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技術(shù)文章

第七講示波器基礎(chǔ)之差分探頭

本文主要講差分測(cè)量的特點(diǎn)、差分探頭的應(yīng)用環(huán)境及解決方案

2010-01-07

示波器探頭差分基礎(chǔ)

傳感器接口電路的抗干擾設(shè)計(jì)

本文從傳感器接口電路普遍存在的小信號(hào)處理問(wèn)題入手，探討其抗干擾問(wèn)題，分析了干擾產(chǎn)生的三個(gè)來(lái)源，分別提出了具體的解決之法。

2010-01-07

傳感器接口電路抗干擾

汽車電子論壇精彩回顧：測(cè)試/認(rèn)證

本文收錄了08~09年（第六~七屆）上海汽車電子論壇關(guān)于測(cè)試認(rèn)證方面的演講資料。

2010-01-06

汽車電子論壇上海演講測(cè)試認(rèn)證

“萬(wàn)元獎(jiǎng)金，回饋產(chǎn)業(yè)”，獻(xiàn)禮中國(guó)電子社群

2010-01-06

“萬(wàn)元“萬(wàn)元獎(jiǎng)金回饋產(chǎn)業(yè)” 獻(xiàn)禮中國(guó)電子社群獎(jiǎng)金回饋產(chǎn)業(yè)” 獻(xiàn)禮中國(guó)電子社群

SiB455EDK：Vishay 推出新款12V P溝道第三代TrenchFET功率MOSFET

SiB455EDK是采用第三代TrenchFET P溝道技術(shù)的最新產(chǎn)品，使用了自對(duì)準(zhǔn)工藝技術(shù)，在每平方英寸的硅片上裝入了10億個(gè)晶體管單元。這種最先進(jìn)的技術(shù)實(shí)現(xiàn)了超精細(xì)、亞微米的節(jié)距工藝，將業(yè)內(nèi)最好的P溝道MOSFET的導(dǎo)通電阻減小了一半。

2010-01-06

SiB455EDK Vishay P溝道第三代 TrenchFET 功率MOSFET

LQH88P_38系列：Murata推出支持高達(dá)8A額定電流的功率電感

Murata推出LQH88P_38系列功率電感，支持高達(dá)8A額定電流。這些電感尺寸為8x8mm(3131尺寸)，低高度僅為3.8mm（典型值），是專為DC-DC轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)，用于平面TV，機(jī)頂盒，記錄裝置，無(wú)線基站和其它電子消費(fèi)產(chǎn)品應(yīng)用。

2010-01-06

LQH88P Murata 額定電流功率電感

新經(jīng)濟(jì)時(shí)代電子信息業(yè)呈現(xiàn)兩大創(chuàng)新發(fā)展規(guī)律

電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展的逐級(jí)遞增規(guī)律表明，電子元器件技術(shù)的每一次創(chuàng)新突破，不僅使電子元器件產(chǎn)業(yè)本身產(chǎn)生一次跨越式發(fā)展，而且推動(dòng)直接利用新型電子元器件的電子整機(jī)更新?lián)Q代，使這些直接相關(guān)的電子整機(jī)產(chǎn)業(yè)實(shí)現(xiàn)更大的發(fā)展，進(jìn)而帶動(dòng)國(guó)家經(jīng)濟(jì)與世界經(jīng)濟(jì)走向繁榮。

2010-01-06

電子信息元器件集成電路創(chuàng)新發(fā)展規(guī)律