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FC-13E：Epson Toyocom最薄kHz頻率范圍晶體單元
Epson Toyocom將最薄0.48mm Max.的kHz頻率范圍晶體單元(音叉型晶體單元)FC-13E實(shí)現(xiàn)了商品化。
2008-06-11
FC-13E 晶體單元
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FC30：意法半導(dǎo)體便攜應(yīng)用3D方位傳感器
意法半導(dǎo)體推出一款全新3D方位傳感器，是ST計(jì)劃開發(fā)的新系列傳感器產(chǎn)品的首款產(chǎn)品。通過在一個(gè)簡(jiǎn)單易用的表面貼裝封裝內(nèi)整合多項(xiàng)傳統(tǒng)傳感器功能，ST計(jì)劃開發(fā)一系列重要的多功能MEMS傳感器。全新FC30芯片集成3D方位和鼠標(biāo)單擊/雙擊檢測(cè)功能，使設(shè)計(jì)人員能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)內(nèi)集成鼠標(biāo)按鍵控制功能。
2008-06-11
FC30 便攜應(yīng)用 傳感器
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FC30：意法半導(dǎo)體便攜應(yīng)用3D方位傳感器
意法半導(dǎo)體推出一款全新3D方位傳感器，是ST計(jì)劃開發(fā)的新系列傳感器產(chǎn)品的首款產(chǎn)品。通過在一個(gè)簡(jiǎn)單易用的表面貼裝封裝內(nèi)整合多項(xiàng)傳統(tǒng)傳感器功能，ST計(jì)劃開發(fā)一系列重要的多功能MEMS傳感器。全新FC30芯片集成3D方位和鼠標(biāo)單擊/雙擊檢測(cè)功能，使設(shè)計(jì)人員能在產(chǎn)品設(shè)計(jì)內(nèi)集成鼠標(biāo)按鍵控制功能。
2008-06-11
FC30 便攜應(yīng)用 傳感器
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B82466G0*/B82467G0*/B82469G1*：EPCOS新電感器系列
愛普科斯(EPCOS)開發(fā)出緊湊的小型電感器，其高度僅為1.0毫米，占用面積僅2.0×2.0平方毫米。B82466G0*系列的電感范圍介于0.5至22μH，飽和電流最高為1.6A。B82467G0*和B82469G1*系列尺寸分別為2.6×2.8×1.0立方毫米和3.8×3.6×1.2立方毫米，其飽和電流最高為3.0A。
2008-06-01
B82466G0* B82467G0* B82469G1* 電感器
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宇陽控股0201超微型MLCC通過鑒定
宇陽控股近日宣布，其自主研發(fā)的0201超微型MLCC（片式多層陶瓷電容器）已成功通過國(guó)家科學(xué)技術(shù)部授權(quán)組織科學(xué)技術(shù)成果鑒定，標(biāo)志著公司成為全國(guó)首家成功開發(fā)0201 MLCC的企業(yè)。
2008-05-30
宇陽 0201 MLCC
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宇陽控股0201超微型MLCC通過鑒定
宇陽控股近日宣布，其自主研發(fā)的0201超微型MLCC（片式多層陶瓷電容器）已成功通過國(guó)家科學(xué)技術(shù)部授權(quán)組織科學(xué)技術(shù)成果鑒定，標(biāo)志著公司成為全國(guó)首家成功開發(fā)0201 MLCC的企業(yè)。
2008-05-30
宇陽 0201 MLCC
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宇陽控股0201超微型MLCC通過鑒定
宇陽控股近日宣布，其自主研發(fā)的0201超微型MLCC（片式多層陶瓷電容器）已成功通過國(guó)家科學(xué)技術(shù)部授權(quán)組織科學(xué)技術(shù)成果鑒定，標(biāo)志著公司成為全國(guó)首家成功開發(fā)0201 MLCC的企業(yè)。
2008-05-30
宇陽 0201 MLCC
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SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET
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SiA***DJ：Vishay新型小型封裝Siliconix功率MOSFET
Vishay宣布推出15款采用 2 mm×2 mm 的 PowerPAK SC-70 封裝、厚度為 0.8 mm 的新型功率 MOSFET。
2008-05-28
SiA408DJ SiA411DJ SiA413DJ SiA414DJ SiA415DJ SiA417DJ SiA419DJ SiA421DJ SiA443DJ SiA511DJ Si功率MOSFET
- 安森美與舍弗勒強(qiáng)強(qiáng)聯(lián)手，EliteSiC技術(shù)驅(qū)動(dòng)新一代PHEV平臺(tái)
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