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1700V耐壓破局!Wolfspeed MOSFET重塑輔助電源三大矛盾
在電機驅(qū)動、電動汽車及可再生能源系統(tǒng)的隱形戰(zhàn)場——輔助電源系統(tǒng)中,Wolfspeed 1700V SiC MOSFET以顛覆性耐壓能力直擊行業(yè)痛點:在確保多源采購靈活性的前提下,同步實現(xiàn)系統(tǒng)尺寸縮減30%、壽命延長2倍、綜合成本降低25%,破解了高可靠性與低成本難以兼得的“三難困境”。
2025-07-02
Wolfspeed 碳化硅 1700V SiC MOSFET 輔助電源 電機驅(qū)動供電方案 EV充電器待機電源 多源采購策略
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重磅公告!意法半導體2025年Q2業(yè)績發(fā)布及電話會議時間確定
服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體 (STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 將在2025年7月24日歐洲證券交易所開盤前公布2025年第二季度財務數(shù)據(jù)。
2025-07-02
意法半導體 財報 電話會議時間
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超級電容技術全景解析:從物理原理到選型實踐,解鎖高功率儲能新紀元
超級電容器(又稱雙電層電容器,EDLC)是一種通過電極與電解液界面形成的雙電層效應存儲電能的新型儲能器件。與傳統(tǒng)電容器不同,超級電容利用多孔碳電極表面形成的納米級雙電層結構( Helmholtz層),在電極/電解液界面實現(xiàn)電荷分離存儲能量。這種物理儲能機制使其無需化學反應即可實現(xiàn)能量的快速存...
2025-07-02
超級電容 雙電層電容器
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MHz級電流測量突破:分流電阻電感補償技術解密
在第三代半導體(SiC/GaN)驅(qū)動的ns級開關場景中,表面貼裝分流電阻(SMD CVR)的寄生電感已成為高頻電流測量的首要瓶頸。實測表明:2mΩ/2512封裝電阻在150V/ns瞬態(tài)下產(chǎn)生>38%電壓過沖,導致1MHz頻點測量誤差飆升至8.7%(Vishay WSLP2512測試數(shù)據(jù)),嚴重制約車載電控、射頻功放等對DC-3MHz帶寬、±...
2025-07-01
分流電阻 寄生電感補償 高頻電流測量技術 VNA頻響 RC濾波器設計 功率器件 電流檢測 開關電源
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告別電壓應力難題:有源鉗位助力PSFB效率突破
相移全橋(PSFB)轉換器因其能在初級側開關管上實現(xiàn)軟開關(降低開關損耗),成為高功率應用(如服務器電源、工業(yè)電源、通信電源)的主流拓撲。然而,傳統(tǒng)的PSFB存在一個顯著痛點:變壓器漏感(Lr)與輸出整流器(特別是同步整流管MOSFET)的寄生電容(Coss)諧振,會導致次級側產(chǎn)生嚴重的電壓振鈴...
2025-07-01
PSFB有源鉗位設計 整流器電壓應力優(yōu)化 高功率轉換器效率 同步整流MOSFET選型 無損緩沖技術 相移全橋控制策略
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DigiKey B站頻道火出圈:粉絲破10萬大關,好禮送不停
全球電子元器件分銷巨頭DigiKey宣布其B站官方頻道粉絲量突破10 萬大關,成為電子元器件領域關注度最高的企業(yè)賬號。為慶祝這一里程碑,DigiKey將面向平臺粉絲發(fā)起互動活動,抽取20位參與者贈送專屬技術禮包。
2025-07-01
DigiKey 得捷電子 B站官方號 B站粉絲活動 工程師福利
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全局快門CMOS傳感器選型指南:從分辨率到HDR的終極考量
在高速視覺應用的競技場中,全局快門CMOS圖像傳感器扮演著關鍵角色。當設計需要捕捉高速動態(tài)場景的方案時,僅僅關注分辨率或幀率遠遠不夠。傳感器的核心特性——尤其是其快門機制——直接決定了能否無失真地“凍結”瞬間。深入理解全局快門在高速環(huán)境下的優(yōu)勢,并權衡光學格式、動態(tài)范圍、噪聲表現(xiàn)(SNR)...
2025-07-01
安森美 圖像傳感器 全局快門 CMOS CMOS圖像傳感器 高速圖像傳感器
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