貿澤隆重推出新一期EIT計劃，探索智能家居技術與Matter連接標準的交集

2023年6月21日 – 提供超豐富半導體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 宣布其屢獲殊榮的Empowering Innovation Together（共求創(chuàng)新，EIT）計劃推出最新一期內容，重點關注Matter連接標準。在本期EIT中，連接標準聯(lián)盟 (CSA) 和業(yè)界知名制造商的全球技術專家齊聚一堂，共同探討Matter從市場推廣到設計規(guī)范的各個方面。

2023-06-21

SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案

如今，碳化硅用于要求苛刻的半導體應用，如火車、渦輪機、電動汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性，基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應用。盡管 SiC 功率器件推動了電動汽車、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術等要求苛刻領域的進步，但高質量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來了多重挑戰(zhàn)。

2023-06-19

為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣

在高功率應用中，碳化硅（SiC）的許多方面都優(yōu)于硅，包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關性能。但是，與硅快速恢復二極管相比，純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia（安世半導體）如何將先進的器件結構與創(chuàng)新工藝技術結合在一起，以進一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。

2023-06-16

如何通過實時可變柵極驅動強度更大限度地提高SiC牽引逆變器的效率

牽引逆變器是電動汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件，功率級別可達 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動汽車單次充電后的行駛里程。因此，為了構建下一代牽引逆變器系統(tǒng)，業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場效應晶體管 (FET) 來實現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。

2023-06-14

中科融合劉欣：從MEMS微振鏡芯片入手，全棧式解決3D機器視覺挑戰(zhàn)

5月12日，由中國半導體行業(yè)協(xié)會IC設計分會（ICCAD）、芯原股份、松山湖管委會主辦的主題為“AR/VR/XR×元宇宙”的“2023松山湖中國IC創(chuàng)新高峰論壇”正式在廣東東莞松山湖召開。中科融合感知智能研究院（蘇州工業(yè)園區(qū)）有限公司（以下簡稱“中科融合”）發(fā)布了面向3D視覺領域的自研的MEMS微振鏡投射芯片。

2023-06-14

貿澤電子聯(lián)手TI推出全新電子書探索城市空中運輸?shù)奈磥?/a>

2023 SiFive RISC-V中國技術論壇即將盛大開幕，北上深再掀開源風暴

指令精簡、模塊化、可擴展……已于2022年利用7年時間達成出貨量100億顆的里程碑，RSIC-V正在充分發(fā)揮自身的開放開源優(yōu)勢，一路開疆拓土。身為RISC-V的發(fā)明者與領導廠商，SiFive正發(fā)揮開源生態(tài)疊加未來計算新范式的“鏈主”效應，致力于將RISC-V的無限潛力引領至高性能處理器與高算力場景應用中。

2023-06-13

小功率電機驅動方案中如何選擇驅動IC

電機驅動作為工業(yè)4.0中工廠自動化整個閉環(huán)中的執(zhí)行器環(huán)節(jié)，其性能好壞直接影響到整個閉環(huán)的性能。因此，工業(yè)4.0對電機驅動提出了更高的性能和功能要求，例如更快的響應速度、更高的帶寬、更高精度的位置和速度控制、以及更豐富的網(wǎng)絡互聯(lián)功能等。針對不同應用場合的電機，我們應該選擇與之相對應的驅動方案。簡單地來說，功率大的電機應該選用內阻小、電流容許大的驅動，功率小的電機就可以選用較低功率的驅動。

2023-06-09

對比兩個具有無限間斷點信號的頻譜

今天想到一個問題， 這里有兩個都帶有無窮多個間斷點的信號。它們都位于 0,1 之間。?第一個信號是從 0 開始往1前進， 每前進剩余路程的一半，幅值降低一半。?第二個信號是從 0 往 1 前進， 每次都前進剩余路程的一半。在前進的路程中出現(xiàn)一個寬度為路程長度一半的矩形脈沖信號。?根據(jù)傅里葉變換， 這兩個信號都不滿足 Dirichlet 條件。那么他們傅里葉變換是什么呢？

2023-06-08

SMPD先進絕緣封裝充分發(fā)揮SiC MOSFET優(yōu)勢

SMPD可用于標準拓撲結構，如降壓、升壓、橋臂(phase-leg)，甚至是定制的組合。它們可用于各種技術產(chǎn)品，如Si/SiC MOSFET、IGBT、二極管、晶閘管、三端雙向可控硅，或定制組合，具有從40V到3000V不同電壓等級。

2023-06-07

第4代SiC MOS、1700V驅動…意法半導體透露了這些重點

過去一年，產(chǎn)業(yè)領先企業(yè)是如何抓住歷史機遇勇立潮頭？2023年，他們又將如何邁出新時代步伐？為此，行家說三代半、行家極光獎聯(lián)合策劃了《產(chǎn)業(yè)領袖開年說——2023，全力奔跑》專題報道，本期嘉賓是意法半導體亞太區(qū)功率分立和模擬產(chǎn)品部營銷和應用副總裁 Francesco MUGGER。

2023-06-07

相較IGBT，SiC如何優(yōu)化混動和電動汽車的能效和性能？

隨著人們對電動汽車 (EV) 和混動汽車 (HEV) 的興趣和市場支持不斷增加，汽車制造商為向不斷擴大的客戶群提供優(yōu)質產(chǎn)品，競爭日益激烈。由于 EV 的電機需要高千瓦時電源來驅動，傳統(tǒng)的 12 V 電池已讓位于 400-450 V DC 數(shù)量級的電池組，成為 EV 和 HEV 的主流電池電壓。

2023-06-06