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醫(yī)療穿戴

MOS管的Miller 效應(yīng)

本文對于 MOS 管工作在開關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實現(xiàn)電源的緩啟動。

2022-10-12

MOS管米勒效應(yīng)

如何應(yīng)對不間斷電源(UPS)設(shè)計挑戰(zhàn)

電池供電的不間斷電源(UPS)在保護數(shù)據(jù)中心、醫(yī)療設(shè)施、工廠、電信樞紐甚至家庭中的敏感設(shè)備免受短期電網(wǎng)尖峰和停電影響方面非常重要。在停電時間較長的情況下，它們能夠提供必要的短期電力，以實現(xiàn)有準備的斷電，防止數(shù)據(jù)丟失。

2022-09-29

不間斷電源電路設(shè)計

電源設(shè)計器件布局和布線要點

在電源設(shè)計中，精心的布局和布線對于能否實現(xiàn)出色設(shè)計至關(guān)重要，要為尺寸、精度、效率留出足夠空間，以避免在生產(chǎn)中出現(xiàn)問題。我們可以利用多年的測試經(jīng)驗，以及布局工程師具備的專業(yè)知識，最終完成電路板生產(chǎn)。

2022-09-26

電源設(shè)計布局

什么是dV/dt失效

如下圖（2）所示，dV/dt失效是由于MOSFET關(guān)斷時流經(jīng)寄生電容Cds的瞬態(tài)充電電流流過基極電阻RB，導致寄生雙極晶體管的基極和發(fā)射極之間產(chǎn)生電位差VBE，使寄生雙極晶體管導通，引起短路并造成失效的現(xiàn)象。通常，dV/dt越大（越陡），VBE的電位差就越大，寄生雙極晶體管越容易導通，從而越容易發(fā)生失效...

2022-09-22

dV/dt失效 MOSFET

【無電感】小尺寸 AMOLED 電源芯片

SGM38045 是圣邦微電子重點推出的一顆專門為智能手環(huán)、智能手表等小尺寸 AMOLED 顯示屏提供 AVDD、ELVDD、ELVSS 的無電感電源管理芯片。

2022-09-21

AMOLED 電源芯片

MEMS麥克風已成消費市場的主流產(chǎn)品選擇

麥克風已經(jīng)是眾多電子產(chǎn)品中內(nèi)置的標準器件，從可穿戴設(shè)備到家庭助理，越來越多的設(shè)備被要求“聽到”它們的環(huán)境，并隨之做出相對的反應(yīng)。本文將全面概述麥克風類型和基本原理，以及CUI Devices微機電系統(tǒng)（MEMS）麥克風的產(chǎn)品特性。

2022-08-29

MEMS麥克風消費市場