【導讀】AI算力需求呈現(xiàn)爆炸式增長，海量數(shù)據(jù)頻繁調動使得存儲行業(yè)變得愈發(fā)重要。生成式AI、AI智能體、端側AI應用，高性能、高密度、高能效的存儲解決方案都構成了不可或缺的硬件基礎。這些技術正助力解決數(shù)據(jù)中心、AI訓練推理以及移動設備在數(shù)據(jù)存儲與訪問方面的瓶頸問題。在眾多存儲技術發(fā)展路徑中，鎧俠BiCS FLASH 3D閃存技術為整個行業(yè)提供了堅實支撐，成為高性能存儲領域的關鍵角色。

從2D到3D：閃存技術的革命性跨越

作為閃存技術的發(fā)明者，鎧俠始終秉承Bit Cost Scalable Flash理念。當2D NAND技術遭遇容量提升瓶頸后，BiCS FLASH創(chuàng)造性地轉向垂直方向堆疊存儲單元。這項技術通過巧妙的交替堆疊板狀電極和絕緣體，一次性垂直打孔穿透存儲層，并在孔內填充電荷儲存膜和柱狀電極，從而構建起當前主流的3D NAND架構。更重要的是，BiCS FLASH的技術迭代從未停止，持續(xù)推動著存儲技術的邊界。

性能與密度兼得：第八代BiCS FLASH的技術突破

已成為行業(yè)主流的第八代BiCS FLASH現(xiàn)已廣泛應用于各類存儲產(chǎn)品中，從移動設備和車載系統(tǒng)的UFS系列，到消費級SSD，再到企業(yè)級和數(shù)據(jù)中心級存儲方案，都能看到它的身影。

第八代BiCS FLASH在存儲密度和性能方面均有顯著提升，其中2Tb QLC NAND是目前業(yè)界最大容量的存儲器。為實現(xiàn)這一突破，鎧俠通過專有工藝和創(chuàng)新架構，平衡了存儲芯片的縱向和橫向縮放，開發(fā)的CBA架構和3.6Gbps接口速度，為AI應用、數(shù)據(jù)中心和移動設備開辟了更多可能性。

CBA架構與傳統(tǒng)單晶圓制造CMOS邏輯電路與存儲單元的方式截然不同，它采用兩片分別制造后再翻轉貼合的方式，使不同工藝都能發(fā)揮更大優(yōu)勢，同時縮短生產(chǎn)時間。得益于存儲單元和CMOS邏輯電路都有了更充裕的設計空間，第八代BiCS FLASH實現(xiàn)了存儲密度與性能的雙重提升：寫入性能提高20%，讀取速度提高10%，耗電量減少30%（寫入時），接口速度達到3.6 Gbps，表現(xiàn)優(yōu)于同級別產(chǎn)品。

第八代BiCS FLASH QLC創(chuàng)造了業(yè)界最大的2Tb規(guī)格，當單個封裝內堆疊32個Die時，可實現(xiàn)領先的8TB容量。多個存儲芯片組合，更能構建出256TB的企業(yè)級SSD，剔除OP空間后存儲容量仍達245.76TB。鎧俠LC9 245.76TB企業(yè)級SSD就是典型代表，目前已與部分數(shù)據(jù)中心展開合作，加速AI數(shù)據(jù)中心高效能部署，同時降低總體擁有成本。

雙軌并行戰(zhàn)略：為AI未來加碼

在第八代BiCS FLASH成為行業(yè)中流砥柱的同時，第九代和第十代BiCS FLASH也已蓄勢待發(fā)，形成雙軌并行的發(fā)展策略。

第九代BiCS FLASH專注于利用CBA技術，在現(xiàn)有存儲單元技術基礎上推出更具成本優(yōu)勢的產(chǎn)品。通過集成最新的CBA技術和Toggle DDR 6.0接口，第九代BiCS FLASH實現(xiàn)了顯著的性能與能效提升，能夠為主流企業(yè)級SSD、邊緣計算和AI應用提供均衡的解決方案。

第十代BiCS FLASH則進一步將存儲陣列堆疊層數(shù)大幅提升至332層，同樣采用Toggle DDR6.0接口和SCA獨立命令地址協(xié)議，將NAND接口速度提升至4.8Gbps，以滿足未來AI訓練、科學計算等超大規(guī)模數(shù)據(jù)中心對存儲帶寬和容量的極致需求，同時有助于降低超大容量SSD的制造復雜度和成本。

除了主流的BiCS FLASH技術，鎧俠還在探索XL-FLASH存儲級內存和OCTRAM等新型存儲技術，為未來計算架構做好充分準備。

最后，面對AI時代的數(shù)據(jù)洪流，存儲技術的創(chuàng)新步伐正在加快。鎧俠通過持續(xù)的技術迭代，不斷追求更高的存儲密度，與各行業(yè)客戶緊密合作，進一步降低TCO，提升能效表現(xiàn)，為邁向更高存儲密度的目標奠定堅實基礎。隨著BiCS FLASH技術的持續(xù)進化，云端與端側應用將獲得更優(yōu)質的存儲解決方案，為全面智能化時代提供強有力的數(shù)據(jù)支撐。