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IGBT如何選擇，你真的了解嗎？
最近，碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN) 等寬禁帶半導(dǎo)體的應(yīng)用日益增多，受到廣泛關(guān)注。然而，在這些新技術(shù)出現(xiàn)之前，許多高功率應(yīng)用都是使用高效、可靠的絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT)，事實(shí)上，許多此類應(yīng)用仍然適合繼續(xù)使用 IGBT。在本文中，我們介紹 IGBT 器件的結(jié)構(gòu)和運(yùn)行，并列舉多種不同 IGBT 應(yīng)用的電路拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，然后探討這種多用途可靠技術(shù)的新興拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。
2023-08-04
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使用SiC MOSFET和Si IGBT柵極驅(qū)動優(yōu)化電源系統(tǒng)
在電動汽車 (EV) 和光伏 (PV) 系統(tǒng)等綠色能源應(yīng)用所需的 DC-DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電器、電機(jī)驅(qū)動器和交流 (AC) 逆變器中，碳化硅 (SiC) MOSFET 和硅 (Si) IGBT 是關(guān)鍵元件。但是如要獲得最高的效率，SiC MOSFET 和 Si IGBT 的柵極在導(dǎo)通和關(guān)斷時需要精確的驅(qū)動電壓（具體取決于所使用的器件）。
2023-08-03
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IEC 62443系列標(biāo)準(zhǔn)：如何防御基礎(chǔ)設(shè)施網(wǎng)絡(luò)攻擊
本文探討了IEC 62443系列標(biāo)準(zhǔn)的基本原理和優(yōu)勢。該標(biāo)準(zhǔn)包含了旨在確保網(wǎng)絡(luò)安全韌性并保護(hù)關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和數(shù)字工廠的一系列協(xié)議。這一領(lǐng)先標(biāo)準(zhǔn)提供了一個全面的安全層；不過也為尋求認(rèn)證的相關(guān)人員帶來了一些挑戰(zhàn)。本文將詳細(xì)闡釋安全IC如何為需達(dá)成工業(yè)自動化控制系統(tǒng)(IACS)組件認(rèn)證目標(biāo)的組織提供必要的幫助。
2023-08-03
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1200V,1700V,2000V......高性能碳化硅器件如何應(yīng)對持續(xù)挑戰(zhàn)？
SiC 等寬禁帶 (WBG) 器件對于當(dāng)今汽車和可再生能源等應(yīng)用至關(guān)重要。隨著我們的世界逐漸轉(zhuǎn)向使用可持續(xù)能源（主要是電力），能效比以往任何時候都更重要。提高開關(guān)模式能效的方法之一是降低銅損和開關(guān)損耗。然而，為了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)，直流母線電壓不斷上升，半導(dǎo)體技術(shù)必須發(fā)展以跟上步伐。這些技術(shù)對企業(yè)實(shí)現(xiàn)碳減排承諾至關(guān)重要。在本文中，安森美(onsemi)將探討下一代 SiC 器件如何演進(jìn)以應(yīng)對最新應(yīng)用的挑戰(zhàn)，本文還將闡釋穩(wěn)健的端到端供應(yīng)鏈對于確保持續(xù)成功的重要性。
2023-08-03
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硅麥音頻放大電路
昨天討論并測試了對于英飛凌的模擬接口硅麥的放大電路，?并利用LTspice進(jìn)行了仿真測試，?可以看到它能夠比較好的滿足對硅麥音頻放大的需要。? 但昨天博文中的電路有兩點(diǎn)缺陷，??一個就是當(dāng)放大信號比較大的時候，單管放大電路會出現(xiàn)比較大的失真。?第二個就是昨天給出的電路圖中存在一個小的BUG，?當(dāng)時這個R1忘記在電路圖中給繪制出來，?但在后面的仿真電路中是標(biāo)明的。
2023-08-02
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數(shù)字控制器補(bǔ)償模擬控制器
用于電源控制的新興數(shù)字 IC 缺乏模擬 IC 中常見的基本功能，例如內(nèi)置柵極驅(qū)動和電流限制。數(shù)字電源控制器通常僅具有 PWM（脈寬調(diào)制）邏輯輸出，并且分立柵極驅(qū)動器很少包含電流限制。此外，大多數(shù)受保護(hù)的 FET 僅在低頻、低側(cè)應(yīng)用中工作。
2023-08-02
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毫米波雷達(dá)半精度浮點(diǎn)存儲格式分析
