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OPA653/OPA659：TI推出業(yè)界速度最快的JFET輸入放大器
德州儀器 (TI) 宣布推出 OPA653 與 OPA659 JFET 輸入運算放大器，其可實現3 倍于同類競爭產品的 2675 V/us 壓擺率，從而可顯著提高脈沖響應。
2009-12-21
OPA653 OPA659 TI JFET 放大器
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電子元器件業(yè)景氣期將至 相關公司擴張產能
電子元器件類上市公司近期的擴張產能動作趨于頻繁。通富微電近日公告，將在未來三年投入10億元進行產能擴張。此前，拓日新能宣布8.5億元在陜西投建光伏電池生產線項目，華天科技董事會審議通過DFN型微小形封裝集成電路生產線技術改造項目，總投資為2億元。
2009-12-21
電子元器件 景氣期將至 公司擴張 半導體
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DDR測試系列之二——使用力科WaveScan技術分離DDR讀寫周期
測量DDR2存儲設備需要把讀/寫的訪問周期分離開來。在DDR2中通過Strobe和Data總線之間的關系可以區(qū)分出來讀和寫的操作。如圖1所示，在讀操作時Data和Strobe的跳變是同步的，而在寫操作時Strobe的跳變則領先于Data。我們利用這種時序上的差異就可以分離出讀操作和寫操作。
2009-12-18
DDR測試 力科 WaveScan 分離讀寫周期
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DDR測試系列之三—— 某SDRAM時鐘分析案例
SDRAM時鐘分析案例:串聯匹配是較好的SDRAM的時鐘端接策略，在原理圖設計中，需要加上串聯的電阻和并聯的電容，如果MCU輸出的時鐘驅動能力弱，可以不使用并聯的電容或者換用較小的電阻。準確的測量內存時鐘需要足夠帶寬的示波器和探頭，無源探頭在高頻時阻抗太小，不能準確的測量波形，需要使用高帶...
2009-12-18
DDR 測試 SDRAM 時鐘分析
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AP2101/AP2111：Diodes推出為USB應用優(yōu)化的高電流電源開關
Diodes針對高電流應用推出兩款新器件以擴展旗下AP21XX電源開關產品線。最新的單通道AP2101及AP2111可提供高達2A的連續(xù)輸出電流，且經過優(yōu)化，適合自我供電和總線供電USB，以及其他3-5V的熱插拔應用。
2009-12-18
AP2101 AP2111 Diodes USB 電流電源開關
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東大等驗證7μm的極薄晶圓也不會影響CMOS元件
東京大學研究生院工學系研究專業(yè)附屬綜合研究機構與日本迪思科（Disco）、大日本印刷、富士通研究所以及WOW研究中心等共同開發(fā)出了可將300mm晶圓（硅底板）打薄至7μm的技術。
2009-12-18
東大 晶圓 CMOS元件 IEDM MOSFET WOW項目 硅
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工信部明確環(huán)保使用期限，控制電子產品污染
日前，為了幫助廣大電子信息產品制造企業(yè)確定所生產產品的環(huán)保使用期限，工業(yè)和信息化部發(fā)布了《電子信息產品環(huán)保使用期限通則》(簡稱《通則》)。
2009-12-18
工信部 電子產品污染 環(huán)保
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