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測試測量

電子元器件行業(yè)漲幅達到3.51%

2010年3月4日，元器件行業(yè)漲幅達到3.51%.元器件行業(yè)的市場表現(xiàn)反映了市場對其成長性的良好預期。從近期上市公司公布的2009年年報和業(yè)績預告來看，多數(shù)公司2009年四季度的業(yè)績好于市場預期。多數(shù)公司2009年業(yè)績相比2008年出現(xiàn)增長。展望2010年行業(yè)景氣，從1月份來看，出口仍然延續(xù)了較好的勢頭。

2010-03-16

電子元器件半導體 SIA

力科示波器基礎(chǔ)應用系列之一使用力科示波器測量噪聲

電路中的每個電子元器件會產(chǎn)生隨機噪聲。隨機噪聲的分析需要時域、頻率、統(tǒng)計域的工具。力科示波器具有表征隨機噪聲的能力，該應用將主要展示這些功能。

2010-03-15

力科示波器基礎(chǔ)應用測量

天津LED論壇即將開幕 20多家重量級媒體競相赴會

2010-03-15

天津LED論壇即將開幕 20多家重量級媒體競相赴會

“2010深圳光電顯示周暨深圳（國際）彩電節(jié)”將于5月閃亮登場

2010-03-15

“2010深圳光電顯示周暨深圳（國際）彩電節(jié)”將于5月閃亮登場

ABB為中國太陽能發(fā)電提供技術(shù)支持

近日，全球領(lǐng)先的電力和自動化技術(shù)集團ABB積極參與中國太陽能開發(fā)利用，為提升國家可再生能源占電力消費比例、改善能源結(jié)構(gòu)做出積極貢獻。

2010-03-15

ABB 太陽能發(fā)電新能源可再生能源

怎樣辨別視頻線的好壞

本文主要介紹視頻線的目測外觀鑒別，傳輸性能測試

2010-03-15

視頻線電纜 SYV電纜

更小巧、更輕便、更低溫——IR GaN功率器件帶動功率技術(shù)革命

GaN技術(shù)平臺開創(chuàng)行業(yè)先河，是IR研發(fā)部門基于IR專利的GaN-on-Si硅上氮化鎵異質(zhì)外延技術(shù)，經(jīng)過5年精心研究的成果。高生產(chǎn)量的150mm硅上氮化鎵外延以及相關(guān)的器件制造工藝，完全符合IR具備成本效益的硅制造設施，可為客戶提供世界級的商業(yè)可行的氮化鎵功率器件制造平臺。

2010-03-15

輕便低溫 IR GaN 功率器件革命

IR 推出一系列新型HEXFET 功率MOSFET

這些新的功率MOSFET采用IR最先進的硅技術(shù)，是該公司首批采用5x6mm PQFN封裝、優(yōu)化銅片和焊接片芯的器件。IRFH6200TRPbF 20V器件可實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先的RDS(on)，在4.5V Vgs下，最高僅為1.2m?，顯著降低了手工工具等直流電機驅(qū)動應用的傳導損耗。

2010-03-15

IR MOSFET HEXFET 硅技術(shù) 導通電阻

BRAVIA LX900：索尼3D液晶電視攝像頭節(jié)能和防止兒童過近觀看

索尼發(fā)布了支持三維（3D）影像顯示的液晶電視“BRAVIA”的3個系列8種機型。預定提供從40英寸到60英寸畫面尺寸的“LX900”系列，在機身中央下方配備了名為“智能人感傳感器”的攝像頭。采用攝像頭的面部檢測功能和收看位置推斷功能等，實現(xiàn)了節(jié)能以及防止兒童過近觀看的功能。

2010-03-15

索尼液晶電視攝像頭節(jié)能