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技術(shù)文章

將IGBT 用于不間斷電源中

本文介紹了絕緣柵雙極晶體管（IGBT）在不間斷電源系統(tǒng)中的應(yīng)用情況，分析了IGBT 在UPS 中損壞的主要原因和實(shí)際應(yīng)用中應(yīng)注意的問(wèn)題。

2008-12-15

絕緣柵雙極型晶體管不間斷電源系統(tǒng) 在線式不間斷電源 IGBT UPS

風(fēng)華半導(dǎo)體分立器件獲得“廣東省名牌產(chǎn)品”稱號(hào)

近期，風(fēng)華高科半導(dǎo)體分立器件繼本年初獲得采用國(guó)際先進(jìn)標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)可標(biāo)志和證書后，又被評(píng)為2008年“廣東省名牌產(chǎn)品”。在廣東省名牌戰(zhàn)略推進(jìn)委員會(huì)公告的“半導(dǎo)體分立器件”產(chǎn)品評(píng)選類別中，風(fēng)華高科是唯一一家獲此殊榮的企業(yè)。

2008-12-15

半導(dǎo)體分立器件廣東省名牌產(chǎn)品

微特電機(jī) 從生產(chǎn)大國(guó)向技術(shù)強(qiáng)國(guó)邁進(jìn)

我國(guó)已成為微特電機(jī)生產(chǎn)和出口大國(guó)，產(chǎn)品基本覆蓋了所有零部件和主要材料；當(dāng)前，我國(guó)微特電機(jī)行業(yè)應(yīng)該加速產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)調(diào)整，加速由“大”到“強(qiáng)”的產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)變。

2008-12-15

微特電機(jī) 錄音機(jī) 玩具產(chǎn)業(yè)調(diào)整

Epson及LPI成為Akustica拓展CMOS MEMS產(chǎn)品代工及封裝伙伴

Akustica——全球最小的單芯片MEMS麥克風(fēng)制造商日前宣布，Seiko Epson Corporation (Epson)與Lingsen Precision Industries, LTD (LPI)兩家公司已經(jīng)通過(guò)認(rèn)證，成為代工及封裝合作伙伴。這意味著Akustica的合作版圖已經(jīng)延伸至北美，歐洲及亞洲，將快速提升產(chǎn)能滿足客戶需求。

2008-12-15

MEMS 麥克風(fēng) 代工 Scott Naugle

分立半導(dǎo)體器件老市場(chǎng) 新機(jī)遇

分立器件是電子工業(yè)的支撐產(chǎn)業(yè)，是電子工業(yè)發(fā)展的基礎(chǔ)。器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展的快慢不僅直接影響整個(gè)電子工業(yè)的發(fā)展，而且對(duì)發(fā)展信息技術(shù)，改造傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)，提高技術(shù)裝備水平，促進(jìn)社會(huì)科技進(jìn)步都有重要意義。近年來(lái)國(guó)際半導(dǎo)體制造業(yè)向中國(guó)大陸的快速轉(zhuǎn)移,中國(guó)已成為全球最具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽?dǎo)體制造基地和繁榮的...

2008-12-15

消費(fèi)電子通信技術(shù) 汽車電子分立器件

SiB800EDK：Vishay新款超小MOSFET＋SBD器件

日前，Vishay宣布推出業(yè)界最小的 20V n 通道功率 MOSFET＋肖特基二極管--- SiB800EDK，該器件采用 1.6mm×1.6mm 的熱增強(qiáng)型 PowerPAK SC-75 封裝。這款新型器件的推出，意味著Vishay將其在 100 mA 時(shí)具有 0.32V 低正向電壓的肖特基二極管與具有在低至 1.5V 柵極驅(qū)動(dòng)時(shí)規(guī)定的額定導(dǎo)通電阻的 MOSFET 進(jìn)...

2008-12-15

SiB800EDK 便攜式電子設(shè)備 MOSFET 肖特基二極管