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OSRAM擴(kuò)大版圖進(jìn)一步加強(qiáng)于照明方案市場實(shí)力
OSRAM AG(歐司朗)自2011年11月9日起已經(jīng)從合資企業(yè)伙伴收購Traxon Technologies, Ltd.(簡稱Traxon)的剩余股份。透過是次收購，OSRAM進(jìn)一步加強(qiáng)其在增長迅速的專業(yè)LED照明解決方案市場的實(shí)力。
2011-11-14
OSRAM LED LED照明
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第一講：TDK PC47材料對T8 LED燈管變壓器性能提升分析
本次交流會上，TDK專家介紹了用于T8、T10 LED燈管變壓器的創(chuàng)新PC47材料性能。相對于市面上的普通材質(zhì)，PC47有更高的飽和磁通密度、更低的損耗、更高的飽和電流，100℃的磁芯損耗相比PC40降低了約40%。
2011-11-11
T8 LED 燈管 變壓器
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恒流二極管及其在驅(qū)動LED中的應(yīng)用
很早就已經(jīng)出現(xiàn)了恒流二極管，但是這種二極管并沒有引起人們的關(guān)注，因?yàn)樗皇怯糜谀承﹥x器儀表中作為電流的標(biāo)準(zhǔn)。然而近來隨著LED產(chǎn)業(yè)的蓬勃發(fā)展，這種二極管突然引起了廣泛的興趣。很多國外的大公司都開發(fā)出這種產(chǎn)品以供驅(qū)動LED，這是因?yàn)長ED必須采用恒流源作為驅(qū)動的原因。下面我們將要深入討論...
2011-11-11
恒流二極管 LED 二極管 LED驅(qū)動器
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高頻電路的電磁兼容設(shè)計誤區(qū)分析
電磁兼容的問題常發(fā)生于高頻狀態(tài)下，個別問題（電壓跌落與瞬時中斷等）除外。高頻思維，總而言之，就是器件的特性、電路的特性，在高頻情況下和常規(guī)中低頻狀態(tài)下是不一樣的，如果仍然按照普通的控制思維來判斷分析，則會走入設(shè)計的誤區(qū)。
2011-11-11
電磁兼容 EMC 高頻特性 高頻
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研究高性能新型器件，助力新興市場應(yīng)用
——順絡(luò)電子參加第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會電路保護(hù)專業(yè)技術(shù)與解決方案供應(yīng)商深圳順絡(luò)電子股份有限公司于2011年11月9日出席了由CNT Networks、中國電子展組委會和China Outlook Consulting聯(lián)合舉辦的第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會。
2011-11-11
電路保護(hù) 電磁兼容 EMC EMI 順絡(luò)電子
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錢振宇教授技術(shù)講座：深度解讀EMI/EMC新國標(biāo)
——錢振宇教授參加第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會國內(nèi)知名EMC專家錢振宇教授于2011年11月9日出席了由CNT Networks、中國電子展組委會和China Outlook Consulting聯(lián)合舉辦的第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會。
2011-11-11
電路保護(hù) 電磁兼容 EMC EMI
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提升LED照明電路保護(hù)高可靠性設(shè)計
——AEM科技參加第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會電路保護(hù)專業(yè)技術(shù)與解決方案供應(yīng)商AEM科技股份有限公司于2011年11月9日出席了由CNT Networks、中國電子展組委會和China Outlook Consulting聯(lián)合舉辦的第十屆電路保護(hù)與電磁兼容技術(shù)研討會。
2011-11-11
電路保護(hù) 電磁兼容 EMC EMI AEM科技
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Vishay發(fā)布采用SurfLight表面發(fā)射器技術(shù)的850nm紅外發(fā)射器
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出兩款采用該公司的SurfLight表面發(fā)射器技術(shù)制造的850nm紅外(IR)發(fā)射器--- VSMY7852X01和VSMY7850X01，擴(kuò)大其光電子產(chǎn)品組合。VSMY7852X01和VSMY7850X01采用高功率Little Star?封裝，占位為6.0mm x 7.0mm x1.5mm，具有超群的高驅(qū)動電流、發(fā)光強(qiáng)度和光功...
2011-11-11
VSMY7852X01 VSMY7850X01 Vishay SurfLight 紅外發(fā)射器
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LED驅(qū)動設(shè)計5大關(guān)鍵點(diǎn)
這主要針對內(nèi)置電源調(diào)制器的高壓驅(qū)動芯片。假如芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面，芯片的功耗為0.6W,當(dāng)然會引起芯片的發(fā)熱。驅(qū)動芯片的最大電流來自于驅(qū)動功率MOS管的消耗，簡單的計算公式為I=cvf（考慮充電的電阻效益，實(shí)際I=2cvf,其中c為功率MOS管的cgs電容，v為功率管導(dǎo)通時的gate電...
2011-11-11
LED驅(qū)動 開關(guān)損耗 功率管 導(dǎo)通
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