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通信廣電

解讀小器件、大作用，MOS管五大關鍵點

在一塊濃度較低的P型硅上擴散兩個濃度較高的N型區(qū)作為漏極和源極，半導體表面覆蓋二氧化硅絕緣層并引出一個電極作為柵極。

2018-05-25

MOS管 N溝道

電磁干擾(EMI)濾波減少精密模擬應用中的誤差

在醫(yī)療設備、汽車儀器儀表和工業(yè)控制等科技領域中，當設備設計涉及應變計、傳感器接口和電流監(jiān)控時，通常需要采用精密模擬前端放大器，以便提取并放大非常微弱的真實信號，并抑制共模電壓和噪聲等無用信號。首先，設計人員將集中精力確保器件級噪聲、失調(diào)、增益和溫度穩(wěn)定性等精度參數(shù)符合應用要求。

2018-05-25

電磁干擾濾波

Synopsys IC Validator獲得GLOBALFOUNDRIES 14LPP物理驗證Signoff認證

Synopsys 宣布，Synopsys IC Validator工具已獲得GLOBALFOUNDRIES（GF ）認證，將用于GF 14LPP工藝技術(shù)的物理驗證Signoff。憑借此Signoff認證，設計工程師可以借助IC Validator的快速性和可擴展性，實現(xiàn)高水平的可制造性和最大生產(chǎn) 量。目前GF可以提供各種認證的運行集，包括DRC、LVS和金...

2018-05-24

Synopsys IC 物理驗證 Signoff認證

高速電路設計中不可忽略的一個重要因素

在高速電路設計中，鏈路中的每一個參數(shù)都有可能導致傳遞的信號出問題。今天就和大家分享一個平常大家不太注意的參數(shù)。

2018-05-24

高速電路信號完整性電路設計

巧用Bertscope進行芯片/系統(tǒng)的接收端容限測試和調(diào)試分析

在用戶進行系統(tǒng)或者芯片測試的時候，一般主要驗證幾個方面的性能和可靠性，包括系統(tǒng)發(fā)送端的信號質(zhì)量，鏈路的損耗/串擾，接收端的容限。如下圖1，一個鏈路系統(tǒng)的基本架構(gòu)。通常在發(fā)送端會使用FFE來補償鏈路的損耗，接收端會采用DFE/FFE等方法來進行均衡，一些比較高速率的標準如PCIE 4.0/5.0,SAS4等...

2018-05-24

Bertscope BSX 芯片

如何防止系統(tǒng)受損？從電源排序入手

諸如電信設備、存儲模塊、光學系統(tǒng)、網(wǎng)絡設備、服務器和基站等許多復雜系統(tǒng)都采用了 FPGA 和其他需要多個電壓軌的數(shù)字 IC，這些電壓軌必須以一個特定的順序進行啟動和停機操作，否則 IC 就會遭到損壞。

2018-05-24

電源排序 FPGA 電壓軌數(shù)字IC

第三屆大聯(lián)大創(chuàng)新設計大賽晉級團隊出爐

大聯(lián)大控股宣布，第三屆“大聯(lián)大創(chuàng)新設計大賽”（WPG i-Design Contest）在經(jīng)過專家評審后已有55支團隊從271支報名隊伍中脫穎而出。大聯(lián)大將為進入復賽的團隊提供從開發(fā)板到資金的支持，并將對最后獲獎的團隊提供價值不菲的獎金。

2018-05-23

大聯(lián)大大賽創(chuàng)新設計

意法半導體推出專業(yè)MEMS開發(fā)工具，實現(xiàn)MEMS 傳感可視化

意法半導體推出可視化的 Profi MEMS Tool 開發(fā)平臺，方便工程師查看MEMS 傳感器的工作狀態(tài)，加快產(chǎn)品上市時間，并最大限度提高新產(chǎn)品設計的性能。

2018-05-23

意法半導體 MEMS Profi-MEMS-Tool

詳解晶閘管的基本結(jié)構(gòu)知識

一般地，具有PNPN四層三結(jié)結(jié)構(gòu)的器件是晶閘管。嚴格來說，根據(jù)國際電工委員會（IEC）的標準定義，具有3個或者3個以上PN結(jié)，其伏安特性至少在一個象限內(nèi)具有導通和阻斷兩個穩(wěn)定狀態(tài)，并可以在兩個狀態(tài)之間進行切換的電力半導體器件為晶閘管。晶閘管可以分為很多類型，比如內(nèi)部存在反并聯(lián)二極管的逆導...

2018-05-23

晶閘管半控型晶閘管