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設(shè)計(jì)難題的思路探討
對(duì)于EMI/EMC、低噪聲設(shè)計(jì)、RF電路、信號(hào)處理、電源管理等實(shí)際上是相互關(guān)聯(lián)的,電路匹配和PCB布局布線是解決這些問(wèn)題的關(guān)鍵一步,與理論基礎(chǔ)和經(jīng)驗(yàn)積累分不開(kāi)。當(dāng)然,“老大難”還常常意味著更多研發(fā)成本和投入,因此我們需要一些新思路和新方法,必要時(shí)可以借助外部資源和力量,這樣才能在有限研發(fā)預(yù)...
2010-01-04
EMI/EMC 低噪聲設(shè)計(jì) RF電路 信號(hào)處理 電源管理
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直流電源線噪聲抑制方法比較分析
本文是關(guān)于便攜式電子設(shè)備DC電源線使用片式模扼流圈的一些討論,當(dāng)然此EMI濾波器同樣適用于其它的DC電源類的電子設(shè)備和DC/DC轉(zhuǎn)換器或電池充電器。另外,村田BNX方塊形系列EMI濾波器配置有電容器、磁珠、穿心電容器,非常適合更強(qiáng)勁的電源線濾波。
2010-01-04
直流電源 噪聲抑制 EMI靜噪濾波器
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PD03~PD05:Powerpax推出PCB安裝的微型3W和5WAC/DC電源
PD03~PD05系列是高效綠色電源模塊,采用超緊湊格式,具有廣泛使用的寬范圍85-264vac輸入。這些器件提供一個(gè)高可靠解決方案,具有非常高功率密度的標(biāo)準(zhǔn)3年保修期,以及緊湊占位面積。
2010-01-04
PD03~PD05 Powerpax PCB AC/DC電源
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太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)利空不斷 設(shè)備廠看2010年需求
盡管近期太陽(yáng)能設(shè)備市場(chǎng)開(kāi)始出現(xiàn)零星訂單,然而在太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)近期諸多利空罩頂,加上政府再生能源補(bǔ)助仍不讓業(yè)界滿意,使得設(shè)備業(yè)者對(duì)于市場(chǎng)需求仍持保留看法。臺(tái)系業(yè)者指出,盡管太陽(yáng)能廠已開(kāi)始啟動(dòng)擴(kuò)廠腳步,然實(shí)際下單設(shè)備狀況并不熱絡(luò),目前看來(lái)2010年太陽(yáng)能設(shè)備需求仍不明朗。
2010-01-04
臺(tái)積電 太陽(yáng)能設(shè)備 晶圓 利空
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Vishay Siliconix推出業(yè)界最小的60V 功率MOSFET
SiM400是迄今為止最小的60V功率MOSFET,其SOT-923封裝的尺寸為1mm x 0.6mm,最大厚度僅有0.43mm。器件的占位尺寸比SC-89小77%,厚度則薄了26%……
2010-01-04
Vishay MOSFET SiM400
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馬達(dá)過(guò)熱保護(hù)
馬達(dá)驅(qū)動(dòng)的電器在使用中可能出現(xiàn)的危險(xiǎn)有電擊危險(xiǎn),起火危險(xiǎn)與過(guò)熱危險(xiǎn)。本文就過(guò)熱危險(xiǎn)討論一下馬達(dá)的過(guò)熱保護(hù)。
2009-12-31
CSA 安全認(rèn)證 馬達(dá) 保護(hù)過(guò)熱 堵轉(zhuǎn)測(cè)試
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“技術(shù)+誠(chéng)信”鑄就深圳市拓鋒半導(dǎo)體成功之路
林有親訪談。林老保持了老一代科學(xué)家樸素的作風(fēng),雖然身家上千萬(wàn),可他的衣著卻并不侈華。他是一位富有智慧且有趣的老人家。在半導(dǎo)體器件物理和集成電路制造,電路設(shè)計(jì)工程三十多年來(lái),有較深的理論和實(shí)踐經(jīng)驗(yàn),退休后,在深圳創(chuàng)辦拓鋒半導(dǎo)體公司,具有半導(dǎo)體技術(shù)和信息優(yōu)勢(shì)。
2009-12-30
林有親 半導(dǎo)體 技術(shù) 集成電路
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韓國(guó)研制成功高性能太陽(yáng)能電池
航過(guò)電子通信研究院科學(xué)家研發(fā)的這種薄板電池為燃料感應(yīng)太陽(yáng)能電池,外形就像一張紙,有A4紙一半那么大。這種電池每平方厘米面積可產(chǎn)生4.8毫瓦電力,這是迄今發(fā)電能力最高的燃料感應(yīng)太陽(yáng)能電池。
2009-12-30
韓國(guó) 研制 高性能 太陽(yáng)能電池
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Qspeed推出具有低QRR的硅二極管整流器H系列
H系列的硅二極管整流器主要面向電源制造商和高性能系統(tǒng)。600V PFC整流器在25°C具有5.9~9.8 nC的反向恢復(fù)電荷(QRR),在125°C為14.9~30.5 nC,從而降低了EMI和有助于消除或縮小其它元件。
2009-12-30
Qspeed QRR 硅二極管 整流器
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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