-
模擬技術(shù)中的 ESD 穩(wěn)健設(shè)計(jì)面臨的挑戰(zhàn)
隨著便攜式電子產(chǎn)品、“智能設(shè)備”和汽車電子產(chǎn)品的不斷普及，對(duì) IC 中嵌入模擬功能的需求也不斷增加。這推動(dòng)了對(duì)特定模擬技術(shù)的需求，這些技術(shù)在整個(gè)半導(dǎo)體市場(chǎng)中所占的份額越來越大。
2023-11-01
模擬技術(shù) ESD ST 白皮書
-
用并聯(lián)48V DC－DC穩(wěn)壓器提高自主駕駛車輛的功率
隨著包括主動(dòng)懸掛、轉(zhuǎn)向、氣候控制、電動(dòng)座椅和電動(dòng)車窗以及高級(jí)信息娛樂系統(tǒng)在內(nèi)的電氣系統(tǒng)數(shù)量的增多，對(duì)電源的需求也在日益增加，進(jìn)而推動(dòng)了汽車電源系統(tǒng)從 12 V 向 48 V 的轉(zhuǎn)變。事實(shí)證明，48 V 電源是有效提供大量電能的最佳選擇，而 12 V 系統(tǒng)則需要昂貴的元器件和大量的布線工作，否則就無法...
2023-11-01
并聯(lián)48V DC－DC穩(wěn)壓器 自主駕駛 車輛 功率
-
具有雙電壓額定值的變壓器配置
具有雙電壓額定值的變壓器使用多個(gè)H和X繞組運(yùn)行，每個(gè)繞組能夠處理不同的電壓。配置涉及這些繞組的串聯(lián)或并聯(lián)，影響整體電壓輸出。
2023-10-30
雙電壓 變壓器配置
-
如何實(shí)現(xiàn)高效的供電網(wǎng)絡(luò) (PDN) 設(shè)計(jì)
在為 5G 應(yīng)用設(shè)計(jì)電源系統(tǒng)時(shí)，設(shè)計(jì)人員必須考慮此類應(yīng)用固有的寬頻率范圍，從穩(wěn)壓器中的中頻到 FPGA內(nèi)核中的高時(shí)鐘頻率。這種端到端的全雙工設(shè)計(jì)對(duì)于優(yōu)化電源、電源轉(zhuǎn)換和配電過程的性能至關(guān)重要。
2023-10-30
供電網(wǎng)絡(luò) PDN設(shè)計(jì)
-
選擇合適的 ESD 器件
如今，電路板設(shè)計(jì)人員面臨著多種 ESD 保護(hù)選擇。設(shè)計(jì)人員通常會(huì)受到某些限制的限制，例如他/她的應(yīng)用可以承受的寄生電容量或電路板必須通過的所需 ESD 級(jí)別。通常，這些限制不會(huì)將可用的 ESD 設(shè)備數(shù)量縮小到可管理的列表。本白皮書將為設(shè)計(jì)人員提供指導(dǎo)，幫助他/她選擇 ESD 器件，從而地實(shí)現(xiàn)成功的...
2023-10-27
ESD 器件 電路板設(shè)計(jì)
-
IGBT／MOSFET 的基本柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器設(shè)計(jì)
本應(yīng)用筆記涵蓋了計(jì)算柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器 IC 的柵極驅(qū)動(dòng)器功率和熱耗散的主題。柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器用于驅(qū)動(dòng)、開啟和關(guān)閉功率半導(dǎo)體開關(guān)、MOSFET/IGBT。柵極驅(qū)動(dòng)功率計(jì)算可分為三部分；驅(qū)動(dòng)器內(nèi)部電路中消耗或損失的功率、發(fā)送至功率半導(dǎo)體開關(guān)(IGBT/MOSFET)的功率以及驅(qū)動(dòng)器IC和功率半導(dǎo)體開關(guān)之間的外...
