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安森美推出帶開(kāi)關(guān)控制器的電流鏡及SENSEFET?功率MOSFET
應(yīng)用于高能效電子產(chǎn)品的首要高性能硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體推出帶開(kāi)關(guān)控制器的電流鏡CAT2300,將這器件與安森美半導(dǎo)體的NTMFS4833NS或NTMFS4854NS SENSEFET? 功率MOSFET器件結(jié)合使用,能提供緊湊、高能效的電流監(jiān)控方案。這些新器件的組合提供系統(tǒng)級(jí)電源管理,用于便攜計(jì)算機(jī)及網(wǎng)絡(luò)設(shè)備等應(yīng)用。
2011-08-22
CAT2300 安森美 SENSEFET MOSFET NTMFS4833NS NTMFS4854NS
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8月大尺寸LCD面板價(jià)格下跌速度放緩
據(jù)IHS iSuppli公司的液晶顯示器(LCD)價(jià)格研究報(bào)告,8月份大尺寸LCD面板價(jià)格下降速度預(yù)計(jì)略慢于7月,供應(yīng)商積極降低產(chǎn)能利用率預(yù)計(jì)會(huì)防止面板價(jià)格進(jìn)一步下滑。
2011-08-22
LCD 液晶顯示器 iSuppli
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行業(yè)巨擘悉數(shù)登場(chǎng)LED權(quán)威盛會(huì)CHINASSL2011
由國(guó)家半導(dǎo)體照明工程研發(fā)及產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟(CSA)與勵(lì)展博覽集團(tuán)(Reed Exhibitions)共同舉辦的第八屆中國(guó)國(guó)際半導(dǎo)體照明展覽會(huì)暨論壇(CHINASSL2011)今年將移師廣州,定于11月8日-10日在廣州白云國(guó)際會(huì)議中心隆重召開(kāi)。
2011-08-21
LED SSL 半導(dǎo)體 照明
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傳感器電路的噪聲及其抗干擾技術(shù)研究
傳感器電路很容易接收到外界或內(nèi)部一些無(wú)規(guī)則的噪聲或干擾信號(hào),如果這些噪聲和干擾的大小可以與有用信號(hào)相比較,那么在傳感器電路的輸出端有用信號(hào)將有可能被淹沒(méi),或由于有用信號(hào)分量和噪聲干擾分量難以分辨,則必將妨礙對(duì)有用信號(hào)的測(cè)量。所以在傳感器電路的設(shè)計(jì)中,往往抗干擾設(shè)計(jì)是傳感器電路...
2011-08-19
傳感器 噪聲 干擾
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提高LED顯示屏顯示效果的相關(guān)技術(shù)分析
近年來(lái),全彩色LED顯示屏在體育場(chǎng)館、道路交通、廣告宣傳、租賃等方面的應(yīng)用出現(xiàn)快速增長(zhǎng)的趨勢(shì)。據(jù)美國(guó)Standford Resources對(duì)LED顯示屏產(chǎn)品國(guó)際市場(chǎng)概況的預(yù)測(cè),當(dāng)前和未來(lái)市場(chǎng)上對(duì)LED顯示屏產(chǎn)品的采用將會(huì)以全彩高畫質(zhì)為主,因此需要在LED大屏幕顯示控制技術(shù)和新產(chǎn)品設(shè)計(jì)方面隨時(shí)把握市場(chǎng)趨勢(shì),攻...
2011-08-19
LED顯示屏 灰度 對(duì)比度 顯示控制
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OLED面板大勢(shì)所趨 未來(lái)市場(chǎng)格局成疑
近日消息稱,韓國(guó)LGDisplay公司打算投資約28.3億美元(約合180億元人民幣)用于大批量生產(chǎn)OLED面板,并預(yù)計(jì)這些面板將于2014年下半年正式量產(chǎn)。事實(shí)上,索尼曾經(jīng)推出的11寸OLED電視,與現(xiàn)有液晶顯示器面板相比,重量更輕,厚度更薄,同時(shí)還可提高圖像對(duì)比度,但最終還是走向停產(chǎn),那么,步索尼后塵...
2011-08-19
OLED 面板 市場(chǎng)
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影響LED顯示屏逐點(diǎn)校正效果的因素分析
逐點(diǎn)校正做為一項(xiàng)大幅度提升顯示質(zhì)量的技術(shù),無(wú)論是廠家還是客戶,其首要的關(guān)注點(diǎn)無(wú)疑是校正效果。然而,當(dāng)前逐點(diǎn)校正應(yīng)用的效果還存在著各種各樣的不盡如人意的地方。筆者通過(guò)大量的觀察、交流與校正實(shí)踐,對(duì)逐點(diǎn)校正效果存在的常見(jiàn)問(wèn)題及其出現(xiàn)的原因進(jìn)行了歸納與分解。
2011-08-18
LED顯示屏 逐點(diǎn)校正 LED
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SiB437EDKT:Vishay推出微型低導(dǎo)通電阻功率MOSFET用于便攜設(shè)備
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,發(fā)布占位面積為1.6mmx1.6mm、高度小于0.8mm的新款8V P溝道TrenchFET?功率MOSFET---SiB437EDKT。此外,SiB437EDKT是唯一能在1.2V下導(dǎo)通的此類器件。
2011-08-18
SiB437EDKT Vishay 功率MOSFET
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超越智能的觸摸傳感解決方案
電容式的感應(yīng)產(chǎn)品正在以非??斓乃俣冗M(jìn)入觸摸感應(yīng)的整體技術(shù)市場(chǎng)。據(jù)預(yù)測(cè)顯示,2011年的單年觸摸感應(yīng)半導(dǎo)體需求將達(dá)到30億美元。到2011年僅手機(jī)應(yīng)用中的觸摸感應(yīng)份額將增長(zhǎng)到4億件。這是一個(gè)非??捎^的數(shù)字。
2011-08-18
電容式 傳感器 電場(chǎng)感應(yīng) 觸摸感應(yīng)
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