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魚(yú)與熊掌皆可得？當(dāng)SiC MOSFET遇上2L-SRC
事物皆有兩面：SiC MOSFET以更快的開(kāi)關(guān)速度，相比IGBT可明顯降低器件開(kāi)關(guān)損耗，提升系統(tǒng)效率和功率密度；但是高速的開(kāi)關(guān)切換，也產(chǎn)生了更大的dv/dt和di/dt，對(duì)一些電機(jī)控制領(lǐng)域的電機(jī)絕緣和EMI設(shè)計(jì)都帶來(lái)了額外的挑戰(zhàn)。
2022-06-07
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IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀
IGBT作為一種功率開(kāi)關(guān)，從門(mén)級(jí)信號(hào)到器件開(kāi)關(guān)過(guò)程需要一定反應(yīng)時(shí)間，就像生活中開(kāi)關(guān)門(mén)太快容易擠壓手一樣，過(guò)短的開(kāi)通脈沖可能會(huì)引起過(guò)高的電壓尖峰或者高頻震蕩問(wèn)題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，時(shí)常會(huì)無(wú)奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開(kāi)關(guān)續(xù)流時(shí)反向恢復(fù)特性也會(huì)變快。
2022-06-03
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如何計(jì)算驅(qū)動(dòng)芯片的desat保護(hù)時(shí)間
SiC MOSFET短路時(shí)間相比IGBT短很多，英飛凌CoolSiC? MOSFET單管保證3us的短路時(shí)間，Easy模塊保證2us的短路時(shí)間，因此要求驅(qū)動(dòng)電路和的短路響應(yīng)迅速而精確。今天，我們來(lái)具體看一下這個(gè)短而精的程度。
2022-06-02
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汽車(chē)級(jí)IGBT/SiC模塊驅(qū)動(dòng)器應(yīng)該怎么用？首款唯一車(chē)硅認(rèn)證柵極驅(qū)動(dòng)板簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)
就在德國(guó)紐倫堡PCIM Europe展會(huì)的最后一天，Power Integrations（PI）在線上舉辦新品溝通會(huì)，PI資深技術(shù)培訓(xùn)經(jīng)理Jason Yan講解了一個(gè)汽車(chē)級(jí)IGBT/SiC（碳化硅）模塊驅(qū)動(dòng)器系列產(chǎn)品——適用于Infineon EconoDUALTM模塊的SCALETM EV系列柵極驅(qū)動(dòng)板。
2022-06-02
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Tvj - IGBT元宇宙中的結(jié)溫
在IGBT應(yīng)用中，結(jié)溫是經(jīng)常使用的一個(gè)參數(shù)，大部分讀者應(yīng)該都很熟悉這個(gè)概念，但是這和元宇宙有什么關(guān)系呢？
2022-05-25
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IGBT門(mén)極驅(qū)動(dòng)到底要不要負(fù)壓
先說(shuō)結(jié)論，如果條件允許還是很建議使用負(fù)壓作為IGBT關(guān)斷的。但是從成本和設(shè)計(jì)的復(fù)雜度來(lái)說(shuō)，很多工程師客戶希望不要使用負(fù)壓。下面我們從門(mén)極寄生導(dǎo)通現(xiàn)象來(lái)看這個(gè)問(wèn)題。
2022-05-23
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挑選一款合適的汽車(chē)級(jí)IGBT模塊： 解讀國(guó)內(nèi)首部車(chē)用IGBT標(biāo)準(zhǔn)
隨著新能源汽車(chē)行業(yè)的蓬勃發(fā)展，越來(lái)越多的IGBT產(chǎn)品應(yīng)運(yùn)而生。汽車(chē)零部件時(shí)常暴露在惡劣的氣候條件下，因此必須保證汽車(chē)級(jí)產(chǎn)品在高溫、高濕、高壓條件下可靠運(yùn)行。如何選擇合適的汽車(chē)級(jí)半導(dǎo)體器件，對(duì)于Tier1和OEM的產(chǎn)品可靠性及其成本至關(guān)重要。本文將從汽車(chē)行業(yè)的IGBT模塊環(huán)境試驗(yàn)的要求出發(fā)，介紹汽車(chē)級(jí)功率半導(dǎo)體器件IGBT模塊需要滿足的條件。
2022-05-09
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東芝低功耗IGBT持續(xù)助力家電市場(chǎng)
