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物聯網產業(yè)鏈現投資新模式
7月13日，美國IC（集成電路）專業(yè)風投公司Tallwood和無錫新區(qū)正式簽約，合作成立5000萬美元的IC專業(yè)投資基金，其中Tallwood將出資85%，無錫新區(qū)將出資15%。該合資公司將會成為Tall－wood在華投資總部，主要投資設計、封裝、測試等IC相關項目，并計劃投資40%的資本在無錫本地，目標成為中國最成功的IC專業(yè)股權投資公司。
2010-07-21
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2009年中國封測企業(yè)大排行
縱觀2009年的IC封測產業(yè)，從市場調查數據顯示目前中國封測市場還是以外資企業(yè)為主，不過由于市場和成本的因素，中國的封測企業(yè)發(fā)展前景依然廣大！
2010-07-21
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Vishay Siliconix 推出三款新型500V N溝道功率MOSFET
Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出三款新型500V、12A的N溝道功率MOSFET --- SiHP12N50C-E3、SiHF12N50C-E3和SiHB12N50C-E3，該MOSFET在10V柵極驅動下的最大導通電阻達到超低的0.555Ω，柵極電荷減小為48nC，采用TO-220、TO-220 FULLPAK和D2PAK(TO-263)封裝。
2010-07-20
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電子元器件：每周數據追蹤
根據拓墣產業(yè)研究所報告，受全球產業(yè)景氣、中國內需市場等多重因素拉動，10年上半年國內IC產值同比增速估計高達35%；但市場需求已放緩，庫存亦有緩慢抬升趨勢，預估10年銷售收入1380億元，增速在25%~30%，創(chuàng)歷史新高。
2010-07-20
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供需現差異 部分芯片產品交貨期拉長至20周
iSuppli指出，整體市場的交貨期比一個月以前所預期的拉長很多;例如功率 MOSFET 與小型訊號晶體管的交貨期在6月時約20周，雙極功率組件(bipolar Power devices)與整流器的交貨期則為18周;而在正常情況下，這些零組件的交貨期應該是10~12周。
2010-07-19
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SEMI：2010年半導體設備市場將達325億美元 中國大陸增長138%
SEMI近日在SEMICON West展會上發(fā)布了SEMI Capital Equipment Forecast年中報告，根據該報告2010年半導體設備銷售額將達到325億美元。
2010-07-19
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鋰電池保護電路綜述
鋰離子電池的保護電路就是要確保這樣的過度充電及放電狀態(tài)時的安全性，并防止特性劣化。鋰離子電池的保護電路是由保護IC及兩顆功率MOSFET所構成，其中保護IC監(jiān)視電池電壓，當有過度充電及放電狀態(tài)時切換到以外掛的功率MOSFET來保護電池，保護IC的功能有過度充電保護、過度放電保護和過電流／短路保護。
2010-07-18
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意法半導體（ST）縮小電涌保護器件尺寸
保護IC的全球領導廠商意法半導體推出創(chuàng)新的電涌保護芯片，通過將額定電涌能量吸收能力擴展到最大工作溫度，新產品有助于降低電子設備電涌保護器件的尺寸和成本。而市場現有競爭產品的保護性在工作溫度超過25°C時會大幅降低。
2010-07-16
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Mouser 備貨德州儀器MSP430? MCU Value Line和開發(fā)套件
Mouser Electronics，以其新產品快速導入知名，近日宣布備貨最新的德州儀器（TI）MSP430? Value Line 系列——超低價格的16位微處理器（MCU）。
2010-07-15
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Mouser 宣布備貨霍尼韋爾Limitless? WGLA 系列全局限位開關
Mouser Electronics，以其新產品快速導入知名，近日宣布備貨霍尼韋爾傳感控制Limitless? WGLA 系列全局限位開關。
2010-07-15
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基于ARM構架的Energy Micro低功率解決方案
能源敏感應用的配置不斷增加，它是指設備必須因為各種原因用一個單一電池長時間運作。通常包括的應用有能源計量、傳感器網絡或環(huán)境監(jiān)測的其它形式，在這些應用中設備的占空比很低，因此希望運行多年而不會受到用戶干預。 許多這些設備將使用流行的CR2032紐扣電池;一種3V的鋰/二氧化錳原電池。與5.6kΩ負載的2V終點電壓一樣，這些紐扣電池的典型容量為230mAh，相當于約0.5毫安的放電，這使它們的壽命長達400小時。但是，這種紐扣電池設計具有約為0.25μA的自放電率，這意味著它的保質期會長達20年。 在這兩個極端之間的就是能源敏感的應用;它在低電壓下運行的設備中電流消耗最小, 還提供可靠、可持續(xù)的功能。因此，很明顯，任何希望用一個單紐扣電池就實現類似主動壽命的應用都需要能夠將平均需求量維持在約0.25μA。
2010-07-15
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全面解析今年一季全球半導體硅片產能
國際半導體數據統(tǒng)計機構SICAS近期的統(tǒng)計數據中，表示采用MOS工藝以8英寸等值硅片計，另一類工藝為雙極工藝，通常用在模擬電路中。除了標有300mm硅片MOS之外，雙極數據以5英寸等值硅片計，而分立器件以6英寸等值硅片計?？偟陌雽wSC數據，包括雙極數據由5英寸轉換成8英寸利用轉換率0.391及分立器件由6英寸轉換成8英寸，利用轉換率0.563。
2010-07-15
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