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芯片級封裝有助于便攜式醫(yī)療設備減小尺寸并減輕重量
借助晶圓級芯片級封裝，介入性檢測、醫(yī)學植入體、一次性監(jiān)護儀等便攜式醫(yī)療設備的設計師可以減小尺寸、降低功耗需求。
2020-08-10
芯片級封裝 便攜式 醫(yī)療設備 減小尺寸
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門極驅(qū)動器方案–––即插即用快速評估和測試
電力電子在當今世界無處不在：半導體的隱藏功能，可實現(xiàn)廣泛應用，從家電和消費品到數(shù)據(jù)處理和無線網(wǎng)絡，再到日趨電子化的汽車。電力電子系統(tǒng)以極高能效在交流和直流形式之間以及直流電壓之間轉(zhuǎn)換電力，從而使更多的電能流向最終應用。電源轉(zhuǎn)換的主要動力是開關(guān)：功率MOSFET、IGBT、寬禁帶(WBG)半導...
2020-08-10
門極驅(qū)動器 方案 功率MOSFET IGBT
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電動汽車空調(diào)的一項關(guān)鍵技術(shù)——IGBT
ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101標準、且具有1200V 和650V寬耐壓范圍的IGBT產(chǎn)品。該系列具有更低的傳導損耗，有助于提高應用產(chǎn)品的效率并實現(xiàn)小型化，是電動壓縮機的逆變器和高壓加熱器的更佳選擇。
2020-08-10
電動汽車 空調(diào) 關(guān)鍵技術(shù) IGBT
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SiC MOSFET應用技術(shù)在雪崩條件下的魯棒性評估
本文將探討如何在雪崩工作條件下評估SiC MOSFET的魯棒性。MOSFET功率變換器，特別是電動汽車驅(qū)動電機功率變換器，需要能夠耐受一定的工作條件。如果器件在續(xù)流導通期間出現(xiàn)失效或柵極驅(qū)動命令信號錯誤，就會致使變換器功率開關(guān)管在雪崩條件下工作。因此，本文通過模擬雪崩事件，進行非鉗位感性負載...
2020-08-10
SiC MOSFET 應用技術(shù) 雪崩 魯棒性
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探索電源創(chuàng)新，貿(mào)澤與你大咖說首期直播即將上線
2020年8月7日－專注于引入新品推動行業(yè)創(chuàng)新的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子(Mouser Electronics)宣布即將推出“貿(mào)澤與你大咖說”系列直播欄目。此檔節(jié)目將聚焦最新產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，每一期特邀來自行業(yè)技術(shù)大咖與知名原廠專家以圓桌探討的形式在線解讀行業(yè)應用趨勢與創(chuàng)新解決方案。首期直播將于8月15日周六的...
2020-08-07
電源創(chuàng)新 貿(mào)澤 直播
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緊抓需求，強勢突圍！第21屆中國國際機電產(chǎn)品博覽會將于11月在武漢啟幕！
作為國務院批準的國家三大機電展之一，第21屆中國國際機電產(chǎn)品博覽會（簡稱：機博會）將于2020年11月17-20日在武漢國際博覽中心盛大開幕，參觀預登記入口現(xiàn)已開啟！
2020-08-07
機電產(chǎn)品 工業(yè)自動化
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一文掌握 GaN 器件的直接驅(qū)動配置！
在設計開關(guān)模式電源時，主要品質(zhì)因數(shù)（FOM）包括成本、尺寸和效率。[1]這三個FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關(guān)頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關(guān)損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復，因此與MOSFET和IGBT相比，GaN HEMT具有顯著...
2020-08-07
GaN器件 開關(guān)模式 降低損耗
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功能豐富的系統(tǒng)需要采用靈活、可配置的20V大電流PMIC
隨著技術(shù)不斷進步，所有電子系統(tǒng)中包含的功能內(nèi)容數(shù)量不斷增多，可用空間卻在不斷減少。手機有觸摸屏、手電筒、省電模式和精巧的攝像頭。以前汽車儀表盤上只有基本的AM收音機和少量簡易的儀表，現(xiàn)在卻裝滿了精密的儀器儀表、衛(wèi)星收音機、藍牙?、GPS和其他基于手機的網(wǎng)絡連接、多彩車燈以及無數(shù)的USB...
2020-08-07
系統(tǒng) 靈活 大電流PMIC
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阻礙電源設計成功的因素有哪些？
PCB設計能“一次成功”已成為電子行業(yè)最強烈的訴求。以電源產(chǎn)品為例，PCB設計會直接影響電源的EMC性能、輸出噪聲、抗干擾能力，甚至是基本功能。更為重要的是，PCB設計成功與否直接影響著產(chǎn)品的上市時間。
2020-08-06
電源設計
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