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高集成度功率電路的熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
目前隨著科學(xué)技術(shù)和制造工藝的不斷發(fā)展進(jìn)步,半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展日新月異。對(duì)于功率半導(dǎo)體器件而言,其制造工藝也同樣是從平面工藝演變到溝槽工藝,功率密度越來(lái)越高。目前功率半導(dǎo)體器件不僅是單一的開(kāi)關(guān)型器件如IGBT或MOSFET器件類型,也增加了如智能功率模塊IPM等混合型功率器件類型。在IPM模塊中既集成有功率器件,還集成了驅(qū)動(dòng)器和控制電路IC,這樣的功率半導(dǎo)體器件具有更高的集成度。這種混合集成型的功率半導(dǎo)體器件其封裝結(jié)構(gòu)和傳統(tǒng)的單一功率半導(dǎo)體器件有一定的區(qū)別,因此其散熱設(shè)計(jì)和熱傳播方式也有別于傳統(tǒng)的功率半導(dǎo)體器件,會(huì)給使用者帶來(lái)更大的熱設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)。
2022-10-28
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上海貝嶺為USB-PD應(yīng)用提供高性能驅(qū)動(dòng)IC和MOSFET解決方案
智能化便攜式電子設(shè)備諸如智能手機(jī)、筆記本電腦、平板電腦等的不斷更新?lián)Q代,功能越來(lái)越豐富,隨之帶來(lái)了耗電量急劇上升的挑戰(zhàn)。然而,在現(xiàn)有電池能量密度還未取得突破性進(jìn)展的背景下,人們開(kāi)始探索更快的電量補(bǔ)給,以高效充電來(lái)壓縮充電時(shí)間,降低充電的時(shí)間成本,從而換取設(shè)備的便攜性,提升用戶體驗(yàn)。
2022-10-28
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無(wú)需電流采樣電阻的智能電機(jī)驅(qū)動(dòng)IC,不來(lái)了解一下么?
第二次工業(yè)革命,將人們從農(nóng)業(yè)時(shí)代推送到了電氣時(shí)代,在人們不斷發(fā)明創(chuàng)造的今天,已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了很多產(chǎn)品的自動(dòng)化,這些都是離不開(kāi)電機(jī)的。電機(jī)其實(shí)也是分好多種。比如,直流電機(jī)、交流電機(jī)、有刷電機(jī)、無(wú)刷電機(jī)和步進(jìn)電機(jī)等等,這些電機(jī)在我們的生活中隨處可見(jiàn)。
2022-10-27
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防反保護(hù)電路的設(shè)計(jì)(下篇)
本系列的上、下兩篇文章探討了防反保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。 上篇 介紹了各種脈沖干擾以及在汽車電子產(chǎn)品中設(shè)計(jì)防反保護(hù)電路的必要性,同時(shí)回顧了 PMOS 方案保護(hù)電路的特性;本文為下篇,將討論使用 NMOS 和升降壓驅(qū)動(dòng) IC 實(shí)現(xiàn)的防反保護(hù)電路。
2022-10-27
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第一部分——IC制造生命周期關(guān)鍵階段之安全性入門
本文包括兩部分,我們主要探討芯片供應(yīng)商和OEM之間的相互關(guān)系,以及他們?yōu)楹伪仨殧y手合作以完成各個(gè)制造階段的漏洞保護(hù)。第一部分指出了IC制造生命周期每個(gè)階段中存在的威脅,并說(shuō)明了如何解決這些威脅。第二部分著重說(shuō)明了OEM所特有的安全風(fēng)險(xiǎn),并指出了最終產(chǎn)品制造商和芯片供應(yīng)商如何承擔(dān)各自的責(zé)任。這些內(nèi)容將圍繞以下問(wèn)題進(jìn)行闡釋,即OEM和芯片供應(yīng)商對(duì)各自生產(chǎn)階段的風(fēng)險(xiǎn)各負(fù)其責(zé),以此來(lái)阻止大多數(shù)安全攻擊。
2022-10-25
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貿(mào)澤電子攜手Nordic舉辦窄帶物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)研討會(huì)
貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)宣布將攜手Nordic于10月25日14:00-15:30舉辦主題為“Nordic超低功耗窄帶蜂窩片上模組”的專題技術(shù)研討會(huì)。屆時(shí),來(lái)自Nordic的資深技術(shù)專家將為大家?guī)?lái)Nordic的超低功耗產(chǎn)品在物聯(lián)網(wǎng)方面的開(kāi)發(fā),助力工程師設(shè)計(jì)出更具性能優(yōu)勢(shì)的產(chǎn)品。
2022-10-20
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SiC MOSFET功率模塊是快速充電應(yīng)用的理想選擇
碳化硅(SiC)MOSFET在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)中正在迅速普及,因?yàn)橐恍┳畛醯目煽啃詥?wèn)題已經(jīng)解決,并且價(jià)格水平已經(jīng)達(dá)到了非常有吸引力的點(diǎn)。隨著市場(chǎng)上的器件越來(lái)越多,了解SiC MOSFET的特性非常重要,這樣用戶才能充分利用每個(gè)器件。本文將為您介紹SiC MOSFET的發(fā)展趨勢(shì),以及由安森美(onsemi)所推出的1200V SiC MOSFET功率模塊的產(chǎn)品特性。
2022-10-20
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自舉電路工作原理和自舉電阻和電容的選取
在一些低成本的應(yīng)用中,特別是對(duì)于一些600V小功率的IGBT,業(yè)界總是嘗試把驅(qū)動(dòng)級(jí)成本降到最低。因而自舉式電源成為一種廣泛的給高壓柵極驅(qū)動(dòng)(HVIC)電路供電的方法,原因是電路簡(jiǎn)單并且成本低。
2022-10-19
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SiC MOSFET AC BTI 可靠性研究
作為目前碳化硅MOSFET型號(hào)最豐富的國(guó)產(chǎn)廠商派恩杰,不僅在功率器件性能上達(dá)到國(guó)際一流廠商水平,在AC BTI可靠性上更是超越國(guó)際一流廠商。總裁黃興博士用高性能和高可靠性的產(chǎn)品證明派恩杰是國(guó)產(chǎn)碳化硅功率器件的佼佼者,展現(xiàn)了超高的碳化硅設(shè)計(jì)能力和工藝水平。
2022-10-19
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LED串中升壓電源調(diào)節(jié)電流的示例
在此配置中,外設(shè)配置為產(chǎn)生大多數(shù)電流模式的固定頻率電源。COG是互補(bǔ)輸出發(fā)生器。其功能是通過(guò)上升沿和下降沿輸入構(gòu)成的可編程死區(qū)生成互補(bǔ)輸出。CCP配置為生成可編程的頻率上升沿。當(dāng)電流超出斜率補(bǔ)償器的輸出時(shí),比較器C1生成下降沿。CCP可與C1結(jié)合來(lái)產(chǎn)生占空比。一些拓?fù)洌ㄈ缟龎?、反激或SEPIC)需要占空比。運(yùn)放OPA用于提供反饋和補(bǔ)償。
2022-10-19
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ADI和Keysight Technologies強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手 共推相控陣技術(shù)加速部署
中國(guó),北京–2022年10月17日–Analog Devices, Inc (Nasdaq: ADI)和Keysight Technologies, Inc. (NYSE: KEYS)宣布合作,共同加速相控陣技術(shù)的推廣與部署。相控陣技術(shù)能夠簡(jiǎn)化與創(chuàng)建衛(wèi)星通信、雷達(dá)和相控陣系統(tǒng)相關(guān)的開(kāi)發(fā)工作,是實(shí)現(xiàn)無(wú)處不在的連接和泛在檢測(cè)的關(guān)鍵。
2022-10-18
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瑞薩電子完成對(duì)Steradian的收購(gòu)
2022 年 10 月 17 日,日本東京訊 - 全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子(TSE:6723)今日宣布,截至2022年10月17日已完成對(duì)提供4D成像雷達(dá)解決方案的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司Steradian Semiconductors Private Limited(“Steradian”)的收購(gòu)。
2022-10-18
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手,800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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