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技術(shù)文章

LED死燈原因分析探討

我們經(jīng)常會碰到LED不亮的情況,封裝企業(yè)、應(yīng)用企業(yè)以及使用的單位和個人,都有可能碰到,這就是行業(yè)內(nèi)的人說的死燈現(xiàn)象。本文重點分析LED死燈原因和防護。

2010-01-28

LED 死燈原因靜電

泰克SuperSpeed測試解決方案幫助NEC電子獲得世界首項USB 3.0認證

全球示波器市場的領(lǐng)導(dǎo)廠商—泰克公司日前宣布，其SuperSpeed USB解決方案為NEC電子符合USB 3.0標準的主機提供信號質(zhì)量監(jiān)測，該主機是世界首款獲得USB設(shè)計者論壇USB 3.0認證的產(chǎn)品。

2010-01-27

泰克 SuperSpeed NEC電子 USB 3.0 AWG7122B 示波器

Vishay的101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增三種更大的外形尺寸

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，其101/102 PHR-ST螺旋式接線柱功率鋁電容器新增了90mm x 146mm、76mm x 220mm及90mm x 220mm三種更大的外形尺寸，接線柱的長度為13mm。

2010-01-27

Vishay 101/102 PHR-ST 電容器 RoHS指令 UPS設(shè)備

推動LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展需加強國產(chǎn)MOCVD設(shè)備開發(fā)

第十一屆全國MOCVD學(xué)術(shù)會議于2010年1月12日在江蘇蘇州召開，為期2天，會議上跟許多專家和學(xué)者進行了交流，本次MOCVD探討的主要應(yīng)用集中在LED，太陽能/激光器方面的應(yīng)用也不少。國內(nèi)MOCVD的總體感覺是：關(guān)注的人多，做的人少。

2010-01-27

LED MOCVD 設(shè)備

采用PowerFill外延硅工藝的電源器件

ASM International推出了其PowerFill的外延硅（Epi Si）溝槽填充工藝。新工藝可使帶有摻雜物的外延硅深溝無縫隙填充。 PoweRFill是一個精湛的工藝技術(shù)，因為它是同類流程速度的3倍，降低制造成本，創(chuàng)造了為電源設(shè)備設(shè)計在設(shè)計程度上新的級別。

2010-01-27

ASM PowerFill 外延硅工藝電源器件 Fairchild

Vishay Siliconix 推出4款600V MOSFET

日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET?技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。

2010-01-27

Vishay MOSFET FET?技術(shù)