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GaN耐壓600V產(chǎn)品亮相，SiC功率元件開發(fā)加快
進(jìn)入2012年后，SiC功率元件的開發(fā)也在加快，最先行動的是羅姆，，科銳及三菱電機(jī)則緊跟其后。GaN功率元件在2012年也有長足進(jìn)步，已有耐壓600V的GaN功率晶體管產(chǎn)品亮相，2013年相關(guān)行動將更為活躍。
2012-12-26
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羅姆首款無需肖特基勢壘二極管的SiC-MOS模塊已開始量產(chǎn)
通常，為了實現(xiàn)大電流化，一般采用增加MOSFET使用數(shù)量等方法來實現(xiàn)，但這需要整流元件即二極管配套使用，因此長期以來很難保持小型尺寸。羅姆近日成功開發(fā)出無需整流元件—二極管的SiC功率模塊，支持1200V/180A，大幅降低逆變器電力損耗，現(xiàn)已開始量產(chǎn)。
2012-12-26
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高功率的前端PD接口控制器的設(shè)計電路
Microsemi的前端PD接口控制器提供通信市場上的最高水平的功率，內(nèi)置0.3Ω隔離開關(guān)和浪涌電流限制器，此裝置可實現(xiàn)更廣泛的覆蓋率為PoE通信應(yīng)用，包括戶外IP攝像機(jī)和顯示器。
2012-12-26
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如何根據(jù)應(yīng)用選擇LED驅(qū)動？
LED驅(qū)動IC性能要根據(jù)不同應(yīng)用來看，不能一概而論。線性穩(wěn)壓器來轉(zhuǎn)換電壓會面臨功耗問題，開關(guān)方式則有噪聲的問題。
2012-12-26
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什么是矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀
矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀器 一種電磁波能量的測試設(shè)備。矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的原理與使用力直接取決于系統(tǒng)的動態(tài)范圍指標(biāo)。相位波動參數(shù)的測試是利用矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀的電子延遲(Electrical Delay)功能來實現(xiàn)的。
2012-12-26
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小功率充電器的設(shè)計
單端輸出IC為UC3842，其8腳輸出5 V基準(zhǔn)電壓，2腳為反相輸入，1腳為放大器輸出，4腳為振蕩電容C9，電阻R7輸入端，5腳為接地端，3腳為過流保護(hù)端，6腳為調(diào)寬單脈沖輸出端，7腳為電源輸入端。
2012-12-25
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什么是陶瓷電容器？
陶瓷電容器（ceramic capacitor；ceramic condenser ） 就是用陶瓷作為電介質(zhì)，在陶瓷基體兩面噴涂銀層，然后經(jīng)低溫?zé)摄y質(zhì)薄膜作極板而制成。它的外形以片式居多，也有管形、圓形等形狀?！√沾呻娙萜魇且蕴沾刹牧蠟榻橘|(zhì)的電容器的總稱。其品種繁多，外形尺寸相差甚大。
2012-12-23
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四款用于極小口徑終端的砷化鎵放大器
TriQuint推出四款新放大器，采用創(chuàng)新封裝來簡化組裝，它令制造商更易于通過將半導(dǎo)體FET或MMIC放大器放在均熱器上來處置晶粒級器件和組裝元件。是用于點對點微波無線電和極小口徑終端 (VSAT) 等商業(yè)應(yīng)用的理想選擇。
2012-12-21
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2013年電子晶圓市場將增長6%
IC Insights表示，2013年全球GDP成長率預(yù)測為3.2%，主要動力來自于中國與美國經(jīng)濟(jì)狀況改善，包括美國房市需求、以及就業(yè)市場用人需求轉(zhuǎn)強，以及中國的工廠產(chǎn)能與零售業(yè)銷售額加速成長。
2012-12-21
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門禁系統(tǒng)原理
門禁系統(tǒng)，又稱出入管理控制系統(tǒng)，是一種管理人員進(jìn)出的數(shù)字化管理系統(tǒng)。常見的門禁系統(tǒng)有：密碼門禁系統(tǒng)，非接觸 IC 卡 ( 感應(yīng)式 IC 卡 ) 門禁系統(tǒng)，指紋虹膜掌型生物識別門禁系統(tǒng)等的總稱。密碼門禁系統(tǒng)由于其本身的安全性弱和便捷性差已經(jīng)面臨淘汰，生物識別門禁。
2012-12-21
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簡化電動自行車設(shè)計三相柵極驅(qū)動IC
IR推出IR3230SPbF三相柵極驅(qū)動IC，專為電動自行車應(yīng)用而設(shè)計，通過集成所有必要的功能及保護(hù)性能，提供比分立式方案更加堅固耐用和可靠的解決方案。能夠在48V電池系統(tǒng)下操作，且整合了多項保護(hù)功能，從而減少器件數(shù)量并提升系統(tǒng)的可靠性。
2012-12-20
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性能優(yōu)于Si材料的SiC蕭特基二極管
Microsemi新型SiC蕭特基二極管提升功率轉(zhuǎn)換效率，與硅(Si)材料相較，碳化硅(SiC)材料具有多項優(yōu)勢，包括較高的崩潰電場強度和更佳導(dǎo)熱率，這些特性可讓設(shè)計人員制作具有更好性能特性的組件。
2012-12-20
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
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