九款基于鎖相環(huán)(PLL)的新PureEdge時(shí)鐘模塊，替代晶體振蕩器(XO)。NBXxxxx系列非常適用于高速網(wǎng)絡(luò)、電信和高端計(jì)算應(yīng)用。

2008-05-07

PLL PureEdge NBXxxxx 通信應(yīng)用振蕩器

STW55NM60ND：意法半導(dǎo)體快速恢復(fù)MOSFET產(chǎn)品

意法半導(dǎo)體推出快速恢復(fù)MOSFET晶體管新產(chǎn)品系列，用于包括再生能源控制器在內(nèi)的以能效為中心的應(yīng)用需求。新產(chǎn)品在現(xiàn)有產(chǎn)品的基礎(chǔ)上提高了開(kāi)關(guān)性能，同時(shí)還使導(dǎo)通電阻實(shí)現(xiàn)超過(guò)18%的降幅。

2008-05-06

STW55NM60ND MOSFET 場(chǎng)效應(yīng)管

MAX4928A/MAX4928B：Maxim新高速無(wú)源開(kāi)關(guān)

Maxim推出超高速、1:2或2:1、DisplayPort/PCI Express (PCIe)無(wú)源開(kāi)關(guān)MAX4928A/MAX4928B。該器件采用n溝道開(kāi)關(guān)，可在圖形存儲(chǔ)控制中心(GMCH)與PCIe 2.0插槽或DisplayPort連接器之間切換差分信號(hào)。

2008-05-01

MAX4928A MAX4928B 無(wú)源開(kāi)關(guān) DisplayPort PCI Express (PCIe)

8STH06FP/8S2TH06FP/15STH06FP/15S2TH06FP：Vishay 四款高頻整流器

日前，Vishay推出四款新型 600V FRED Pt 超高速整流器，這些器件具有超快、超穩(wěn)定的反向恢復(fù)時(shí)間及低正向壓降，可減少高效 PFC 及 SMPS 應(yīng)用中的開(kāi)關(guān)損失。

2008-04-25

8STH06FP 8S2TH06FP 15STH06FP 15S2TH06FP 高頻整流器

南方芯源的系列無(wú)鹵化產(chǎn)品通過(guò)可靠性測(cè)試

2008年4月， Samwin系列產(chǎn)品的無(wú)鹵化產(chǎn)品通過(guò)可靠性測(cè)試，成為國(guó)內(nèi)首家提供全系列無(wú)鹵產(chǎn)品的MOSFET制造商。其中SW C1N70A(TO-92)產(chǎn)品已通過(guò)Apple公司的HF（無(wú)鹵）認(rèn)證，SW I2N70(TO-251)已通過(guò)Samsung 的HF認(rèn)證。

2008-04-22

SW C1N70A(TO-92) 無(wú)鹵 HF SW I2N70(TO-251)

NTUD312x:安森美適合便攜電子產(chǎn)品應(yīng)用超小型MOSFET

安森美半導(dǎo)體推出三款新的采用超小型SOT-963封裝的MOSFET，它們均針對(duì)空間受限的便攜電子產(chǎn)品進(jìn)行了優(yōu)化。SOT-963的尺寸為1.0 mm×1.0 mm，這些采用SOT-963封裝的NTUD312x新器件僅有0.5 mm的低垂直凈距，滿足新世代超薄手持便攜設(shè)備的要求。

2008-04-21

NTUD312x NTUD3127C NTUD3129P MOSFET SOT-963 便攜應(yīng)用