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太陽能電池模塊2011年銷售額將與上年持平
據(jù)美國IHS iSuppli預(yù)測，全球2011年的太陽能電池模塊銷售額將與2010年的346億美元持平。雖然太陽能電池系統(tǒng)的設(shè)置量本身增加，但是受模塊價格在2011年上半年暴跌的影響，銷售額增長乏力。
2011-08-29
太陽能 太陽能電池 太陽能電池系統(tǒng) 太陽能電池模塊
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ASSP XOTM系列：Pericom推出特定應(yīng)用電壓控制的晶體振蕩器
全球領(lǐng)先的高速連接、時鐘和信號調(diào)節(jié)芯片及晶振解決方案供應(yīng)商百利通半導(dǎo)體公司（Pericom，納斯達(dá)克股票市場代碼：PSEM）日前宣布：擴展其特定應(yīng)用晶體振蕩器（ASSP XOTM）系列，推出一條新的ASSP電壓控制晶體振蕩器（VCXO）產(chǎn)品線。這些解決方案以滿足日益增加的通信基礎(chǔ)設(shè)施、寬帶接入和以太網(wǎng)市...
2011-08-29
Pericom 晶體 ASSP VCXO
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同步整流以及電荷保持驅(qū)動技術(shù)
目前,越來越多的IC芯片都需要低電壓供電。隨著功率變換器輸出電壓的降低,整流損耗成為變換器的主要損耗。為使變換器達(dá)到很高的效率,必須降低整流損耗。我們采用低導(dǎo)通電阻的MOSFET 進行整流,這是提高變換器效率的一種有效途徑。
2011-08-29
整流 電荷 變壓器 開關(guān)管
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PMOS開關(guān)管的選擇與電路圖
在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開關(guān)。當(dāng)在N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時，其開關(guān)導(dǎo)通。導(dǎo)通時，電流可經(jīng)開關(guān)從漏極流向源極。漏極和源極之間存在一個內(nèi)阻，稱為導(dǎo)通電阻RDS(ON)。必須清楚MOSFET的柵極是個高阻抗端，因此，總是要在柵極加上一個電壓。
2011-08-26
PMOS開關(guān)管 開關(guān)管 MOSFET 二極管
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Vishay 新型電子元器件在工業(yè)及新能源中的應(yīng)用
知名分立器件和被動元件供應(yīng)商Vishay 繼23日在成都成功舉辦了技術(shù)專場之后，25日整體技術(shù)團隊移師西安，進一步把在工業(yè)及新能源應(yīng)用的新型元器件技術(shù)帶給西部的電子市場。會議集電源管理、二極管與功率模塊、電容、光耦四場技術(shù)演講，全面講解了新型元器件在新能源、逆變器、通訊、高可靠性和工業(yè)領(lǐng)...
2011-08-25
Vishay 新能源元器件 2011西部電子論壇
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Vishay西部新能源元器件體系概述
知名分立器件和被動元件供應(yīng)商Vishay 于23日在成都明悅大酒店舉辦了在西部電子論壇的首站演講——成都Vishay 技術(shù)專場講座，會議集二極管與功率模塊、光耦、電源管理、電容四場技術(shù)演講，全面講解了新型元器件在新能源、逆變器、通訊、高可靠性和工業(yè)領(lǐng)域的設(shè)計。
2011-08-25
Vishay 新能源元器件 2011西部電子論壇
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Vishay 技術(shù)專場華麗登陸成都和西安！
受環(huán)保意識高漲和日本核泄漏的影響，太陽能發(fā)電和風(fēng)力發(fā)電越發(fā)成為新能源利用的核心。太陽能發(fā)電風(fēng)電實現(xiàn)并網(wǎng)的核心組件是光伏逆變器和風(fēng)電變流器。效率和可靠性是逆變器、變流器設(shè)計的關(guān)鍵，而新型功率器件和被動元件的使用可以有效降低逆變器/變流器損耗，提高效率和可靠性。針對這一需求，國際知...
2011-08-25
vishay 西部電子展
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用于智能電表的非隔離式AC/DC降壓轉(zhuǎn)換器
諸如智能電表或者功率監(jiān)控器的離線設(shè)備都有一些要求10W以下非隔離DC電源的電子元件。到目前為止，通過一個AC電源提供低功耗DC電源的唯一實用方法仍然是在整流器后面使用一個效率極低、未經(jīng)調(diào)節(jié)的電阻/電容分壓器，或者一個難以設(shè)計的反向DC/DC轉(zhuǎn)換器。MOSFET 技術(shù)的一些進展以及創(chuàng)新的磁滯降壓控制...
2011-08-25
智能電表 非隔離式 AC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器
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短溝道MOSFET散粒噪聲測試方法研究
文中所介紹的測試系統(tǒng)是在屏蔽環(huán)境下將被測器件置于低溫裝置內(nèi)，抑制了外界噪聲干擾；同時使用低噪聲前置放大器使散粒噪聲充分放大，并降低噪聲；通過提取噪聲頻譜高頻段平均值，去除了低頻1/f噪聲的影響，使測試結(jié)果更加的準(zhǔn)確。
2011-08-25
MOSFET 短溝道MOSFET 散粒噪聲測試
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