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用協(xié)同電路保護(hù)技術(shù)保護(hù)繼電器
介紹有可能損壞繼電器的幾種情況和可以保護(hù)繼電器的方法和元器件。其中，PPTC可以防止過(guò)流對(duì)繼電器的損害，MOV、MLV等過(guò)壓保護(hù)器件可以防止電壓過(guò)大對(duì)繼電器造成的損害。
2008-12-31
繼電器 保護(hù)電路 PPTC MOV MLV
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用協(xié)同電路保護(hù)技術(shù)保護(hù)繼電器
介紹有可能損壞繼電器的幾種情況和可以保護(hù)繼電器的方法和元器件。其中，PPTC可以防止過(guò)流對(duì)繼電器的損害，MOV、MLV等過(guò)壓保護(hù)器件可以防止電壓過(guò)大對(duì)繼電器造成的損害。
2008-12-31
繼電器 保護(hù)電路 PPTC MOV MLV
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連接器 長(zhǎng)安揚(yáng)明提高創(chuàng)新能力應(yīng)對(duì)金融危機(jī)
長(zhǎng)安揚(yáng)明精密端子接插件連接器公司，通過(guò)提高技術(shù)裝備、創(chuàng)新研發(fā)水平，積極應(yīng)對(duì)金融危機(jī)。目前揚(yáng)明公司技術(shù)研發(fā)成果喜人，平均每個(gè)月有4個(gè)新產(chǎn)品面世，共開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品上千種。
2008-12-31
連接器 電腦 游戲機(jī) 網(wǎng)絡(luò)通訊 原始設(shè)備
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連接器 長(zhǎng)安揚(yáng)明提高創(chuàng)新能力應(yīng)對(duì)金融危機(jī)
長(zhǎng)安揚(yáng)明精密端子接插件連接器公司，通過(guò)提高技術(shù)裝備、創(chuàng)新研發(fā)水平，積極應(yīng)對(duì)金融危機(jī)。目前揚(yáng)明公司技術(shù)研發(fā)成果喜人，平均每個(gè)月有4個(gè)新產(chǎn)品面世，共開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品上千種。
2008-12-31
連接器 電腦 游戲機(jī) 網(wǎng)絡(luò)通訊 原始設(shè)備
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連接器 長(zhǎng)安揚(yáng)明提高創(chuàng)新能力應(yīng)對(duì)金融危機(jī)
長(zhǎng)安揚(yáng)明精密端子接插件連接器公司，通過(guò)提高技術(shù)裝備、創(chuàng)新研發(fā)水平，積極應(yīng)對(duì)金融危機(jī)。目前揚(yáng)明公司技術(shù)研發(fā)成果喜人，平均每個(gè)月有4個(gè)新產(chǎn)品面世，共開(kāi)發(fā)新產(chǎn)品上千種。
2008-12-31
連接器 電腦 游戲機(jī) 網(wǎng)絡(luò)通訊 原始設(shè)備
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元器件行業(yè)：不景氣環(huán)境下的機(jī)會(huì)
雖然困難重重，但2009年行業(yè)運(yùn)行并不會(huì)一無(wú)是處。2009年元器件行業(yè)最大的風(fēng)險(xiǎn)仍然來(lái)自于下游需求的疲軟；盡管如此，我們?nèi)耘袛嘈袠I(yè)2009年將會(huì)表現(xiàn)出一些亮點(diǎn)
2008-12-31
半導(dǎo)體 液晶面板 PCB 元器件 電子元器件
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元器件行業(yè)：不景氣環(huán)境下的機(jī)會(huì)
雖然困難重重，但2009年行業(yè)運(yùn)行并不會(huì)一無(wú)是處。2009年元器件行業(yè)最大的風(fēng)險(xiǎn)仍然來(lái)自于下游需求的疲軟；盡管如此，我們?nèi)耘袛嘈袠I(yè)2009年將會(huì)表現(xiàn)出一些亮點(diǎn)
2008-12-31
半導(dǎo)體 液晶面板 PCB 元器件 電子元器件
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元器件行業(yè)：不景氣環(huán)境下的機(jī)會(huì)
雖然困難重重，但2009年行業(yè)運(yùn)行并不會(huì)一無(wú)是處。2009年元器件行業(yè)最大的風(fēng)險(xiǎn)仍然來(lái)自于下游需求的疲軟；盡管如此，我們?nèi)耘袛嘈袠I(yè)2009年將會(huì)表現(xiàn)出一些亮點(diǎn)
2008-12-31
半導(dǎo)體 液晶面板 PCB 元器件 電子元器件
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ZXMS6004FF：Diodes自保護(hù)式MOSFET
Diodes公司擴(kuò)展其IntelliFET產(chǎn)品系列，推出全球體積最小的完全自保護(hù)式低壓側(cè)MOSFET。該ZXMS6004FF元件采用2.3 mm x 2.8mm扁平SOT23F封裝，與正在使用的7.3 mm x 6.7mm SOT223封裝的元件相比節(jié)省了85%的占板空間。
2008-12-31
ZXMS6004FF IntelliFET MOSFET 靜電放電 ESD 過(guò)壓保護(hù) 過(guò)流保護(hù) 過(guò)溫保護(hù)
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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