-
日本開發(fā)出無需電解電容器的LED照明電源
村田制作所在從2010年7月21日開幕的“TECHNO FRONTIER 2010(電源系統(tǒng)展)”上，展示了用于LED照明的數(shù)字電源電路。
2010-07-28
-
6A DC/DC μModule穩(wěn)壓器
凌力爾特公司 (Linear Technology CorporaTIon) 推出 6A DC/DC 微型模塊 (uModule) 穩(wěn)壓器 LTM4618
2010-07-28
-
晶圓代工競逐高階制程 半導體設備大廠受惠
晶圓代工搶攻高階制程市占率，積極擴充產(chǎn)能，臺積電、聯(lián)電、全球晶圓(Global Foundries)與三星電子(Samsung Electronics)皆大手筆添購設備，帶動半導體設備業(yè)再現(xiàn)產(chǎn)業(yè)循環(huán)高峰，包括應用材料(Applied Materials)、艾斯摩爾(ASML)等接單暢旺，不僅走出2009年金融海嘯虧損陰霾，2010年營收亦可望創(chuàng)佳績。
2010-07-28
-
MIMO技術在3G中的設計應用
人們對移動通信空口帶寬的需求不斷增加，為此，LTE選擇了MIMO等技術以實現(xiàn)高帶寬的目標。本文介紹了MIMO技術在3G中的設計應用
2010-07-27
-
全球智能手機第二季出貨同比增43%達6000萬部
市場調(diào)研公司Strategy Analytics日前發(fā)表最新研究報告稱，今年第二季度全球智能手機出貨量同比增長了43%，達6000萬部，運營商提高購機補貼、頂級廠商之間的競爭以及低成本智能手機的推廣普及推動了全球智能手機市場的快速發(fā)展
2010-07-27
-
Vishay推出新款PIN光敏二極管和NPN平面光敏三極管
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布， 推出通過AEC-Q101認證的新款VEMD25x0X01高速硅PIN光敏二極管和VEMT25x0X01 NPN平面光敏三極管，擴充其光電子產(chǎn)品組合。
2010-07-26
-
Avago Technologies強調(diào)新隔離柵驅(qū)動中的IGBT保護
Avago Technologies，今日宣布推出2.5A最大輸出驅(qū)動ACPL-H342和ACPL-K342光隔離IGBT柵驅(qū)動，該產(chǎn)品帶有嵌入式米勒箝位、軌至軌輸出電壓、欠壓鎖存(UVLO)電路和保護免受IGBT跨導和電流“直通”的影響，以便保證電源逆變器和電機控制應用程序安全有效。
2010-07-26
-
Vishay推出使用壽命長達10000小時的新系列牛角式功率鋁電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出新系列4接線端、牛角式功率鋁電容器 --- 095 PLL-4TSI。電容器具有17種大尺寸外形，電壓等級從350V至450V，在85℃下的使用壽命長達10,000小時。
2010-07-26
-
IR 推出SOT-23功率MOSFET產(chǎn)品系列
全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出全新HEXFET?功率MOSFET系列。
2010-07-23
-
Vishay推出業(yè)界首類具有75V電壓等級的固鉭貼片電容器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出業(yè)界首類具有高達75V的工業(yè)電壓等級的固鉭貼片電阻器 --- T97和597D，增強了該公司TANTAMOUNT? 高可靠性電容器的性能，擴大其在高壓固鉭貼片電容器領域的領先地位。
2010-07-23
-
DALI電子鎮(zhèn)流器的調(diào)光
本文主要介紹了采用DALI（Digitally addressable lighting interface）調(diào)光控制協(xié)議的可調(diào)光電子鎮(zhèn)流器的DALI控制軟件特點與使用。該軟件具有針對單個電子鎮(zhèn)流器、成組電子鎮(zhèn)流器和廣播式對所有聯(lián)網(wǎng)電子鎮(zhèn)流器調(diào)光控制的功能，可以對每個電子鎮(zhèn)流器的工作狀態(tài)實現(xiàn)準確控制和監(jiān)控，具有使用效果好、方便的優(yōu)點。
2010-07-22
-
Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅(qū)動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。
2010-07-20
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術驅(qū)動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達強強聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
- 貿(mào)澤電子自動化資源中心上線：工程師必備技術寶庫
- 隔離變壓器全球競爭圖譜：從安全隔離到能源革命的智能屏障
- 芯海科技盧國建：用“芯片+AI+數(shù)據(jù)”重新定義健康管理
- SiC賦能工業(yè)充電器：拓撲結(jié)構優(yōu)化與元器件選型實戰(zhàn)指南
- 安森美推動無人機視覺升級：AI技術讓“天空之眼”更精準
- 塔克熱系統(tǒng)攜最新主動制冷技術亮相中國光博會，賦能光電高性能應用
- DigiKey啟動“返校季創(chuàng)新賦能計劃”，6名大學生獲產(chǎn)品支持
- 華邦電子重新定義AI內(nèi)存：為新一代運算打造高帶寬、低延遲解決方案
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動避撞技術展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
