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滿足嚴(yán)格效率和性能規(guī)格且尺寸要小的電源，需要搭配什么樣的控制器？
高性能通信、服務(wù)器和計(jì)算系統(tǒng)中的ASIC、FPGA和處理器需要使用能直接從12 V或中間總線生成1.0 V（或更低）電壓的核心電源——最大負(fù)載電流有時(shí)候可能高于200 A。這些電源必須滿足嚴(yán)格的效率和性能規(guī)格，且通常具備相對(duì)較小的PCB尺寸。LTC7852/LTC7852-1 6相雙輸出降壓控制器為這些電源提供高性能的靈活解決方案。
2023-02-06
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貿(mào)澤與Littelfuse聯(lián)手推出全新內(nèi)容專題 為工業(yè)安全提供關(guān)鍵資源
2023年2月3日 – 專注于引入新品的全球半導(dǎo)體和電子元器件授權(quán)分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 宣布與Littelfuse合作推出新的內(nèi)容專題, 提供一系列關(guān)于弧閃和觸電保護(hù)的信息資源。這個(gè)全新內(nèi)容專題包括一系列文章、白皮書(shū)、傳單、案例研究、視頻和網(wǎng)絡(luò)廣播，為設(shè)計(jì)人員和制造商提供防止受傷和觸電所需的知識(shí)。
2023-02-03
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碳化硅如何革新電氣化趨勢(shì)
在相當(dāng)長(zhǎng)的一段時(shí)間內(nèi)，硅一直是世界各地電力電子轉(zhuǎn)換器所用器件的首選半導(dǎo)體材料，但 1891 年碳化硅 (SiC) 的出現(xiàn)帶來(lái)了一種替代材料，它能減輕對(duì)硅的依賴。SiC 是寬禁帶 (WBG) 半導(dǎo)體：將電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量更高，并且這種寬禁帶具備優(yōu)于標(biāo)準(zhǔn)硅基器件的多種優(yōu)勢(shì)。
2023-02-03
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貿(mào)澤電子分銷豐富多樣的Samtec產(chǎn)品系列
提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 是Samtec解決方案的全球授權(quán)分銷商，Samtec是電子互連解決方案的知名供應(yīng)商。貿(mào)澤庫(kù)存有超過(guò)25,000個(gè)Samtec產(chǎn)品系列（超過(guò)400,000種開(kāi)放訂購(gòu)），并且持續(xù)上新，不斷加入新的Samtec解決方案和產(chǎn)品。
2023-02-01
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貿(mào)澤電子2022年新增超55家供應(yīng)商 進(jìn)一步擴(kuò)大產(chǎn)品分銷陣容
2023年1月30日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 于2022年新增59家供應(yīng)商，產(chǎn)品分銷陣容進(jìn)一步擴(kuò)大，為廣大設(shè)計(jì)工程師與采購(gòu)人員提供了更加多元化的選擇。貿(mào)澤為客戶提供各類先進(jìn)的技術(shù)，以幫助設(shè)計(jì)人員避免代價(jià)高昂的重新設(shè)計(jì)、生產(chǎn)延誤甚至項(xiàng)目終止。
2023-02-01
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安森美與大眾汽車就下一代電動(dòng)汽車的SiC技術(shù)達(dá)成戰(zhàn)略協(xié)議
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)宣布與德國(guó)大眾汽車集團(tuán) (VW)簽署戰(zhàn)略協(xié)議，為大眾汽車集團(tuán)的下一代平臺(tái)系列提供模塊和半導(dǎo)體器件，以實(shí)現(xiàn)完整的電動(dòng)汽車 (EV) 主驅(qū)逆變器解決方案。安森美所提供的半導(dǎo)體將作為整體系統(tǒng)優(yōu)化的一部分，形成能夠支持大眾車型前軸和后軸主驅(qū)逆變器的解決方案。
2023-02-01
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還在為低電壓上電時(shí)的毛刺苦惱？這顆IC能搞定