2023-10-25
IGBT／MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)光耦合器
-
電壓模式R－2R DAC的工作原理和特性
首先，我們將簡(jiǎn)要回顧一下開爾文分壓器DAC。這種結(jié)構(gòu)很簡(jiǎn)單，但它們需要大量的電阻和開關(guān)來實(shí)現(xiàn)高分辨率DAC。這個(gè)問題的一個(gè)解決方案是稱為R-2R DAC的DAC結(jié)構(gòu)。這些結(jié)構(gòu)巧妙地利用梯形網(wǎng)絡(luò)來實(shí)現(xiàn)電阻較少的DAC。
2023-10-25
電壓模式 R－2R DAC
-
選擇適用于汽車應(yīng)用的基準(zhǔn)電壓
ADAS、車身電子裝置、動(dòng)力總成等汽車系統(tǒng)需要用到 精密數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器。對(duì)于每個(gè)數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器，在測(cè)量汽車信 號(hào)時(shí)，通常都需要一個(gè)精確的基準(zhǔn)電壓 (VREF) 以便誤 差盡可能低。許多數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器可以合并內(nèi)部基準(zhǔn)，但在 CMOS 技術(shù)中很難找到一個(gè)內(nèi)部基準(zhǔn)電壓能夠達(dá)到雙 極工藝的高精度、低溫漂和低噪聲。這在 ...
2023-10-23
汽車應(yīng)用 基準(zhǔn)電壓
-
如何利用碳化硅打造下一代固態(tài)斷路器
如今，碳化硅 (SiC) 器件在電動(dòng)汽車 (EV) 和太陽(yáng)能光伏 (PV) 應(yīng)用中帶來的性能優(yōu)勢(shì)已經(jīng)得到了廣泛認(rèn)可。不過，SiC 的材料優(yōu)勢(shì)還可能用在其他應(yīng)用中，其中包括電路保護(hù)領(lǐng)域。本文將回顧該領(lǐng)域的發(fā)展，同時(shí)比較機(jī)械保護(hù)和使用不同半導(dǎo)體器件實(shí)現(xiàn)的固態(tài)斷路器 (SSCB) 的優(yōu)缺點(diǎn)。最后，本文還將討論為什...
2023-10-23
碳化硅 固態(tài)斷路器
- 機(jī)構(gòu)預(yù)警：DRAM價(jià)格壓力恐持續(xù)至2027年，存儲(chǔ)原廠加速擴(kuò)產(chǎn)供應(yīng)HBM
- IDC發(fā)出預(yù)警：存儲(chǔ)芯片暴漲，明年DIY電腦成本恐大幅攀升
- 2025年全球智能手表市場(chǎng)觸底反彈，出貨量將增長(zhǎng)7%
- 從集成到獨(dú)立！三星首款2nm芯片Exynos 2600將不集成5G基帶
- AI熱潮的連鎖反應(yīng)：三星、SK海力士上調(diào)HBM3E合約價(jià)
- 全鏈路優(yōu)化·多維度升級(jí)——VBA新版本助力CAN/CAN FD開發(fā)工作提質(zhì)增效
- 揭秘“一鍵控制”背后：遙控開關(guān)電路設(shè)計(jì)與編碼協(xié)議詳解
- 高壓·精準(zhǔn)：復(fù)合材料超聲/導(dǎo)波檢測(cè)中放大器的核心定位與技術(shù)邏輯
- ESIS 2026第五屆中國(guó)電子半導(dǎo)體數(shù)智峰會(huì)強(qiáng)勢(shì)來襲！報(bào)名通道已開啟~
- 100/1000BASE-T1驗(yàn)證新路徑！泰克-安立協(xié)同方案加速車載網(wǎng)絡(luò)智能化升級(jí)
- 車規(guī)與基于V2X的車輛協(xié)同主動(dòng)避撞技術(shù)展望
- 數(shù)字隔離助力新能源汽車安全隔離的新挑戰(zhàn)
- 汽車模塊拋負(fù)載的解決方案
- 車用連接器的安全創(chuàng)新應(yīng)用
- Melexis Actuators Business Unit
- Position / Current Sensors - Triaxis Hall
