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技術(shù)文章

2016年近五成智能機(jī)售價(jià)300美元以下

報(bào)告顯示，預(yù)估2011年全球 LTE 用戶將達(dá)到700萬(wàn)戶，至2015年，在歐美推動(dòng)的FDD-LTE及中國(guó)、印度等國(guó)推動(dòng)的TDD-LTE趨勢(shì)下，將推升整體LTE用戶成長(zhǎng)至2.4億規(guī)模，占全球行動(dòng)用戶比重約3.3%。2012年預(yù)估300美元以下中低階產(chǎn)品約占Smartphone銷(xiāo)售比重的17%。

2011-12-22

智能機(jī) LTE WiFi

我國(guó)PLC光分路器產(chǎn)業(yè)缺乏核心競(jìng)爭(zhēng)力

我國(guó)PLC光分路器產(chǎn)業(yè)的弱勢(shì)，其根本在于缺乏核心競(jìng)爭(zhēng)力，而且目前仍鮮有企業(yè)會(huì)主動(dòng)在其上游芯片層投入研發(fā)。

2011-12-22

PLC plc 光分路器

射頻輻射電磁場(chǎng)抗擾度試驗(yàn)

在新版標(biāo)準(zhǔn)里對(duì)試驗(yàn)的嚴(yán)酷等級(jí)分為一般試驗(yàn)等級(jí)和針對(duì)數(shù)字無(wú)線電話的射頻輻射而設(shè)定的試驗(yàn)等級(jí)。

2011-12-22

射頻輻射射頻輻射電磁場(chǎng)抗擾度抗干擾度標(biāo)準(zhǔn)

Vishay Siliconix TrenchFET功率MOSFET榮獲“中國(guó)優(yōu)秀電子產(chǎn)品”獎(jiǎng)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其Vishay Siliconix SiR662DP TrenchFET? 榮獲專(zhuān)業(yè)媒體《電子技術(shù)應(yīng)用》(AET)的“中國(guó)優(yōu)秀電子產(chǎn)品”獎(jiǎng)。

2011-12-22

MOSFET 電子產(chǎn)品

國(guó)家有利政策出臺(tái) 太陽(yáng)能產(chǎn)業(yè)有望走出低谷

近些年國(guó)家隊(duì)綠色環(huán)保能源的重視越來(lái)越高，老百姓對(duì)環(huán)保的產(chǎn)品也更加支持了，所以以太陽(yáng)能光為代表的綠色能源也會(huì)在未來(lái)一段時(shí)間得到巨大發(fā)展。在大力提倡綠色能源的大背景下，可再生能源電價(jià)附加征收標(biāo)準(zhǔn)近日確定為8厘/千瓦時(shí)，自2012年1月1日起實(shí)行。

2011-12-22

太陽(yáng)能可再生能源

威世Power Metal Strip儀表分流電阻獲電子產(chǎn)品世界“2011編輯推薦”獎(jiǎng)

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，該公司的WSMS2908 Power Metal Strip?儀表分流電阻榮獲《電子產(chǎn)品世界》(EEPW)的“2011編輯推薦”獎(jiǎng)，該雜志是中國(guó)重要的專(zhuān)業(yè)類(lèi)刊物。

2011-12-22

儀表分流電阻 Vishay Power Metal Strip

靜電放電抗擾度試驗(yàn)

關(guān)于不接地設(shè)備的試驗(yàn)配置，新版標(biāo)準(zhǔn)與舊版標(biāo)準(zhǔn)的配置是相同的。關(guān)鍵是在單次放電時(shí)（無(wú)論是空氣的，還是接觸的），試品上的電荷應(yīng)當(dāng)在每次施加靜電放電脈沖之前先行釋放（釋放掉在需要施加靜電放電的金屬點(diǎn)或金屬部位上的電荷）。

2011-12-22

靜電放電抗擾度靜電放電靜電