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USB 3.0測試標(biāo)準(zhǔn)將于09年6月底出臺
新一代USB“USB 3.0”的兼容性測試標(biāo)準(zhǔn)有望于2009年上半年出臺。參與測試標(biāo)準(zhǔn)制定的美國安捷倫科技（Agilent Technologies）表示，預(yù)定于09年6月底之前推出“Test Specification 1.0”。這是安捷倫公司的USB應(yīng)用產(chǎn)品經(jīng)理Jim Choate在09年3月6日于東京都內(nèi)舉行的研討會“USB 3.0―SuperSpeed USB的沖擊”上...
2009-03-12
USB 3.0 測試儀器
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻 開關(guān)
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻 開關(guān)
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Si7137DP：Vishay新型P 通道功率MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）發(fā)布采用其新型 p 通道 TrenchFET第三代技術(shù)的首款器件 --- Si7137DP，該 20V p通道 MOSFET 采用 SO-8 封裝，具備業(yè)內(nèi)最低的導(dǎo)通電阻。
2009-03-12
TrenchFET Si7137DP MOSFET 導(dǎo)通電阻 開關(guān)
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中國版WEEE出臺：電器廠商成本上升5%
在歐盟《關(guān)于報廢電子電器設(shè)備指令》(WEEE)全面實施近三年后，中國版WEEE出臺。條例對制造商有很多保護(hù)措施，而金融危機的到來讓該條例正式實施的時間推遲到2011年元旦。中國版的WEEE在多次征求意見和修改后對生產(chǎn)者采取了優(yōu)惠的政策，但保留了“生產(chǎn)者負(fù)責(zé)制”。該法規(guī)有可能使電器制造商的成本上升5...
2009-03-12
中國版WEEE WEEE 關(guān)于報廢電子電器設(shè)備指令 廢棄電器電子產(chǎn)品回收處理管理條例
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中國版WEEE出臺：電器廠商成本上升5%
在歐盟《關(guān)于報廢電子電器設(shè)備指令》(WEEE)全面實施近三年后，中國版WEEE出臺。條例對制造商有很多保護(hù)措施，而金融危機的到來讓該條例正式實施的時間推遲到2011年元旦。中國版的WEEE在多次征求意見和修改后對生產(chǎn)者采取了優(yōu)惠的政策，但保留了“生產(chǎn)者負(fù)責(zé)制”。該法規(guī)有可能使電器制造商的成本上升5...
2009-03-12
中國版WEEE WEEE 關(guān)于報廢電子電器設(shè)備指令 廢棄電器電子產(chǎn)品回收處理管理條例
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中國版WEEE出臺：電器廠商成本上升5%
在歐盟《關(guān)于報廢電子電器設(shè)備指令》(WEEE)全面實施近三年后，中國版WEEE出臺。條例對制造商有很多保護(hù)措施，而金融危機的到來讓該條例正式實施的時間推遲到2011年元旦。中國版的WEEE在多次征求意見和修改后對生產(chǎn)者采取了優(yōu)惠的政策，但保留了“生產(chǎn)者負(fù)責(zé)制”。該法規(guī)有可能使電器制造商的成本上升5...
2009-03-12
中國版WEEE WEEE 關(guān)于報廢電子電器設(shè)備指令 廢棄電器電子產(chǎn)品回收處理管理條例
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2009年全球智能手機將會獲得強勁增長
In-Stat公司最新的研究報告指出，到2013年全球智能手機的市場份額將會占到整個手機市場的20%，同時今年全球智能手機將會獲得強勁增長。
2009-03-12
智能手機 iPhone Magic
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CM1235/6：California Micro Devices兩款最新ESD保護(hù)器件
California Micro Devices宣布 XtremeESD(R) 系列新添兩款 ESD（靜電放電）保護(hù)器件CM1235 和 CM1236。這兩款器件都整合了獲獎的 PicoGuard XS 架構(gòu)，該架構(gòu)擁有整合的阻抗匹配和更高的 ESD 性能。
2009-03-11
CM1235 CM1236 ESD保護(hù)器件
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
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