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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對于光耦前向耦合電流增益的特性進行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電解電容
在博文 基于光耦的LED振蕩電路[1] 介紹了一款基于光耦的多諧振蕩電路，對于光耦前向耦合電流增益的特性進行了討論。博文分別被公眾號 TSINGHUAZHUOQING[2] 與 電子工程專輯[3] 轉(zhuǎn)載。
2022-06-14
電解電容 光耦 振蕩電路
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電動汽車對提高車輛效率的需求正在改變供應(yīng)鏈
幾年來，xEV的普及率一直很高。預(yù)計2021至2027年間，全球xEV市場的復(fù)合年增長率將達到21%，所有細分市場的復(fù)合年增長率都將加快。隨著BEV采用率的快速增長，混合動力技術(shù)也將大幅增長。事實上，不同技術(shù)的普及率取決于地區(qū)。
2022-06-13
電動汽車 車輛效率 供應(yīng)鏈
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保護IGBT和MOSFET免受ESD損壞
功率MOSFET用戶都非常熟悉“靜電敏感器件”警告標志。然而，越熟悉越容易大意。從統(tǒng)計的角度來看，單個MOSFET不太可能被靜電放電（ESD)損壞。然而，在處理成千上萬個MOSFET時，極小的故障都可能帶來極大的影響。
2022-06-13
IGBT MOSFET ESD
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在自動駕駛汽車中實現(xiàn)5G和DSRC V2X
很顯然，車輛通信是實現(xiàn)更高的自動駕駛水平的重要推動因素。但是，長期以來，汽車廠商一直在研究分析所需的無線接入技術(shù)應(yīng)基于蜂窩技術(shù)（也稱為C-V2X）還是基于直接接入技術(shù)（稱為DSRC）。在本文中，我們將展示未來的自動駕駛場景需要協(xié)調(diào)或組合使用這兩種技術(shù)。先進的多無線標準設(shè)備需要集成分別采...
2022-06-10
自動駕駛汽車 5G DSRC V2X
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安霸CV2FS/CV22FS獲得ASIL C芯片功能安全認證，超越市場同類芯片水平
2022年6月7日，美國加利福尼亞州圣克拉拉市，Ambarella (下稱“安霸”，納斯達克股票代碼：AMBA，專注AI視覺感知的半導(dǎo)體公司) 于今天宣布，其汽車AI視覺感知芯片（SoC）CV2FS/CV22FS成功通過exida的ASIL C芯片功能安全認證，獲得證書，并且其內(nèi)置的功能安全島為ASIL D級別。CV2FS/CV22FS這一功能安全...
2022-06-08
安霸 CV2FS/CV22FS 芯片
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異步DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器（包含續(xù)流二極管）還能實現(xiàn)低輻射嗎？
本文嘗試展示帶分立式續(xù)流二極管的異步轉(zhuǎn)換器如何還能實現(xiàn)低輻射。其中將會介紹不同類型的轉(zhuǎn)換器、布局和封裝，以及為何受控開關(guān)非常有效，還會詳細介紹在CISPR 25 5類輻射測試中，低EMI評估電路的通過測試結(jié)果。
2022-06-08
DC-DC升壓轉(zhuǎn)換器 低輻射 ADI
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25 kW SiC直流快充設(shè)計指南(第三部分)：PFC仿真
在本系列的前幾篇文章中，我們介紹了電動車快充系統(tǒng)的主要系統(tǒng)要求，概述了系統(tǒng)開發(fā)過程中的關(guān)鍵階段以及認識了參與設(shè)計25 kW SiC直流快充系統(tǒng)的工程師團隊。
2022-06-07
SiC 直流快充 PFC仿真
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IGBT窄脈沖現(xiàn)象解讀
IGBT作為一種功率開關(guān)，從門級信號到器件開關(guān)過程需要一定反應(yīng)時間，就像生活中開關(guān)門太快容易擠壓手一樣，過短的開通脈沖可能會引起過高的電壓尖峰或者高頻震蕩問題。這種現(xiàn)象隨著IGBT被高頻PWM調(diào)制信號驅(qū)動時，時常會無奈發(fā)生，占空比越小越容易輸出窄脈沖，且IGBT反并聯(lián)續(xù)流二極管FWD在硬開關(guān)續(xù)...
2022-06-03
IGBT 窄脈沖
- 安森美與舍弗勒強強聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動新一代PHEV平臺
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