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讓有刷DC或雙極步進(jìn)馬達(dá)驅(qū)動(dòng)變得更容易！
眾所周知，步進(jìn)馬達(dá)能夠在開(kāi)環(huán)條件下進(jìn)行電流變向的同時(shí)，還能對(duì)速度和位置實(shí)施精確的控制。因此，在談到電子驅(qū)動(dòng)的簡(jiǎn)便性時(shí)，步進(jìn)馬達(dá)具有無(wú)與倫比的優(yōu)勢(shì)。另外，同許多由一些有刷 DC 馬達(dá)或者三相無(wú)刷 DC 馬達(dá)組成的類(lèi)似伺服驅(qū)動(dòng)器相比，它還具有另一種與身具來(lái)的能力：指定位置保持。
2012-07-06
有刷DC 雙極 步進(jìn) 馬達(dá)驅(qū)動(dòng)
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解讀耦合電感 SEPIC 轉(zhuǎn)換器的優(yōu)勢(shì)
單端初級(jí)電感轉(zhuǎn)換器 (SEPIC) 能夠通過(guò)一個(gè)大于或者小于調(diào)節(jié)輸出電壓的輸入電壓工作。除能夠起到一個(gè)降壓及升壓轉(zhuǎn)換器的作用以外，SEPIC 還具有最少的有源組件、一個(gè)簡(jiǎn)易控制器和鉗位開(kāi)關(guān)波形，從而提供低噪聲運(yùn)行?？词欠袷褂脙蓚€(gè)磁繞組，是我們識(shí)別 SEPIC 的一般方法。這些繞組可繞于共用鐵芯上，...
2012-07-03
耦合電感 SEPIC 轉(zhuǎn)換器
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走向環(huán)保：提高反向轉(zhuǎn)換器效率
插到墻上電源插座的普通墻上適配器每年要花去用戶(hù)大約 3 美元。通過(guò)“能源之星”計(jì)劃，北美許多國(guó)家正致力于降低該費(fèi)用，以及減少制造該電源所帶來(lái)的污染。許多墻上適配器和其他低功耗隔離式電源都使用了反向轉(zhuǎn)換器，因?yàn)槠浣Y(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本較低。但是，反向轉(zhuǎn)換器并非以高效率見(jiàn)長(zhǎng)，低輸出電壓時(shí)更是如...
2012-07-03
反向 轉(zhuǎn)換器 效率
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高頻率、高輸入電壓DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)
DC/DC轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)頻率越來(lái)越快，目的是減小輸出電容和電感的尺寸，以節(jié)省電路板空間。正因如此，現(xiàn)在市場(chǎng)上出現(xiàn)越來(lái)越多工作在高輸入電壓下的DC/DC轉(zhuǎn)換器，其可提供線壓瞬態(tài)保護(hù)，更低的占空比使更快頻率下難以達(dá)到更低的電壓。許多電源集成電路制造廠商（IC）正在積極推銷(xiāo)高頻DC/DC轉(zhuǎn)換器，聲稱(chēng)可...
2012-07-02
電壓 DC/DC 轉(zhuǎn)換器
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Vishay Siliconix功率MOSFET在4.5V時(shí)導(dǎo)通電阻僅為9.4 m?
日前，Vishay宣布推出新款8V N溝道TrenchFET功率MOSFET---SiA436DJ。該器件采用占位面積2mm x 2mm的熱增強(qiáng)型PowerPAK SC-70封裝，具有N溝道器件中最低的導(dǎo)通電阻，4.5V時(shí)導(dǎo)通電阻僅為9.4 m?。
2012-06-29
TrenchFET 功率MOSFET N溝道器件
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更高的集成度、更低的成本需要更深入的系統(tǒng)理解
行業(yè)分析師們一致認(rèn)為未來(lái)系統(tǒng)的發(fā)展趨勢(shì)是移動(dòng)便攜、“綠色”節(jié)能，以及在終端設(shè)備中集成更多的傳感器。這種發(fā)展趨勢(shì)，要求模數(shù) (ADC) 轉(zhuǎn)換器和數(shù)模 (DAC) 轉(zhuǎn)換器具有更多的通道數(shù)、更高的速度和性能，同時(shí)還要求更低的功耗預(yù)算、更小的尺寸以及更低的成本。
2012-06-29
集成度 成本 系統(tǒng)
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高可靠性醫(yī)療設(shè)備電源選型參考與應(yīng)用實(shí)例
一臺(tái)醫(yī)療設(shè)備在醫(yī)院是否能夠發(fā)揮其最大效能，除了與機(jī)器本身的技術(shù)性能有直接的關(guān)系外，還和供電電源的質(zhì)量有著極其重要的關(guān)系。電源品質(zhì)的好壞，將直接影響醫(yī)療設(shè)備的運(yùn)行穩(wěn)定性和可靠性，甚至導(dǎo)致重大醫(yī)療設(shè)備事故和造成巨大的經(jīng)濟(jì)損失。為此，深圳中電華星電子技術(shù)有限公司針對(duì)目前醫(yī)療設(shè)備市場(chǎng)...
2012-06-28
醫(yī)療電子 電源選型
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Vishay新款MLCC的Q值可達(dá)2000以上 適合高頻和微波應(yīng)用
Vishay宣布推出新系列表面貼裝多層陶瓷片式電容器(MLCC)--- VJ HIFREQ。器件具有高自振、大于2000的高Q值、小于0.05%的低介質(zhì)損耗角，可在高頻商用應(yīng)用中工作。
2012-06-27
MLCC 高Q值 Vishay 高頻
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羅姆超低IR肖特基勢(shì)壘二極管降低車(chē)載、電源設(shè)備的功耗達(dá)40％
日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都）近日面向車(chē)載、電源設(shè)備，開(kāi)發(fā)出高溫環(huán)境下亦可使用的超低IR肖特基勢(shì)壘二極管“RBxx8系列”。與傳統(tǒng)的車(chē)載用整流二極管相比，可降低約40%的功耗，非常有助于電動(dòng)車(chē)（EV）和混合動(dòng)力車(chē)（HEV）等要求更低功耗的電路節(jié)能。
2012-06-27
羅姆 二極管 RBxx8系列
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