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STIEC45－xxAS系列：ST推出硅電涌保護器件

ST推出業(yè)界首款通過IEC61000-4-5國際電涌保護標準的硅電涌保護器件。在全程工作溫度范圍內(nèi)，新系列產(chǎn)品提供優(yōu)異的可靠性和有效的保護功能。

2010-03-08

STIEC45－xxAS系列 ST 硅電涌保護器件

STIEC45－xxAS系列：ST推出硅電涌保護器件

2010-03-08

STIEC45－xxAS系列 ST 硅電涌保護器件

STIEC45－xxAS系列：ST推出硅電涌保護器件

2010-03-08

STIEC45－xxAS系列 ST 硅電涌保護器件

三美電機展：厚度為2mm的光學式輸入傳感器模塊

三美電機開發(fā)出了厚度僅為2mm的光學式輸入傳感器模塊“SFN-11GU”。設想用于用一根拇指在手機畫面上進行操作的用途。解說員表示，“如果是觸摸面板的話，大多數(shù)情況下需要一手拿著手機，用另一只手的手指碰觸畫面進行操作，而有些顧客希望可以只用單手進行操作”。該產(chǎn)品已經(jīng)用于便攜終端產(chǎn)品中。

2010-03-08

三美電機光學傳感器

京瓷太陽能電池單元工廠竣工 2012年度產(chǎn)量增至1GW

京瓷宣布，在滋賀縣野洲市建設的多晶硅型太陽能電池單元新工廠現(xiàn)已竣工。這是繼滋賀縣東近江市單元工廠之后的第二生產(chǎn)基地。另外，該公司還宣布，因新工廠即將投產(chǎn)，將上調(diào)生產(chǎn)計劃。2012年度產(chǎn)量將提高至1GW。

2010-03-08

京瓷太陽能電池

PCB設計時抗ESD的方法

來自人體、環(huán)境甚至電子設備內(nèi)部的靜電對于精密的半導體芯片會造成各種損傷，例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層；損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極；CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死；短路反偏的PN結；短路正向偏置的PN結；熔化有源器件內(nèi)部的焊接線或鋁線。為了消除靜電釋放(ESD)對電子設備的干擾和破壞，需要采取...

2010-03-05

PCB設計抗ESD 瞬態(tài)保護

靜電放電干擾及其抑制

在電子控制設備外殼上放電是經(jīng)常見到的放電現(xiàn)象，放電電流流過金屬外殼，產(chǎn)生電場和磁場，通過分布阻抗鍋臺到殼內(nèi)的電源線、信號線等內(nèi)部走線，引起誤功作。電子控制設備的信號線或地線上也可直接放電，如鍵盤或顯示裝置等接口處的放電，其干擾后果更為嚴重。本文講述靜電放電干擾及其抑制

2010-03-05

靜電放電干擾 ESD

密勒電氣擴展環(huán)保型焊接設備

密勒電氣擴展環(huán)保型焊接設備及萬用表等產(chǎn)品

2010-03-05

密勒電氣無鉛焊臺節(jié)約成本 Mueller

能源：走向低碳社會

事實上，在全球范圍內(nèi)，可再生能源的引入量正在急劇擴大。例如，美國計劃到2025年要使可再生能源發(fā)電量占到電力供應總量的25%。其中加利福尼亞州更領先一步，承諾到2020年可再生能源發(fā)電份額將達到電力總和的33%。該州州長阿諾施瓦辛格表示： “未來10 年內(nèi)，可再生能源的引入量將會上市至現(xiàn)在...

2010-03-05

能源低碳太陽能電池智能電網(wǎng)

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