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2010年美國小型半導(dǎo)體公司恐掀被并潮
據(jù)路透(Reuters)報導(dǎo)，由于整體經(jīng)濟(jì)疲弱，半導(dǎo)體廠商要靠自家的力量達(dá)到營收成長，相對難度較高，因此購并在利基型市場上有獨到技術(shù)的小型廠商，將是2010年的趨勢，而這些小型的半導(dǎo)體廠商恐怕也會掀起被購并潮。
2010-01-28
美國 小型半導(dǎo)體 被并潮
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變頻器未來發(fā)展凸現(xiàn)六種特性
變頻器是運動控制系統(tǒng)中的功率變換器。當(dāng)今的運動控制系統(tǒng)是包含多種學(xué)科的技術(shù)領(lǐng)域，總的發(fā)展趨勢是：驅(qū)動的交流化，功率變換器的高頻化，控制的數(shù)字化、智能化和網(wǎng)絡(luò)化。因此，變頻器作為系統(tǒng)的重要功率變換部件，提供可控的高性能變壓變頻的交流電源而得到迅猛發(fā)展。
2010-01-28
變頻器 未來發(fā)展 凸現(xiàn) 特性
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新神戶電機(jī)展示鋰離子電容器，瞄準(zhǔn)建筑及產(chǎn)業(yè)設(shè)備應(yīng)用
新神戶電機(jī)在“第1屆EV·HEV驅(qū)動系統(tǒng)技術(shù)展”（1月20～22日，東京有明國際會展中心）上展出了直徑40mm×長110mm的圓筒型鋰離子電容器。其額定電壓為3.8～2.2V，能量密度為10.1Wh/L。
2010-01-28
新神戶電機(jī) 鋰離子 電容器
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集體著“綠裝” LED電視成新寵
春節(jié)臨近，各大家電賣場的促銷活動風(fēng)生水起。記者在走訪家電賣場時，發(fā)現(xiàn)各大家電品牌“身著綠裝”疾行，而消費者在選購電視過程中也有著自己的“綠色采購”計劃，價格已不再是首要考慮的因素，而具有低碳、節(jié)能、健康的市場的新寵兒——LED液晶電視成為首選標(biāo)準(zhǔn)。
2010-01-28
綠裝 LED 電視 低碳
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國內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的發(fā)展高于全球
《半導(dǎo)體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)發(fā)展意見》指出2015年，半導(dǎo)體照明節(jié)能產(chǎn)業(yè)產(chǎn)值年均增長率在30%左右；產(chǎn)品市場占有率逐年提高，功能性照明達(dá)到20%左右，液晶背光源達(dá)到50%以上，景觀裝飾等產(chǎn)品市場占有率達(dá)到70%以上；產(chǎn)業(yè)集中度顯著提高，并初步建立半導(dǎo)體照明標(biāo)準(zhǔn)體系。
2010-01-28
半導(dǎo)體 照明 節(jié)能
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泰克SuperSpeed測試解決方案幫助NEC電子獲得世界首項USB 3.0認(rèn)證
全球示波器市場的領(lǐng)導(dǎo)廠商—泰克公司日前宣布，其SuperSpeed USB解決方案為NEC電子符合USB 3.0標(biāo)準(zhǔn)的主機(jī)提供信號質(zhì)量監(jiān)測，該主機(jī)是世界首款獲得USB設(shè)計者論壇USB 3.0認(rèn)證的產(chǎn)品。
2010-01-27
泰克 SuperSpeed NEC電子 USB 3.0 AWG7122B 示波器
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Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增三種更大的外形尺寸
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸，接線柱的長度為13mm。
2010-01-27
Vishay 101/102 PHR-ST 電容器 RoHS指令 UPS設(shè)備
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推動LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展需加強國產(chǎn)MOCVD設(shè)備開發(fā)
第十一屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議于2010年1月12日在江蘇蘇州召開，為期2天，會議上跟許多專家和學(xué)者進(jìn)行了交流，本次MOCVD探討的主要應(yīng)用集中在LED，太陽能/激光器方面的應(yīng)用也不少。國內(nèi)MOCVD的總體感覺是：關(guān)注的人多，做的人少。
2010-01-27
LED MOCVD 設(shè)備
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Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET
日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。
2010-01-27
Vishay MOSFET FET?技術(shù)
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