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IR推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級器件
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列,采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點 (POL) 應(yīng)用設(shè)計的,包括服務(wù)器、路由器、交換機,以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2010-03-10
IR 商用 集成 氮化鎵 功率級器件
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恩智浦推出新一代高效率低VCEsat 晶體管
恩智浦半導體(NXP Semiconductors)近日宣布推出新第四代低VCEsat (BISS)晶體管的前8種產(chǎn)品。該產(chǎn)品家族分成兩種優(yōu)化的分支:超低VCEsat晶體管以及高速開關(guān)晶體管。其電壓范圍為20 V - 60 V,采用小型SMD封裝SOT23 (2.9 x 1.3 x 1 mm)和SOT457 (2.9 x 1.5 x 1 mm)。
2010-03-10
恩智浦 VCEsat 晶體管
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iP2010/2011:IR率先推出行業(yè)首批商用氮化鎵集成功率級器件
國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出行業(yè)首個商用集成功率級產(chǎn)品系列,采用了IR革命性的氮化鎵 (GaN) 功率器件技術(shù)平臺。嶄新的iP2010和iP2011系列器件是為多相和負載點 (POL) 應(yīng)用設(shè)計的,包括服務(wù)器、路由器、交換機,以及通用POL DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2010-03-10
iP2010 iP2011 氮化鎵
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任天堂超過三星 成為消費產(chǎn)品和手機MEMS的最大買家
據(jù)iSuppli公司,日本任天堂在2009年超越韓國的三星,成為用于消費電子產(chǎn)品和手機的微機電系統(tǒng)(MEMS)的全球最大買家。
2010-03-10
任天堂 三星 MEMS
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2010中國IT領(lǐng)袖峰會將于3月底在深圳隆重舉行
記者是從近日召開的2010中國(深圳)IT領(lǐng)袖峰會新聞發(fā)布會上獲悉這一消息的。深圳市委常委、常務(wù)副市長許勤,數(shù)字中國聯(lián)合會主席吳鷹等出席了新聞發(fā)布會并回答了記者的提問
2010-03-09
2010 中國IT 領(lǐng)袖峰會 中國經(jīng)濟
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臺灣LG電子表示今年將搶攻15%市場
臺灣樂金電子(LG)董事長白明源近日表示,LG去年在臺灣手機市場穩(wěn)居第四名,市占率約一成,今年將進一步挑戰(zhàn)15%市占率的目標,推出約30多款新手機,帶給消費者全新品牌體驗。
2010-03-09
臺灣 LG 白明源 手機
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136D:Vishay推出新款鉭外殼液鉭電容器
近日,VishayIntertechnology,Inc.宣布,推出采用glass-to-tantalum新型密封的新系列鉭外殼液鉭電容器——136D。對于高可靠性應(yīng)用,136D器件可在-55℃~+85℃溫度范圍內(nèi)工作,在電壓降額的情況下可在+200℃下工作,在120Hz和+25℃條件下的ESR低至0.44Ω。
2010-03-09
136D Vishay 鉭 電容器
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MMBD5004BRM:Diode推出四開關(guān)二極管陣列
Diode公司推出擊穿電壓為400V的四開關(guān)二極管陣列MMBD5004BRM,旨在承受DAA調(diào)制解調(diào)器正極和負極電話線接口和一般離線整流應(yīng)用中最壞的線瞬變情況。
2010-03-09
MMBD5004BRM Diode 二極管 開關(guān) DAA調(diào)制解調(diào)器
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近6年美國混合動力汽車銷量簡析
雖然近5年美國新車(指輕型汽車,下同)銷量逐年下滑(見圖1),但混合動力汽車這一最早規(guī)模化生產(chǎn)的“新能源汽車”的銷量在2008年之前基本是呈逐年增長態(tài)勢,2008、2009年因為美國汽車整體需求下降及由此導致的油價回落等因素導致美國混合動力汽車銷量出現(xiàn)同比下滑。
2010-03-09
美國 混合動力 汽車 銷量簡析
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