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工程可靠性問題
“可靠性”這個詞匯對于不同的人士來說可能有著不同意義，但廣泛來講，底線往往在于成本?？煽啃阅軌驖M足人的期望，它可能基于廣告宣傳、技術規(guī)格或合同，也可能與工程師以外的很多人士息息相關。本文就這些問題展開討論，驗證“可靠性”的重要地位。
2009-10-27
可靠性
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八種常用電容器的結構和特點
電容器是電子設備中常用的電子元件,下面對幾種常用電容器的結構和特點作以簡要介紹,以供大家參考。
2009-10-27
電容器 薄膜電容器 電解電容器 獨石電容器
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國家將收緊多晶硅項目再融資
國家發(fā)改委產(chǎn)業(yè)協(xié)調(diào)司司長陳斌10月15日表示，為了引導多晶硅產(chǎn)業(yè)健康發(fā)展，避免產(chǎn)業(yè)過度競爭，促進節(jié)能減排，國家將多晶硅產(chǎn)業(yè)列為產(chǎn)能過剩的行業(yè)，將控制多晶硅項目的再融資。而最近，中國證監(jiān)會也向國家發(fā)改委移交了部分關于企業(yè)融資的審查權，以控制多晶硅等企業(yè)的再融資
2009-10-27
國家發(fā)改委 多晶硅 再融資
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振興規(guī)劃作用，推動電子信息產(chǎn)業(yè)走出低谷
伴隨著“家電下鄉(xiāng)”，“汽車下鄉(xiāng)”、調(diào)整出口退稅稅率等政策相繼實施，振興規(guī)劃對電子信息產(chǎn)業(yè)的提振效應開始顯現(xiàn)。賽迪顧問研究數(shù)據(jù)顯示，從2009年4月起，電子信息產(chǎn)業(yè)經(jīng)濟運行開始出現(xiàn)企穩(wěn)跡象，主營收入降幅趨緩，并逐漸開始走出低谷。
2009-10-27
電子信息 通信 元器件
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揚智科技攜M7108系列在深圳成立中國大陸區(qū)總部
揚智科技于深圳成立中國大陸區(qū)總部，力拓全新多媒體生活，深耕中國大陸市場，豐富消費電子應用。
2009-10-26
IC 揚智科技 機頂盒 M7108系列
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電源變換器中電流/電壓模式相互轉(zhuǎn)化分析
本文先簡單的介紹了電流模式和電壓模式的工作原理和這兩種工作模式它們各自的優(yōu)缺點；然后探討了理想的電壓模式利用輸出電容ESR取樣加入平均電流模式和通過輸入電壓前饋加入電流模式的工作過程。也討論了電流模式在輸出輕載或無負載時，在使用大的電感或在占比大于0.5加入斜坡補償后，系統(tǒng)會從電流...
2009-10-26
變換器 電流/電壓模式轉(zhuǎn)化
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基于漏極導通區(qū)特性理解MOSFET開關過程
本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關過程的方法：基于功率MOSFET的導通區(qū)特性的開關過程，并詳細闡述了其開關過程。開關過程中，功率MOSFET動態(tài)的經(jīng)過是關斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過程。在跨越恒流區(qū)時，功率MOSFET漏極的電流和...
2009-10-26
MOSFET 關斷區(qū) 恒流區(qū) 可變電阻區(qū)
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理解功率MOSFET的開關損耗
本文先分別介紹了功率MOSFET的Ciss，Coss，Crss及相對應的Qg，Qds和Qgs在開關過程中對開關損耗的影響?；谠诶硐霠顟B(tài)下，用工程簡化方式計算出MOSFET在開關過程中不同階段的開關損耗，并分析出Crss及相對應的Qgd對于MOSFET管的開關損耗起主導作用。然后，論述了在實際狀態(tài)下，Coss對開通和關斷過程...
2009-10-26
米勒電容 開關損耗 零電壓開關
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基于MOSFET內(nèi)部結構設計優(yōu)化的驅(qū)動電路
功率MOSFET具有開關速度快，導通電阻小等優(yōu)點，因此在開關電源，馬達控制等電子系統(tǒng)中的應用越來越廣。通常在實際的設計過程中，電子工程師對其的驅(qū)動電路以及驅(qū)動電路的參數(shù)調(diào)整并不是十分關注，尤其是從來沒有基于MOSFET內(nèi)部的微觀結構去考慮驅(qū)動電路的設計，導致在實際的應用中，MOSFET產(chǎn)生一定...
2009-10-26
MOSFET 驅(qū)動電路
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