雷達(dá)信號處理需要使用大量內(nèi)存進(jìn)行中間結(jié)果和最終結(jié)果的保存，而內(nèi)存大小直接影響處理芯片的成本。選擇合適的數(shù)據(jù)存儲格式，既保留較高的信號分辨率和動態(tài)范圍，又不占用太大的存儲空間是相當(dāng)重要的。本文介紹了TC3xx單片機(jī)雷達(dá)信號處理單元SPU支持的半精度浮點(diǎn)格式，將其和32bit整型數(shù)格式進(jìn)行比較，分析了兩者的動態(tài)范圍及實(shí)際處理誤差，發(fā)現(xiàn)半精度浮點(diǎn)格式是“性價比”較高的存儲方式。另外，Tricore? CPU還有專用硬件指令支持半精度和單精度浮點(diǎn)格式的相互轉(zhuǎn)換，便于信號的后期處理，并縮短數(shù)據(jù)格式轉(zhuǎn)換時間。
2023-08-01
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貿(mào)澤電子新品推薦：2023年第二季度推出近30,000個新物料
2023年7月20日 – 業(yè)界知名的全球授權(quán)代理商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics)，專注于快速引進(jìn)新產(chǎn)品與技術(shù)，幫助客戶設(shè)計(jì)出先進(jìn)產(chǎn)品，并加快產(chǎn)品上市速度，實(shí)現(xiàn)從設(shè)計(jì)鏈到供應(yīng)鏈?的全程優(yōu)勢。貿(mào)澤受到1,200多家半導(dǎo)體和電子元件制造商的信任，幫助他們將產(chǎn)品分銷到全球市場。貿(mào)澤旨在為客戶提供全面認(rèn)證的原廠產(chǎn)品，并提供全方位的制造商可追溯性。
2023-08-01
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安森美 M3S EliteSiC MOSFET 讓車載充電器升級到 800V 電池架構(gòu)
自電動汽車 (EV) 在汽車市場站穩(wěn)腳跟以來，電動汽車制造商一直在追求更高功率的傳動系統(tǒng)、更大的電池容量和更短的充電時間。為滿足客戶需求和延長行駛里程，電動汽車制造商不斷增加車輛的電池容量。然而，電池越大，意味著充電的時間就越長。
2023-07-28
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電源設(shè)計(jì)更快更好，高效能圖騰柱PFC應(yīng)用須知
現(xiàn)今電源供應(yīng)器市場為因應(yīng)全球減碳活動，已經(jīng)將效能目標(biāo)設(shè)定為更高效率、減少損失、節(jié)省能源、降低成本、提高系統(tǒng)容量為主。安森美(onsemi)提出最新高效能Totem Pole(圖騰柱) 結(jié)合全橋整流器之PFC IC NCP1680/1681設(shè)計(jì)方案，相較傳統(tǒng)PFC之轉(zhuǎn)換效率可以提升3%~4%，符合未來電源供應(yīng)器之節(jié)省能源，降低成本，提高系統(tǒng)容量之訴求。加上NCP1680/1681快速的負(fù)載暫態(tài)補(bǔ)償響應(yīng)，以及高規(guī)格安規(guī)等級各式保護(hù)功能，特別是具有PFC-OK訊號供應(yīng)后級電源時序控制，NCP1680/1681應(yīng)用達(dá)到高效率，高功率因子，以及高穩(wěn)定性PFC應(yīng)用。
2023-07-28
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介紹一款適用于汽車和工業(yè)場合的高效同步SEPIC控制器
LT8711是一款直流-直流控制器，支持同步降壓、升壓、SEPIC、ZETA和非同步降壓-升壓等拓?fù)洹DI有多款同步降壓、升壓變換器和控制器，但支持同步SEPIC拓?fù)涞牟⒉欢?。SEPIC拓?fù)淦鋵?shí)非常實(shí)用，因?yàn)闊o論輸入電壓遠(yuǎn)低于或遠(yuǎn)高于輸出電壓，它都能提供穩(wěn)定的電平輸出。
2023-07-27
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用于SiC MOSFET的隔離柵極驅(qū)動器使用指南
SiC MOSFET 在功率半導(dǎo)體市場中正迅速普及，因?yàn)樗畛醯囊恍┛煽啃詥栴}已得到解決，并且價位已達(dá)到非常有吸引力的水平。隨著市場上的器件越來越多，必須了解 SiC MOSFET 與 IGBT 之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章概述了安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動條件對它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供 NCP51705（用于 SiC MOSFET 的隔離柵極驅(qū)動器）的使用指南。本文為第三部分，將重點(diǎn)介紹NCP51705 SiC 柵極驅(qū)動器的使用指南。
2023-07-26
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級
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