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技術(shù)文章

IDC下調(diào)09年手機(jī)出貨目標(biāo)

IDC預(yù)估今年智能手機(jī)出貨將增加2.9%，先前預(yù)估將增長(zhǎng)3.4%。整體手機(jī)出貨將下滑12.8%，超過(guò)之前預(yù)估增幅8.3%。

2009-06-29

智能手機(jī) 手機(jī) IDC iPhone Palm

iPhone 3G S的材料及制造成本為178.96美元

16Gb iPhone 3G S手機(jī)在材料成本和功能上與上一款幾乎完全相同，人們可能認(rèn)為該產(chǎn)品所用的零部件也不會(huì)有多大變化。但經(jīng)過(guò)拆解分析發(fā)現(xiàn)，其零部件及供應(yīng)商有不少有趣的變化

2009-06-29

iPhone 3G S手機(jī) PMB8878 iPhone成本

飛思卡爾傳感器裝運(yùn)量突破10億

飛思卡爾半導(dǎo)體提供的傳感器技術(shù)創(chuàng)新，幫助全球客戶(hù)過(guò)去三十年在汽車(chē)、消費(fèi)、工業(yè)和醫(yī)療產(chǎn)品上實(shí)現(xiàn)重大變化。飛思卡爾一直在傳感器領(lǐng)域處于領(lǐng)先地位，最近其傳感器裝運(yùn)量突破10億只，取得重要里程碑。

2009-06-29

飛思卡爾傳感器汽車(chē)電子

SiZ700DT: Vishay單封裝雙不對(duì)稱(chēng)功率MOSFET器件

Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出在一個(gè)封裝內(nèi)集成一對(duì)不對(duì)稱(chēng)功率MOSFET系列的首款產(chǎn)品 --- SiZ700DT。該款器件的推出將有助于減少DC-DC轉(zhuǎn)換器中高邊和低邊功率MOSFET所占的空間

2009-06-29

SiZ700DT MOSFET PowerPAIR TrenchFET

照相手機(jī)的LED閃光燈超級(jí)電容設(shè)計(jì)

在高級(jí)照相手機(jī)應(yīng)用中設(shè)計(jì)師面臨的最大挑戰(zhàn)是如何高效地將電池、DC/DC轉(zhuǎn)換器和超級(jí)電容連接起來(lái)，做到既能限制超級(jí)電容的尖峰充電電流，又能在負(fù)載之間不斷地對(duì)超級(jí)電容進(jìn)行再充電，通過(guò)整合最新推出的升壓轉(zhuǎn)換器和超級(jí)電容，設(shè)計(jì)師可以創(chuàng)建緊湊的方案解決遇到的挑戰(zhàn)....

2009-06-29

LED閃光燈超級(jí)電容 AAT1282 升壓轉(zhuǎn)換器

MEMS振蕩器技術(shù)設(shè)計(jì)概要

MEMS振蕩器具備易用、焊盤(pán)結(jié)構(gòu)、功能兼容的優(yōu)點(diǎn)，可直接取代舊式生產(chǎn)的石英組件。提供更小、更薄的MEMS振蕩器應(yīng)用在手持式裝置內(nèi)，一直是廠商設(shè)計(jì)關(guān)注的焦點(diǎn)。MEMS技術(shù)也正在藉由各種方式，對(duì)傳統(tǒng)石英產(chǎn)業(yè)進(jìn)行“硅化工程”。

2009-06-29

MEMS振蕩器可編程振蕩器 MEMS技術(shù)

開(kāi)關(guān)變壓器第三講變壓器線圈電感量計(jì)算..

在開(kāi)關(guān)電源電路設(shè)計(jì)或電路試驗(yàn)過(guò)程中，經(jīng)常要對(duì)線圈或?qū)Ь€的電感以及線圈的匝數(shù)進(jìn)行計(jì)算，以便對(duì)電路參數(shù)進(jìn)行調(diào)整和改進(jìn)。下面僅列出多種線圈電感量的計(jì)算方法以供參考，其推導(dǎo)過(guò)程這里不準(zhǔn)備詳細(xì)介紹

2009-06-29

電感量開(kāi)關(guān)變壓器