有經(jīng)驗(yàn)的工程師都知道，系統(tǒng)最危險(xiǎn)的時(shí)刻之一是通電的時(shí)候。根據(jù)時(shí)間常數(shù)以及電源軌達(dá)到標(biāo)稱值的順利程度和速度，不同的 IC 和系統(tǒng)零件可能會(huì)開(kāi)啟、鎖定或以不正確的模式開(kāi)啟，因?yàn)檫@些器件試圖相互配合工作。面臨的更大挑戰(zhàn)是，上電時(shí)與時(shí)序和壓擺率相關(guān)的 IC 性能可能是溫度、相關(guān)電容器、機(jī)械應(yīng)力、老化和其他因素的函數(shù)。
2023-02-01
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通過(guò)轉(zhuǎn)移到SiC技術(shù)來(lái)獲得暖通空調(diào)更佳的SEER等級(jí)
由于能源價(jià)格在過(guò)去12個(gè)月中大幅攀升，無(wú)論是企業(yè)還是消費(fèi)者都開(kāi)始感到巨大壓力。在歐洲，2020年至 2021[1]期間，天然氣價(jià)格上漲了47%。以德國(guó)為例，六分之一的發(fā)電量依賴天然氣。而在美國(guó)，五分之二的電力來(lái)自于天然氣發(fā)電。在歐盟[2] ，各種空間和工業(yè)供暖消耗了約75%的能源，而制冷需求則占美國(guó)總電能消耗的10%[3]，因此，對(duì)更高效熱泵和空調(diào)解決方案的需求日益受到關(guān)注。
2023-01-31
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通過(guò)柵極驅(qū)動(dòng)器提高開(kāi)關(guān)電源功率密度
像許多電子領(lǐng)域一樣，進(jìn)步持續(xù)發(fā)生。目前，在 3.3kW 開(kāi)關(guān)電源 (SMPS)中，產(chǎn)品效率高達(dá) 98%，1U結(jié)構(gòu)尺寸，其功率密度可達(dá) 100 W/in3。這之所以可以實(shí)現(xiàn)是因?yàn)槲覀冊(cè)?圖騰柱 PFC 級(jí)中明智地選擇了超結(jié) (SJ) 功率 MOSFET（例如CoolMOS?），碳化硅 (SiC) MOSFET（例如 CoolSiC?），而且還采用了氮化鎵 (GaN) 功率開(kāi)關(guān)（例如 CoolGaN?）用于400V LLC 應(yīng)用。PFC 和 LLC 數(shù)字控制器是必不可少，正如采用平面磁性器件和先進(jìn)的柵極驅(qū)動(dòng)器 IC（如EiceDRIVER?）在實(shí)現(xiàn)高性能方面發(fā)揮著重要作用。
2023-01-29
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優(yōu)化汽車應(yīng)用的駕駛循環(huán)仿真
碳化硅（SiC）已經(jīng)改變了許多行業(yè)的電力傳輸，尤其是電動(dòng)汽車（EV）充電和車載功率轉(zhuǎn)換部分。由于 SiC 具備卓越的熱特性、低損耗和高功率密度，因此相對(duì) Si 與 IGBT 等更傳統(tǒng)的技術(shù)，具有更高的效率和可靠性。要想獲得最大的系統(tǒng)效率并且準(zhǔn)確的預(yù)測(cè)性能，必須仿真這些由 SiC 組成的拓?fù)?、系統(tǒng)和應(yīng)用。
2023-01-28
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簡(jiǎn)化隔離式軟件可配置I/O通道設(shè)計(jì)的高集成度、系統(tǒng)級(jí)方法
本文介紹一種軟件可配置輸入/輸出(I/O)器件及其專用隔離電源和數(shù)據(jù)解決方案，該解決方案有助于應(yīng)對(duì)系統(tǒng)級(jí)工業(yè)應(yīng)用的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。本文闡述了在設(shè)計(jì)單個(gè)IC時(shí)從系統(tǒng)級(jí)角度進(jìn)行思考的優(yōu)勢(shì)，并重點(diǎn)討論了建議解決方案的功耗優(yōu)化功能。
2023-01-27
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SiC MOSFET真的有必要使用溝槽柵嗎？
眾所周知，“挖坑”是英飛凌的祖?zhèn)魇炙?。在硅基產(chǎn)品時(shí)代，英飛凌的溝槽型IGBT（例如TRENCHSTOP系列）和溝槽型的MOSFET就獨(dú)步天下。在碳化硅的時(shí)代，市面上大部分的SiC MOSFET都是平面型元胞，而英飛凌依然延續(xù)了溝槽路線。難道英飛凌除了“挖坑”，就不會(huì)干別的了嗎？非也。因?yàn)镾iC材料獨(dú)有的特性，SiC MOSFET選擇溝槽結(jié)構(gòu)，和IGBT是完全不同的思路。咱們一起來(lái)捋一捋。
2023-01-27
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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