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開關(guān)電源PCB 電磁兼容性的建模分析
開關(guān)型變換器噪聲的干擾路徑為干擾源和被干擾設(shè)備提供了耦合條件，對其共模干擾和差模干擾的研究尤為重要。本文主要分析了電路主要元器件的高頻模型以及共模和差模噪聲的電路模型，為開關(guān)電源PCB 的EMC 優(yōu)化設(shè)計(jì)提供有益的幫助。
2011-10-08
開關(guān)電源 PCB 電磁兼容 共模干擾 差模干擾
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開關(guān)電源的導(dǎo)通、截止與啟動
開關(guān)電源中的開關(guān)管從導(dǎo)通到截止，嚴(yán)格來說是一個非常復(fù)雜的過程，但我們在進(jìn)行工作原理分析的時(shí)候，一般都會先對一些非主要問題進(jìn)行簡單化。例如，當(dāng)電源開關(guān)管導(dǎo)通或截止的時(shí)候，我們就把它看成是一個理想的開關(guān)，其工作時(shí)只有兩種狀態(tài)，通或斷。但實(shí)際上開關(guān)管的導(dǎo)通和關(guān)斷都是一個很復(fù)雜的過程...
2011-10-07
開關(guān)電源 開關(guān)管 導(dǎo)通 截至
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同步降壓MOSFET 電阻比的正確選擇
在本文中，我們將研究在同步降壓功率級中如何對傳導(dǎo)功耗進(jìn)行折中處理，而其與占空比和 FET 電阻比有關(guān)。進(jìn)行這種折中處理可得到一個用于 FET 選擇的非常有用的起始點(diǎn)。
2011-10-07
MOSFET 電阻比 同步降壓MOSFET
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2011年1-8月電子信息產(chǎn)業(yè)固定資產(chǎn)投資情況
今年以來，在各地大力發(fā)展戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的帶動下，電子信息產(chǎn)業(yè)固定資產(chǎn)投資保持高速增長，新開工項(xiàng)目明顯增多，基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域投資領(lǐng)先增長，行業(yè)結(jié)構(gòu)不斷調(diào)整。主要特點(diǎn)為：增速持續(xù)保持高位，投資規(guī)模超過去年11個月水平；光電器件、新能源電池等領(lǐng)域新開工項(xiàng)目明顯增多，帶動全行業(yè)新開工項(xiàng)目...
2011-10-06
電子信息 電子信息產(chǎn)業(yè)
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半導(dǎo)體庫存進(jìn)一步提升 產(chǎn)能過剩警報(bào)響起
研究機(jī)構(gòu)Gartner表示，2011年三季度半導(dǎo)體庫存將進(jìn)一步提升，達(dá)到“令人擔(dān)憂”的水平?！罢麄€行業(yè)產(chǎn)能過剩的警報(bào)已經(jīng)開始響起?！比虻谌蟀雽?dǎo)體代工企業(yè)格羅方德半導(dǎo)體(GlobalFoundries)首席執(zhí)行官AjitManocha明確指出?！?/p>
2011-10-04
半導(dǎo)體 產(chǎn)能 半導(dǎo)體封測
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探討液晶顯示器加固技術(shù)
液晶顯示器雖然得到了廣泛的應(yīng)用，但在惡劣環(huán)境下，溫度、振動、沖擊、電磁、潮濕等易對液晶屏、背光源和內(nèi)部的元器件產(chǎn)生影響和破壞，所以普通液晶顯示器在惡劣環(huán)境下不能正常使用，需要對液晶屏采取措施即加固。本文介紹了我們采用脈沖調(diào)制方式的內(nèi)部加熱法等加固技術(shù)，有效地解決了液晶顯示器在...
2011-09-30
液晶顯示器 顯示器 加固
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超級電容器的壽命分析
本文提出了高溫對超級電容器壽命的影響超出預(yù)想的原因并分析了不同的封裝形式在高溫條件下的實(shí)際壽命以及壽命減半的溫度差；給出了實(shí)際電壓與壽命的相對關(guān)系；分析了不同形式的單體電壓均衡的效果。
2011-09-30
電容 電容器 超級電容器
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element14宣布擴(kuò)大Vishay半導(dǎo)體和無源元件在亞太區(qū)的產(chǎn)品庫存
電子元件分銷商e絡(luò)盟母公司element14近日宣布擴(kuò)大Vishay Intertechnology公司半導(dǎo)體和無源元件在亞太區(qū)的產(chǎn)品庫存。Vishay公司是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體與無源解決方案的專業(yè)廠商。element14為Vishay公司的分立式半導(dǎo)體和無源元件實(shí)現(xiàn)亞太地區(qū)大部分城市翌日到貨。
2011-09-30
element14 e絡(luò)盟 Vishay 無源元件
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開關(guān)電源變壓器屏蔽層抑制共模EMI
本文以反激式開關(guān)電源為例，在分析其高頻變壓器形成共模傳導(dǎo)EMI 機(jī)理的基礎(chǔ)上，探討了在變壓器設(shè)計(jì)中設(shè)置屏蔽層以抑制共模傳導(dǎo)EMI 的原理。給出了具體的設(shè)計(jì)方法，并應(yīng)用于具體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)中。測試表明，屏蔽層的設(shè)置可有效抑制高頻開關(guān)電源的共模傳導(dǎo)EMI。
2011-09-30
開關(guān)電源 變壓器 屏蔽 EMI 干擾
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