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安森美被納入標(biāo)普500指數(shù)
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，在美國(guó)時(shí)間6月21日開盤交易前被納入標(biāo)普500?指數(shù)。安森美被納入該指數(shù)緊接著公司在2021年的財(cái)政年度收入達(dá)到有史以來最高的67.4億美元，同比增長(zhǎng)28.3%，且最近還獲認(rèn)定入榜《財(cái)富》美國(guó)500強(qiáng)。
2022-06-22
安森美 ADAS 替代能源
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DC-DC升壓穩(wěn)壓器外圍元器件的選擇與優(yōu)化
在便攜和可穿戴設(shè)備等電池供電的低電壓應(yīng)用中，常有一些功能需要較高的電壓才能工作，例如射頻收發(fā)器、精密模擬電路、白光LED背光驅(qū)動(dòng)、雪崩光電二極管(APD)的偏置電路等。這就需要采用DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器來向上轉(zhuǎn)換到所需的電壓，讓設(shè)備既節(jié)能又高效的工作。
2022-06-21
DC-DC 升壓穩(wěn)壓器 外圍元器件
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如何有效地比較CMOS開關(guān)和固態(tài)繼電器的性能
源極和漏極之間的關(guān)斷電容CDS(OFF)可用來衡量關(guān)斷開關(guān)后，源極信號(hào)耦合到漏極的能力。它是固態(tài)繼電器（如PhotoMOS?、OptoMOS?、光繼電器或MOSFET繼電器）中常見的規(guī)格參數(shù)，在固態(tài)繼電器數(shù)據(jù)手冊(cè)中通常稱為輸出電容COUT。CMOS開關(guān)通常不包含此規(guī)格參數(shù)，但關(guān)斷隔離度是表征相同現(xiàn)象的另一種方法，關(guān)...
2022-06-20
CMOS開關(guān) 固態(tài)繼電器
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功率半導(dǎo)體冷知識(shí)之二：IGBT短路時(shí)的損耗
IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測(cè)等多種方式實(shí)現(xiàn)。
2022-06-17
功率半導(dǎo)體 IGBT 損耗
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有源前端整流器
介紹針對(duì)電動(dòng)汽車充電器的最佳SiC功率拓?fù)浜驼{(diào)制決策的設(shè)計(jì)技巧，利用指導(dǎo)拓?fù)浜驼{(diào)制決策，有助于消除不可行選項(xiàng)，轉(zhuǎn)而關(guān)注那些可能表現(xiàn)良好的選項(xiàng)。
2022-06-17
電動(dòng)汽車 整流器
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集成智能第1部分：EMI管理
智能的集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和無刷直流 (BLDC) 電機(jī)都有助于使電動(dòng)汽車和下一代汽車更具吸引力、更安全和更可靠。集成電機(jī)驅(qū)動(dòng)器組合了驅(qū)動(dòng)電機(jī)所需的一切，例如場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)、柵極驅(qū)動(dòng)器和狀態(tài)機(jī)（如圖1所示）。集成可消除從電子控制單元 (ECU) 到電機(jī)的長(zhǎng)布線，并具有印刷電路板 (PCB) 尺寸更小和...
2022-06-16
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器BLDC EMI
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SiC設(shè)計(jì)干貨分享（一）：SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓的分析及探討
隨著制備技術(shù)的進(jìn)步，在需求的不斷拉動(dòng)下，碳化硅（SiC）器件與模塊的成本逐年降低。相關(guān)產(chǎn)品的研發(fā)與應(yīng)用也得到了極大的加速。尤其在新能源汽車，可再生能源及儲(chǔ)能等應(yīng)用領(lǐng)域的發(fā)展，更是不容小覷。
2022-06-15
SiC MOSFET 驅(qū)動(dòng)電壓
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25kW SiC直流快充設(shè)計(jì)指南(第六部分)：用于電源模塊的柵極驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)
在本系列文章的第一至第五部分[1-5]中，我們從硬件角度和控制策略上廣泛介紹了25 kW電動(dòng)汽車充電樁的開發(fā)。圖1代表到目前為止所討論的系統(tǒng)。
2022-06-15
直流快充 電源模塊 柵極驅(qū)動(dòng)
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性能出眾的1200V第四代SiC FET為高壓市場(chǎng)提供了優(yōu)秀的SiC功率解決方案
UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。新UF4C/SC系列中的六款新產(chǎn)品的規(guī)格從23毫歐到70毫歐，現(xiàn)以TO247-4L（采用開爾文連接）封裝提供，而1200V的53毫歐和70毫歐SiC FET還以TO247-3L封裝提供。這些新發(fā)布的SiC FET具有不凡的性能，...
2022-06-15
SiC FET 高壓市場(chǎng) 解決方案
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
- 安森美與英偉達(dá)強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，800V直流方案賦能AI數(shù)據(jù)中心能效升級(jí)
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