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變?nèi)荻O管的構(gòu)造原理
變?nèi)荻O管（Varactor Diodes）又稱“可變電抗二極管”，是利用pN結(jié)反偏時(shí)結(jié)電容大小隨外加電壓而變化的特性制成的。反偏電壓增大時(shí)結(jié)電容減小、反之結(jié)電容增大，變?nèi)荻O管的電容量一般較小，其值為幾十皮法到幾百皮法，區(qū)容與小電容之比約為5:1。
2021-11-11
變?nèi)荻O管
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通過節(jié)省時(shí)間和成本的創(chuàng)新技術(shù)降低電源中的EMI
隨著電子系統(tǒng)變得越來越密集并且互連程度越來越高，降低電磁干擾 (EMI) 的影響日益成為一個(gè)關(guān)鍵的系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮因素。本白皮書分析了開關(guān)模式電源中的 EMI，并提供了一些可幫助設(shè)計(jì)人員快速且輕松地通過業(yè)界通用 EMI 測(cè)試的技術(shù)示例。
2021-11-10
創(chuàng)新技術(shù) 電源 EMI
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數(shù)字隔離芯片的PD參數(shù)出廠測(cè)試為什么是必要的？
近年來，數(shù)字隔離芯片在工業(yè)、醫(yī)療、汽車等領(lǐng)域越來越多的被工程師所信賴。數(shù)字隔離芯片因?yàn)轶w積小，集成度高，功耗低，通訊速度高等顯著的特點(diǎn)，正在逐步替代傳統(tǒng)的光耦器件。數(shù)字隔離芯片是系統(tǒng)中涉及到高壓安全的核心器件，因此出廠的時(shí)候需要經(jīng)過嚴(yán)格篩選。
2021-10-21
數(shù)字隔離芯片 PD參數(shù) 出廠測(cè)試
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抑制開關(guān)穩(wěn)壓器EMI：不用濾波電路，還有什么好方法？
對(duì)于要實(shí)現(xiàn)電池供電或分布式電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)人員來說，使用低壓降 (LDO)穩(wěn)壓器還是開關(guān)穩(wěn)壓器往往是個(gè)問題。開關(guān)穩(wěn)壓器的效率相對(duì)更高，可謂是一項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，尤其是對(duì)于電池供電產(chǎn)品。然而，電源中快速開關(guān)晶體管產(chǎn)生的EMI才是關(guān)鍵權(quán)衡要素——在高度集成的緊湊型設(shè)計(jì)中，EMI可能會(huì)衍生成更嚴(yán)重的問題。
2021-10-19
開關(guān)穩(wěn)壓器 EMI 濾波電路
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汽車電子非隔離型變換器傳導(dǎo)與輻射EMI的產(chǎn)生，傳播與抑制
汽車電子行業(yè)中，基于安全性的考慮，對(duì)EMI的要求極為嚴(yán)格，對(duì)于汽車電子工程師也提出了挑戰(zhàn)。對(duì)各種EMI問題的建模分析，會(huì)極為有效的幫助我們減小EMI。本文就將和大家探討下非隔離型變換器（如Buck，Boost和Buck-Boost）產(chǎn)生EMI的機(jī)理，模型和抑制方法。
2021-10-15
汽車電子 變換器 EMI
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輸出帶長(zhǎng)線負(fù)載的傳導(dǎo)EMI的分析與改善
在汽車電子的許多應(yīng)用中，負(fù)載需要通過一條較長(zhǎng)的輸出線連接到主板上。如圖1所示，典型應(yīng)用有Class-D，LED，USB充電器等。往往此時(shí)的傳導(dǎo)EMI會(huì)更加嚴(yán)重，這次分享就是針對(duì)這一問題來分析和進(jìn)行改善。
2021-10-15
長(zhǎng)線負(fù)載 傳導(dǎo)EMI 汽車電子
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選擇支持汽車應(yīng)用的可靠電容器
想要為當(dāng)今汽車電子產(chǎn)品選擇性能可靠的電容器，需要仔細(xì)分析各類參數(shù)。首先，必須了解各種電容技術(shù)的性能特點(diǎn)。其次，應(yīng)考慮汽車環(huán)境和特定應(yīng)用，從而找到成效比優(yōu)異的可靠解決方案。本文將探討四種主要電介質(zhì)電容器的特點(diǎn)：鉭電解、鋁電解、薄膜和陶瓷。此外，還將說明汽車環(huán)境，并列出汽車應(yīng)用的...
2021-10-15
汽車應(yīng)用 電容器
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LDO噪聲揭秘
此應(yīng)用報(bào)告說明了 LDO 的噪聲與 PSRR 之間的差異，還說明了 LDO 數(shù)據(jù)表中噪聲的不同規(guī)定方式以及在應(yīng)用中應(yīng)采用的噪聲規(guī)格，最后說明了降低 LDO 噪聲的方法。
2021-10-15
LDO 噪聲
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晶振為什么不能放置在PCB邊緣？
某行車記錄儀，測(cè)試的時(shí)候要加一個(gè)外接適配器，在機(jī)器上電運(yùn)行測(cè)試時(shí)發(fā)現(xiàn)超標(biāo)，具體頻點(diǎn)是84MHZ、144MH、168MHZ，需要分析其輻射超標(biāo)產(chǎn)生的原因，并給出相應(yīng)的對(duì)策。輻射測(cè)試數(shù)據(jù)如下：
2021-09-09
晶振 PCB邊緣
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