IGBT因其優(yōu)異的電氣屬性和性?xún)r(jià)比在業(yè)界被廣泛應(yīng)用，特別是在工業(yè)控制領(lǐng)域幾乎隨處可見(jiàn)IGBT的身影。作為功率半導(dǎo)體的家族分支，不僅融合了BJT和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，還進(jìn)一步提升了控制速度和精度，同時(shí)具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。而今天要給大家介紹的是由東芝半導(dǎo)體新研發(fā)的具備低功耗節(jié)能屬性的IGBT器件——GT30N135SRA，其有助于家電產(chǎn)品能耗進(jìn)一步降低。
2022-04-30
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IGBT驅(qū)動(dòng)電流行為綜述
】IGBT是一種電壓驅(qū)動(dòng)的電子開(kāi)關(guān)，正常情況下只要給15V電壓就可以飽和導(dǎo)通，實(shí)際器件的驅(qū)動(dòng)是給柵極端口電容充放電，還是需要電流的。IGBT驅(qū)動(dòng)電流峰值電流取決于柵極總電阻，電流取決于柵極電荷，但我們一般講的是峰值電流。
2022-04-30
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多功能預(yù)驅(qū)動(dòng)器，為中高電流驅(qū)動(dòng)器提供全方位保護(hù)
關(guān)于IGBT／MOSFET預(yù)驅(qū)動(dòng)器，相信做電機(jī)驅(qū)動(dòng)或者大功率設(shè)備驅(qū)動(dòng)的工程師都會(huì)有所了解，所謂預(yù)驅(qū)動(dòng)器，其實(shí)就是將微控制器與IGBT／MOSFET隔離開(kāi)來(lái)，為負(fù)載及驅(qū)動(dòng)器提供保護(hù)，并為微控制器（MCU）提供診斷信息。這種預(yù)驅(qū)動(dòng)器一般會(huì)使用運(yùn)放，MOS或者三極管等搭建，在實(shí)現(xiàn)保護(hù)驅(qū)動(dòng)器和微控制器的前提之下，還實(shí)現(xiàn)了將MOSFET的漏極-源極電壓（VDS）與基準(zhǔn)電壓做比較，實(shí)現(xiàn)狀態(tài)診斷；那么大家知道光耦其實(shí)還可以做IGBT／MOSFET的預(yù)驅(qū)動(dòng)器么？東芝針對(duì)IGBT／MOSFET產(chǎn)品以及光耦應(yīng)用技術(shù)深耕多年，這款針對(duì)中高電流IGBT／MOSFET的預(yù)驅(qū)動(dòng)器——TLP5231，就是東芝半導(dǎo)體系列產(chǎn)品線的補(bǔ)充和完善。
2022-04-27
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如何正確理解功率循環(huán)曲線
近年來(lái)IGBT的可靠性問(wèn)題一直受到行業(yè)的廣泛關(guān)注，特別是風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。IGBT的可靠性通常用以芯片結(jié)溫變化為衡量目標(biāo)的功率循環(huán)曲線和基板溫度變化為衡量目標(biāo)的溫度循環(huán)曲線來(lái)評(píng)估。引起IGBT可靠性問(wèn)題的原因主要是IGBT是由多種膨脹系數(shù)不同的材料焊接在一起，工作過(guò)程中溫度的變化會(huì)引起結(jié)合點(diǎn)的老化，以及綁定線在工作過(guò)程中熱脹冷縮；另外綁定線的成分，綁定工具的形狀、綁定參數(shù)以及芯片的金屬化焊接等因素都會(huì)影響IGBT的可靠性。
2022-04-20
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圖騰柱無(wú)橋PFC中混合碳化硅分立器件的應(yīng)用
現(xiàn)代尖端電力電子設(shè)備性能升級(jí)需要提升系統(tǒng)功率密度、使用更高的主開(kāi)關(guān)頻率。而現(xiàn)有硅基IGBT配合硅基FRD性能已無(wú)法完全滿足要求，需要高性能與性?xún)r(jià)比兼具的主開(kāi)關(guān)器件。為此，基本半導(dǎo)體推出的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場(chǎng)截止IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管技術(shù)相結(jié)合，為硬開(kāi)關(guān)拓?fù)浯蛟炝艘粋€(gè)兼顧品質(zhì)和性?xún)r(jià)比的完美方案。
2022-04-01
- 國(guó)產(chǎn)芯片與系統(tǒng)深度融合！兆易創(chuàng)新聯(lián)袂普華軟件破局汽車(chē)電子
- 揭秘未來(lái)勞動(dòng)力：貿(mào)澤與Molex新電子書(shū)解析機(jī)器人技術(shù)變革
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