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保護(hù)器件過(guò)電應(yīng)力失效機(jī)理和失效現(xiàn)象淺析
半導(dǎo)體元器件在整機(jī)應(yīng)用端的失效主要為各種過(guò)應(yīng)力導(dǎo)致的失效，器件的過(guò)應(yīng)力主要包括工作環(huán)境的緩變或者突變引起的過(guò)應(yīng)力，當(dāng)半導(dǎo)體元器件的工作環(huán)境發(fā)生變化并產(chǎn)生超出器件最大可承受的應(yīng)力時(shí)，元器件發(fā)生失效。應(yīng)力的種類繁多，如表1，其中過(guò)電應(yīng)力導(dǎo)致的失效相對(duì)其它應(yīng)力更為常見(jiàn)。
2021-11-16
保護(hù)器件 過(guò)電應(yīng)力失效
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基于模型的GAN PA設(shè)計(jì)基礎(chǔ)知識(shí)：GAN晶體管S參數(shù)、線性穩(wěn)定性分析與電阻穩(wěn)定性
在簡(jiǎn)單的線性射頻/微波放大器設(shè)計(jì)中，一般利用s參數(shù)匹配使增益和增益平坦度最大。同樣也會(huì)利用這些 S 參數(shù)數(shù)據(jù)來(lái)開(kāi)發(fā)匹配網(wǎng)絡(luò)，以解決放大器穩(wěn)定性問(wèn)題。本文討論在設(shè)計(jì)氮化鎵 (GaN) 功率放大器 (PA) 過(guò)程中，使用模型模擬基本的 S 參數(shù)和穩(wěn)定性分析的重要性。文中介紹使用模型和電阻穩(wěn)定性技術(shù)來(lái)幫...
2021-11-16
GAN晶體管 S參數(shù) 電阻穩(wěn)定性
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分析無(wú)芯變壓器柵極驅(qū)動(dòng)器
功率器件在工業(yè)和汽車(chē)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)中起著決定性的作用。為了滿足這些應(yīng)用的特定要求并縮短上市時(shí)間，ROHM使用專有的微制造工藝來(lái)開(kāi)發(fā)無(wú)核片上變壓器，以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健的隔離，這對(duì)SiC技術(shù)尤其有用。碳化硅已被引入工業(yè)和汽車(chē)市場(chǎng)的廣泛應(yīng)用中，包括太陽(yáng)能逆變器，所有類型的高壓電源和汽車(chē)車(chē)載電池充電器。
2021-11-15
無(wú)芯變壓器 柵極驅(qū)動(dòng)器
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適用于工業(yè)應(yīng)用的 NAND 閃存
如今，在 NAND 閃存行業(yè)中，隨處可見(jiàn)存儲(chǔ)密度又達(dá)到新高的各種新聞。閃存早已實(shí)現(xiàn)了 100 層以上的技術(shù)，并且在短期內(nèi)似乎并沒(méi)有遇到瓶頸的跡象。
2021-11-15
工業(yè)應(yīng)用 NAND 閃存
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運(yùn)算放大器輸出電壓反向問(wèn)題：正確選型，輕松化解！
當(dāng)運(yùn)算放大器的其中一個(gè)內(nèi)部級(jí)不再具有足夠的偏置電壓并因此關(guān)閉時(shí)，通常會(huì)出現(xiàn)這種情況。這將導(dǎo)致輸出電壓擺幅到相反的供電軌上，直至輸入返回到共模范圍，如下所示（在電壓跟隨器中）。請(qǐng)注意，輸入仍可位于電源電壓軌中，但只能高于或低于某個(gè)指定共模限值。
2021-11-12
運(yùn)算放大器 電壓反向
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在選擇SoC和專用音頻DSP時(shí)，這些問(wèn)題你應(yīng)該考慮到！
低延時(shí)、實(shí)時(shí)聲學(xué)處理是許多嵌入式處理應(yīng)用的關(guān)鍵因素，其中包括語(yǔ)音預(yù)處理、語(yǔ)音識(shí)別和主動(dòng)降噪(ANC)。隨著這些應(yīng)用領(lǐng)域?qū)?shí)時(shí)性能的要求穩(wěn)步提高，開(kāi)發(fā)人員需要以戰(zhàn)略思維來(lái)妥善應(yīng)對(duì)這些要求。
2021-11-12
SoC 專用音頻DSP
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如何最大限度減小電源設(shè)計(jì)中輸出電容的數(shù)量和尺寸？
電源輸出電容一般是100 nF至100 μF的陶瓷電容，它們耗費(fèi)資金，占用空間，而且，在遇到交付瓶頸的時(shí)候還會(huì)難以獲得。所以，如何最大限度減小輸出電容的數(shù)量和尺寸，這個(gè)問(wèn)題反復(fù)被提及。
2021-11-12
電源設(shè)計(jì) 輸出電容
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二極管串聯(lián)不均壓因素分析
二極管串聯(lián)不均壓主要原因來(lái)自自身和外部?jī)深悺Ｗ陨碓蛑饕杉庸すに囋斐傻?，外因主要是由外部電路造成的。同一批次生產(chǎn)出來(lái)二極管的伏安特性不一致，造成二極管的靜態(tài)不均壓；反向恢復(fù)時(shí)間及開(kāi)通狀態(tài)的不一致造成二極管的動(dòng)態(tài)不均壓目。外部電路設(shè)計(jì)會(huì)造成雜散電感和電容，在高壓高頻環(huán)境中會(huì)造...
2021-11-11
二極管 串聯(lián)
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可視化的片上網(wǎng)絡(luò)（NoC）性能分析
Achronix 最新基于臺(tái)積電（TSMC）的7nm FinFET工藝的Speedster7t FPGA器件包含了革命性的新型二維片上網(wǎng)絡(luò)（2D NoC）。2D NoC如同在FPGA可編程邏輯結(jié)構(gòu)上運(yùn)行的高速公路網(wǎng)絡(luò)一樣，為FPGA外部高速接口和內(nèi)部可編程邏輯的數(shù)據(jù)傳輸提供了超高帶寬。
2021-11-11
片上網(wǎng)絡(luò) NoC
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