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對(duì)前景不樂(lè)觀 日企淡出OLED產(chǎn)業(yè)中韓積極投入
當(dāng)所有人把目光聚焦在3D顯示領(lǐng)域時(shí)，下一代平板顯示技術(shù)的代表———OLED市場(chǎng)又活躍起來(lái)。近日，蘋果方面透露下一代iPad將采用OLED(有機(jī)發(fā)光二極管)顯示屏。與此同時(shí)，韓系兩大消費(fèi)電子廠商三星和LG則宣布將于明年投產(chǎn)可供電視用的OLED面板。
2010-05-14
OLED
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SunPower貼牌回頭搶攻太陽(yáng)能低價(jià)市場(chǎng)
太陽(yáng)能電池市場(chǎng)在金融風(fēng)暴後終於露出曙光，根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)IEA預(yù)估，2010年全球太陽(yáng)光電產(chǎn)業(yè)產(chǎn)能將達(dá)到364億美元市場(chǎng)。中國(guó)積極開發(fā)太陽(yáng)能資源，以低價(jià)的競(jìng)爭(zhēng)策略，成功的主導(dǎo)太陽(yáng)能矽晶片與太陽(yáng)電池模組市場(chǎng)，在2009年市佔(zhàn)高達(dá)33%，遙遙領(lǐng)先其他各國(guó)。據(jù)傳，美國(guó)大廠SunPower為了搶回市佔(zhàn)率，透過(guò)委外...
2010-05-14
SunPowe
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羅姆開始量產(chǎn)SiC制SBD
羅姆的SiC功率元件終于踏上了量產(chǎn)之路。具體就是，輸出電流為10A的SiC肖特基勢(shì)壘二極管（SBD）“SCS110A系列”從4月下旬開始了量產(chǎn)供貨。羅姆從2005年開始供貨SiC制SBD的工程樣品，但量產(chǎn)“尚為首次”（該公司）。
2010-05-14
SiC SBD
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ACNV2601：Avago推出適合高絕緣電壓應(yīng)用的10MBd數(shù)字光電耦合器
Avago Technologies(安華高科技)宣布推出具備高絕緣電壓規(guī)格的10MBd數(shù)字光電耦合器，適合電源和高功率電機(jī)控制應(yīng)用。Avago是為通信、工業(yè)和消費(fèi)類等應(yīng)用領(lǐng)域提供模擬接口零組件的領(lǐng)導(dǎo)廠商。
2010-05-13
ACNV2601 Avago 高絕緣電壓 光電耦合器
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電子元件細(xì)分行業(yè)是產(chǎn)業(yè)升級(jí)關(guān)鍵
集成電路等電子元器件細(xì)分行業(yè)，是產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)升級(jí)推進(jìn)的關(guān)鍵，制約著國(guó)內(nèi)信息產(chǎn)業(yè)建設(shè)。
2010-05-13
電子元件 封裝 通富微電 集成電路 BAG
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安森美半導(dǎo)體榮獲龍旗控股頒發(fā) “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎(jiǎng)
應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)： ONNN )宣布榮獲全球領(lǐng)先的無(wú)線通訊技術(shù)產(chǎn)品和服務(wù)提供商龍旗控股(簡(jiǎn)稱“龍旗”)頒發(fā)的“2009年度優(yōu)秀供應(yīng)商”獎(jiǎng)。
2010-05-12
安森美 龍旗 綠色電子產(chǎn)品 “優(yōu)秀供應(yīng)商”獎(jiǎng)
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ST發(fā)布高性能功率封裝 可提高M(jìn)Dmesh V功率密度
功率半導(dǎo)體廠商意法半導(dǎo)體推出一款先進(jìn)的高性能功率封裝，這項(xiàng)新技術(shù)將會(huì)提高意法半導(dǎo)體最新的MDmesh V功率MOSFET技術(shù)的功率密度。
2010-05-12
PowerFLAT? 8x8 HV 封裝 意法半導(dǎo)體 ST MOSFET MDmesh? V
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ThinPAK 8x8：英飛凌推出適用于高壓功率MOSFET的新型無(wú)管腳SMD封裝
英飛凌科技股份公司近日推出適用于高壓功率MOSFET的全新無(wú)管腳SMD封裝ThinPAK 8x8。新封裝的占板空間僅為64平方毫米（D2PAK的占板空間為150平方毫米），高度僅為1毫米（D2PAK的高度為4.4毫米）。
2010-05-12
ThinPAK 8x8 英飛凌 MOSFET SMD封裝
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英飛凌推出大幅延長(zhǎng)IGBT模塊使用壽命的全新.XT技術(shù)
英飛凌推出創(chuàng)新的IGBT內(nèi)部封裝技術(shù)。該技術(shù)可大幅延長(zhǎng)IGBT模塊的使用壽命。全新的.XT技術(shù)可優(yōu)化IGBT模塊內(nèi)部所有連接的使用壽命。
2010-05-11
英飛凌 IGBT .XT技術(shù)
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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